Jump to content

covaci ioan

Members
  • Content Count

    46
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

1 Neutral

About covaci ioan

  • Rank
    Membru
  • Birthday 11/25/1983

Profile Fields

  • City
    telciu
  1. Mie mi-a dat de gandit aceasta dupa ce am ce mam uitat dathashetul circuitului de comanda PWM UC3844, la care in schema de baza se observa pe langa obisnuitul snubber RCD din drena MOSFET-ului pentru reducerea supratensiunilor cauzate de inductanta de scapari, ca mai are si un grup RCD montat intre sursa si drena despre care am aflat ca ar avea rolul de a reduce panta du/dt. Dupa aceeia eu am tot cautat pe internet detalii despre efectul sau asupra tranzistorilor MOSFET, si am gasit pe un site un documentar pe care l-am atasat mai jos despre impactul du/dt asupra MOSFET-urilor, (pentru mine e mai greu sa inteleg in detaliu explicatia in limba engleza) De aceeia am vrut sa stiu de la ce cei care au experienta (eu sunt la inceput in acest domeniu) daca in proiectarea si realizarea practica surselor SMPS daca au fost cazuri cand au trebuit sa tina cont si sa rezolve si aceasta problema. Va multumesc. application_note_en_20180726.pdf
  2. Ok, eu am inteles ca acest parametru Du/Dt este viteza cu care creste tensiunea sursa-drena a mosfet-ului in momentul in care acesta se blocheaza, si poate avea valori de ordinul miilor de volti pe microsecunda. Eu am inteles ca in cazul tranzistorilor IGBT aceasta viteza mare de crestere a tensiuni poate provoca autoamorsarea (tranzistorul ramine deschis tot timpul si nu poate fi blocat de circuitul de comamnda) a tranzistorului IGBT, ducand inplicit la distrugerea acestuia daca nu se iau masuri de limitare a acestei cresteri bruste de tensiune. Eu as vrea sa stiu daca acest fenomen periculos poate sa apara si la tranzistoarele MOSFET?
  3. Buna ziua, si salutare tuturor electrionistilor de pe acest site! As avea o intrebare la dumneavoastra despre tranzistoarele mosfet. Daca ne uitam in datashetul acestor tranzistoare printre ceilalti parametri maximali ai acestora se afla si panta Du/Dt . Despre aceasta nu am reusit sa ma documentez foarte bine ce inseamna exact, si cat de important este acest parametru in practica proiectari surselor in comutatie cu tranzistoare mosfet pentru o fiabilitate cat mai mare ? Va multumesc.
  4. Intradevar la o examinare sumara nu prea am observat diferente semnificative, eu am facut mai multe calcule dupa aceasta metoda din postarea domnului @gsabac iar rezultatele erau idientice cu cele ale ferroxcube. Eu sunt convins ca nici standardul rominesc nu este mai prejos de cele straine. Daca examinam cu atentie schemele unor aparate profesionale de poductie romaneasca (ex. osciloscoape, generatoare de semnal, fregventmetre, multimetre etc. produse de IEMI) si le comparam cu ale altor aparate de productie straina produse la aceea vreme, vom constata ca cele romanesti NU sunt cu nimic mai prejos. De aici putem concluziona ca si romania a avut si cred ca mai are cati-va ingineri de mare valoare capabili de realizari extraordinare! Va multumesc.
  5. Intradevar aceste calcule necesita mult timp, eu va multumesc pentru munca si timpul acordat in alcatuirea acestei sinteze foarte utila pentru intelegerea metodei de calcul a miezurilor. Eu cred ca aceasta sinteza va fi de un real folos tuturor celor care vor fi pusi in situatia de a face astfel de calcule.
  6. Eu cred ca rezultatele obtinute prin aceasta metoda de calcul sunt foarte bune, tinand cont ca acest tip de miez EP are o forma geometrica destul de complexa !
  7. Da acum e mai Ok, insa nu inteleg cum se determina pentru acest tip de miez , y, y1, y3, si de ce L=A1/y1=A3/y3=12,063 si nu 29,71 iar l=A3/2*y3=29,84 si nu 14,92 cum rezulta din calculul matematic . Foarte bine ca a-ti facut corecti, dar cred ca mai trebuie putin corectat si complectat! Va multumesc.
  8. Da acum e mai Ok, in prima postare erau niste greseli care mi-au dat putina bataie de cap pana am inteles. Foarte bine ca a-ti corectat! Va multumesc.
  9. Ok. acum inteleg ca in imaginile din postarile dumneavoastra, aceea linie care marcheaza centrul de inertie imparte aria tranversala a acelei sectiuni in doua jumatati egale (aria din stanga liniei egala cu cea din dreapta liniei) practic daca fluxul se distribuie uniform prin sectiunea miezului rezulta ca in aceea zona a miezului, linia de camp magnetic are lungimea medie.
  10. Nu inteleg ce inseamna aceste centre de inertie despre care spuneti la punctul 4. Va rog daca se poate explica!
  11. corectez postarea anterioara, la postarea #85 a domnului @gsabac ma refeream cand am spus ca rezultatele sunt idientice cu cele ale ferroxcube. In postarea #82 a domnului ola_nicolas se intelege cel mai bine cum se obtin practic cele doua constante C1 si C2
  12. Eu am facut niste calcule aplicand aceasta metoda descrisa in postarea de mai sus pentru miezuri EE cu sectiuni dreptunghiulare, iar rezultatele erau destul de apropiate de cele ale ferroxcube dar nu sunt exact la fel. Rezultate idientice cu ferroxcube am obtinut prin metodele din postarile #85 si#82.
  13. Interesanta metoda, dar nu inteleg cum determinam R1,R2, R3, R4 si R12, R23, R34, R41, in cazul miezului de tip UU sau EE, sunt foarte curios sa fac niste calcule si sa le compar rezultatele cu cele ale ferroxcube! Va multumesc!
  14. Nu inteleg de ce cele doua constante ale miezului c1 si c2 se noteaza cu ce doi exponenti mm-1 si respectiv mm -3 si ce importanta au ei?
×
×
  • Create New...

Important Information

We use cookies and related technologies to improve your experience on this website to give you personalized content and ads, and to analyze the traffic and audience of your website. Before continuing to browse www.tehnium-azi.ro, please agree to: Terms of Use.