Jump to content

cavit

Tehnium Azi
  • Content Count

    321
  • Joined

  • Last visited

  • Days Won

    10

cavit last won the day on April 26

cavit had the most liked content!

Community Reputation

22 Excellent

About cavit

  • Rank
    Premium User

Profile Fields

  • City
    bumbesti jiu

Recent Profile Visitors

1,781 profile views
  1. Unde ma pot adresa pentru proiectarea si executia a 10 buc cablaj cu aceste componente, un driver - 2 Gan fet, schema din nota de aplicatie. Am cumparate aceste componente. Am nevoie pentru un aparat rife cu arie de de leduri de putere. https://gansystems.com/wp-content/uploads/2019/04/GS-010-120-1-P-datasheet-rev190410.pdf https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/932716/TI1/LM5113QDPRRQ1.html
  2. Aceasata este sursa boost clasica, nu are cum sa nu functioneze. Intrbare: la cati volti este electroliticul de la iesire, nu ii dai 50v pe condensatorul de 25v? Iar dioda trebuie sa fie la 200v pentru 50v out, exista schottky la 150v, trebuie una din aceea nu una de 40-60v. Totusi sursa boost mai ales la rapotul asta de 4:1 are randament mai slab ca sursa push-pull cu transformator, la raoarte asa demari randamentul este puteric influentat de rezistenta electrica a bobinei. Schema de la Elliot este una generica, poate fi utilizat un UC 3825, acesta are curenti de iesire in jur de 2a in impuls si poate comanda direct 2 mosfeturi adecvate pentru puterea de care aveti nevoie. Schema de mai jos este cu titlu informativ dar poate fi modificata sa functionezecu tensiune de alimentare mica renuntandu-se la cele 2 infasurari auzixiliare alimentand direct de la 12v si utilizand mosfeturi si diode la iesre adecvate, in rest valorile pot ramine cele din schema,
  3. Puterea specificata este 50w. Mai am o nedumerire oare suporta o dioda schottky varfurile asociate cu o tensiune deiesire de 50v ar trebui o dioda la 150-200v ceva de gen stth802. Dupa parerea mea mai adecvat pentru jobul acesta ar fi un convertor push-pull foreward clasic care este utilizat de regula in invertoarele alimentate cu 12v. Unul pentru car audio scoate cam ce doriti dumneavoastra, oricum poate fi ajustat sa scoata 50v
  4. In sintza mosfetul este caracterizat de toleranta intrinseca la dv/dt care reprezinta dv/dt maxima la care dispozitivul nu intra in conductie, si dv/dt de rcuperate inversa a diodei structurale Body diode care ste in general o dioda destul de lenta dv/dt recovery este in jur de 10-50v/ns. Asta insemna ca dispozitivul este greu de adus in conductie deorece dioda. limiteaza dv/dt la valori mai mici, dar dioda respectiva reprezinta o sarcina grea pentru tranzistorul companion din semipunte, si il poate suprasolicita pana in situatia in care acesta se distruge. Practic acel Qrr (sarcina de recuperare inversa) trebuie absorbita de tranzistorul pereche pe durata comutarii, asta se traduce printr-o energie disipata in acesta la fiecare comutare care este Qrr x tensiunea de alimentare. Din acest motiv mosfeturile nu merg bine in punti, dar merg bine in push pull deorece rezista la dv/dt destul de mare. Mosfeturile cu carbura de siliciu sunt similare mosfeturilor tolereaza dv/dt de caa200v/ns iar dv/dt derecuperare al diodei structurale este in jur de 100v/ns, si Qrr este devreo 10 ori mai mica decat la un mosfet cu silicu similar. Asta inseamna ca merg bine si in punti datorita Qrr rezonabil, si in push pull datorita tolerantei bune la dv/dt. Igbt cu dioda au dv/dt in jur de 10v/ns si dv/dt de recuperare al diodei in jur de 50v/ns iar Qrr este de vreo 5 ori mai mic decat la un mosfet similar. Asta inseamna ca merg bine in punti deorece dioda are un Qrr rezonabil, dar pot suferi fenomenul shutthru dac dv/dt nu este limitat prin snubbere. In push pull nu merg deloc deorece nu tolereaza dv/dt mari. Sic j fet-ul si gan fet-ul sunt dispozitive fara purtatori minoritari cu Qrr 0, in principiu pot functiona in punti la frevente foarte mari cu piederi minime, suporta in jur de 500v/ns dv/dt, dar in viata reala au anumite limitari deoarece pe durata impulsului de blocare capacitatea canalului de aconduce curentul invers este slaba, tensiunea poate depasi limita, si dispozitivul este distrus. Gan fet fara dioda merge bine pana la tensiuni de 100v unde fenomenele tranzitorii au energii mai reduse, la tensiune de 300 vdc exista riscul sa fie distruse de varfurile de tensiune inversa. In push pull gan fetul mege excelent, nu prea are limitari. Sic j fet-ul normal off este asemnator cu GAN fet-ul, sic jfet-ul normal on asemantor cu gan fet-ul normal on si se utilizeaza de obicei in cascoda cu un mosfet cu siliciu. Au aceesi problema cu conductia canalului si varfurile de tensiune inversa ca si GAN fet-ul. Daca pentru sic jfet si cascode o dioda schottky cu carbura de siliciu este ideala, pentru GAN fet este prea lenta. din acest motiv GAN fetul este folosit fara dioda, dar in conditii restrictive, nu poate opera in orice circuit necaracterizat din puct de vedere al fenomenelor tranzitorii, de acee este de evitat la tensiuni mai mari. Exemple: mosfet FCH041n65: dv/dt mosfet 100v/ns, dv/dv varf recuperare dioda 50v/ns sic mosfet nu am gasit decat la general >200v/ns cele cu 0 Qrr nu au limita dv/dt
  5. Postarea dorea sa faca o atentionare asupra a ce alegem pentru semipunti si punti. Pur empiric prin incercare am observat ca mosfeturile nu merg bine in punti mai ales cele la tensune mare datorita Qrr si Trr mari ale diodei structurale. Sic mosfeturile merg mai bine ca mosfeturile cu siliciu deoarec au Qrr si Trr mai mici, dar au o problema, tensiunea foreward a diodei este mare, 4-6v asta creste pierderile in conductie si poate distruge driverele alimentate prin bootstrap, deoarece acesta tensiune se adauga la tensiunea de alimentare a driverului valabil pentru tranzistorul de sus. De asemena merg si in push pul datorita tolerantei la dv/dt foarte mari de ordinul sutelor de volt /nanosecunda. Igbt-urile cu dioda merg bine in punti dar nu merg in Pushpull datorita toleranatei reduse la dv/dt mari. Bipolarele cu carbura de siliciu si dioda schottky cu carbura de siliciu merg bine si in punti si in push pull deoarece rezista la dv/dt mari. Dispozitivele care pretind 0Qrr gen gan fet normal off, sic jfet si cascode din sic jfet sau gan fet si si mosfet m-au dezamagit la punti, deoarece aplicarea impulsului de blocare degadeaza semnificativ capabilitatea canalului de a conduce curentul invers, astfel tensiunea inversa poate depasi limita si dispozitivul este distrus. Pe de alta parte canalul acestor dispozitive are rezistenta dinamica mai mare ca a unei diode si nu poate actiona la fel de eficient pe post de clamp ca o dioda fie ea si schottky cu carbura de siliciu. Concluzie empirica folosita in practica: pentru dispozitivele pe baza de carbura de siliciu este nevoie de o dioda schottky cu carbura de siliciu fie ca sunt sic jfet sau cascoda, iar pentru sic mosfet este optionala deoarece acestea au o dioda P-N cu sic, dioda sic scottky imbunatateste comportamentul. Pentru mosfeturile cu siliciu dioda structurala terbuie izolata cu o dioda schottky si inchis totul cu o dioda rapida, utilizez in mod curent modificarea.
  6. Fie ca este o sursa hard switch foreward fie una soft switch de genul rezonanta LLC, comutatoarele puntii necesita diode in antiparalel. Concluzia personala este ca dispozitivele care pretind 0 Qrr, gen GAN fet Emode HEMT, ori cascoda din sic jfet normal on si si mosfet ori GAN fet normal on si si mosfet, ori sic jfet normal on sau normal off care pretind ca ofera conductie inversa nu pot opera fara diodele respective, cele mai folosite sunt diodele sic scottky deorece au 0 QRR. Cu cascoda sic jfet si mosfet am avut experinte nefaste, in punti, sic jfet-ul pur si simplu a explodat, cu sic mosfet parametrii similari functioneaza ok. deasemena adaugand diode problema a fost remediata. Cu gan fet am avut esperinta neplacuta pe o rezonanta LLC autooscilanta controlata cu amplificator, magnetic, nu au perfomat mai bine ca niste simple bipolare cu siliciu in paralel cu cate o dioda sic schottky sau chiar si cu o dioda FRED PIN cu Trr<20ns. In concluzie desi promit conductie de curent invers, GAN fet-ul si cascodele cu sicjfet sau GAN fet nu performeaza conform asteptarilor, in viata reala. Pentru aplicatiile din viata reala solutia cu dioda, ramine singura de incredere, optim fiind utilizarea unor diode sic scottky sau si schottky in functie de tensiunea la care este alimntata sursa respectiva. Desi blamate pentru un Qrr destul de mare, sic mosfeturile ofera totusi o dioda inversa rezonabila. Totusi dioda sic schottky performeaza mult mai bine, mai ales in aplicatii harsh switch care functineaza in condtii grele, cum ar fi puntile modulatoare sinus din invertoare. Pentru aceste aplicatii este recomandata utilizarea unor diode SIC schottky in paralel cu sic mosfeturile. In aceste conditii bipolarul cu SIC nu are nici un dezavantaj fata de alte dispozitive, dimpotriva este cel mai robust dintre ele suportand o temperatura de varf mare similara cu sic jfet-ul si este normal OFF.. Utilizarea unor diode sic schottky sau FRED cat mai rapide imbunatatesc semnificativ performanta, ex utilizarea unor diode FRED de 20ns in paralel cu BUL38 D care au o dioda de 300 ns, pentru acelasi circuit comportamentul se schimba drastic, de la supraincalzire si distrugere in cateva secunde pana la functionare aproape la rece in regim steady stade, Conditii identice( circuit si sarcina utila) Ex sursa LLC autooscilanta cu BUL 38 d si diode STTA1206, 12v si 9v pentru retelistica in sarcina cu 15w fara radiatoare pe tranzistori TC 35 grade, Tamb 20 grade in sarcina cu 15w steady stade.
  7. cavit

    VK 55 - amplificator performant pe tuburi

    Foloseste mai multe trafuri pentru fiecare banda de frecventa conectate prin filtrele necesare, am mai facut si eu de genul, asta este solutia profesionala, nu stiu daca are iesiri separate pentru difuzoarele pentru diferitele benzi de frecventa sau sunt insumate. Curent folosesc amplificator audio full simetric cu tranzistoare cu banda de castig unitar 5 Mhz si SR 100v/microsecunda. Specialistii in fiziologia auzului au aratat ca banda amplificatorului conteaza chiar si domeniul ultrasonic. Pentru amplificatoarele cu reactie (feedback) banda conteaza pentru a avea castig in bucla si la frecvente mai mari, asta se traduce prin liniaritate la frecvante mai mari, si intremodulatie mai slaba.
  8. Iata o schema asemanatoare, cea folosita de mine are foarte mici diferente iar Q1 si Q2 sunt cu carbura de silicu de tip ga05jt12-263. https://www.researchgate.net/figure/Schematic-diagram-of-the-Power-Oscillator_fig3_269297570 Mai mult de atit, aci gasiti o solutie de a realiza amplificatorul magnetic pe un simplu tor de ferita asemanator cu acela din sursa pentru becuri economice. Bobinele de comanda si de curent le realizati circular pe exteriorul torului, iar bobina de magnetizare o faceti normal prin tor. Astfel cele 2 infasuari sunt perpendiculare si nu induc una in alta. Stabilizarea se face cu un Tl431 sau cu o simpla dioda zenner, pentru tensiuni mai mari unde caderea de tensiune pe bobina de magnetizare nu prea mai conteaza. Asta este transformatorul amplificator magnetic utilizat de mine este fabricat de Sony dar nu mai gasesc nici o fotografie cu el pe net. https://patents.google.com/patent/US6687137
  9. Sursa cu rezonanta este des utilizata pentru alimentarea unui amplificator audio, deoarec permite alimentarea atit cu ac cat si cu dc, si se comporta bine la varfurile de sarcina. comercial exista surse cu rezonanta LLC HB cu mosfet si integrat driver. https://hifiduino.wordpress.com/2011/02/26/resonant-smps-for-audio/ Varianta mea este mai vintage folseste patentul Sony cu transformator driver cu amplificator magnetic Singurele elemente active sunt cei doi tranzistori din semipunte, varinta aceea patent Sony nu prea merge binne cu mosfet-uri original era cu 2sc4834, dar era cam fragila, nu rezista rigorilor pentru audio. Avand la dispozitie un alt dispozitiv imbunatatit cu camanda in curent, bipolarul cu carbura de siliciu am hotarit sa-l incerc. In functie de puterea dorita ga05jt12-263 sau ga10jt12-263 sau ga10sicp-263, am facut una cu GA05it-263. Spre deosebire de siliciu aceste bipolare cu carbura nu se ard la suprasrcini au coeficient de temperatura pozitiv, in situati extreme cand se incalzesc tare iese din oscilatie, dupa ce se raceste porneste din nou. Am optat pentru varianta autooscilanta patent Sony deorece este cea mai simpla realizabila, si bruiajul este minim deorece nu exista alte elemnte active, in plus acesta sursa poate fi alimntata si in AC fara condensator de filtraj, doar cu unul fix de decuplare, emuleaza practic un transformator de joasa frecventa, dar merge si pe bara de dc link din sistsmul PV.
  10. Dupa mai multi ani de cercetare procesoarele cuantice sunt acum functionale, si Live online. Bitii cuantici mai sunt denumiti Qbit si pot lua mai multe stari decat 0 si 1, pot lua toate starile cuantice posibile ale sistemului. Cu cat procesorul este mai mare cu atit numarul de stari cunatice posibile creste, caracteristic qbitilor sunt superpozitiile cuantice si entanglementul. O abordare intuitiva a unui procesor cuantic este sa il vedem ca pe o unda stationara complexa, daca schimbi ceva undeva intreaga unda se modifica. Asta permite o puternica paralelizare a procesului de calcul, in fapt o problema poate fi rezolvata si intr-un singur pas prin introducerea spatiului de intrare tot ,odata si obtinerea spatiului solutie tot, odata, acste spatii fiind spatii multidimensionale. In buna parte sunt rude cu retelele neuronale, doar ca sunt utile la rezolvari, dar pot face si dezvoltari, retelele neuronale sunt bune mai mult la dezvoltari. Tehnic vorbind procesoarele cuantice sunt in mod traditional alcatuite din jonctiuni Josephson din material supraconductor, dar se incearca realizarea unora pe substrat de siliciu cu qbiti formati din cate un atom de fosfor, Qbitii sunt materializati de atomi singulari. Evident procesoarele cuantice trebuie racite, undeva sub 15 milikelvin, in functie de posibilitatile tehnice, ele au fost puse in practica abia dupa ce s-au gasit solutii tehnice de racire la temperatura necesara, conservarii starii cuantice a Qbitilor suficient timp cat sa premita functionarea acestora. Exista online procesoare quantice de diferite marimi, cele mai mari sunt de 2048 qbit(fabricat) nu toti qbitii sunt disponibili, dar sunt disponibili aproape 100%. Dwave https://www.dwavesys.com/quantum-computing Exista procesare quntice mai mici, unul open for public este IBMq de 5 qbit https://quantumexperience.ng.bluemix.net/qx/editor
  11. 05.03.2017 ora 18,53 ora Bucurestiului locatie Bumbesti jiu <<Fast moving object>> traiectorie aparenta nord- sud viteza unghiulara caa 1 grad hexazecimal pe secunda, vizibil caa 20 secunde traiectorie parabolica la vest de luna departarea minima unghiulara fata de luna caa 10 grade hexazecimale, magnitudine maxima comparabila Alpha centauri.
  12. Nu s-a mai scris de ceva vreme aici, acesta este un topic despre panouri fotovoltaice, doresc sa punctez cateva aspecte ale amprentei de dioxid de carbon ale acestei tehnologii. Majoritatea studiilor arata ca pentru thin film dioxidul de cabon generat prin producerea lor se acopera in caa 1an iar pentru momocristalin si policristalin in caa 3-4 ani la latitudini in jur de 45 grade. Durata de functionare la cele cu siliciu masiv este de caa 30ani, pentru thin fillm producatorii specifica cam tot atit, dar nu sunt sigur, acele filmuri pot fi deteriorate de variatiile bruste si mari de temperatura si mai ales de patrunderea chiar si a unei cantiati infime de apa, e posibil ca o parte din aceste panouri sa se defecteze tragand umezeala. In general aceste panouri au o amprenta de dioxid de carbon de cel putin 10 ori mai mica decat energia produsa direct prin arderea unui combustibil. Descoperiri recente ar putea face ca aceste panouri sa aiba amprenta de dioxid de carbon negativa deoarece s-a descoperti un catalizator care premite sinteza electrochimica de etanol din dioxid de carbon si apa cu un randament rezonabil. Practic dioxidul de carbon ar putea fi recuperat din atmosfera. Acesta tehnologie fotovoltaica este utila deoarece disponibilitatea de energie solara este mult mai mare decat a altor forme. Incalzirea globala este efectul unei psihologii comerciale in sensul in care oamenii vand ceva, in spata petrol gaz si carbuni indiferent de consecintele pe care acestea le au asupra climei si suportului vietii. Daca cineva ar fi dispus sa dea bani pe ele, nu ca sa le arda, ar fi ok. Problema aici nu este cantitatea sau fluxul in sine, care este redus comparativ cu cel natural, ci deranjarea unor echililbre fragile, incalzirea creste degajarea de dioxid de carbon si metan si reduce captarea acestora, avand un efect de feedback, reactie pozitiva ce duce la instabilitate. Insa dupa mine, o metoda pragmatica de a extrage dioxidul de carbon din atmosfera este una genetica, ceva ce reproduce procesele care au avut loc in era carboniferului, organisme modificate genetic care fixeaza carbon in substante nebiodegradabile sau greu biodegradabile. Am putea porni chiar de la substanta cunoscuta, lignina a carei structura, sa o alteram in asa fel incat sa nu poata fi digerata enzimatic cel putin o perioada de timp pana ce se vor selecta si multiplica organisme care sa o poata face. Deoarece avem tehnici de amplificare genica putem multiplica rapid astfel de organisme. Selectia pe nise restrinse se face relativ rapid dar multiplicarea la scara mare ia timp. Deoarece contributia omului la turnoverul natural al carbonului este relativ redusa valoarea acestei tehnologii fotovoltaice nu sta in posibilitatea extragerii artificiale a dioxidului de carbon din atmosfera ci la reducerea generarii acestuia prin activitatile umane. https://www.quora.com/Whats-the-carbon-footprint-of-solar-panels-Do-they-need-more-energy-to-produce-than-what-they-would-produce-in-their-entire-life https://www.skepticalscience.com/human-co2-smaller-than-natural-emissions.htm
  13. Poate ca aveti indoieli despre bruiajul de pe modul comun iata o demonstratie desi rudimentara fara osciloscop, totusi arata cam ce este pe modul comun la iesirea invertorului. Configuratia de test: filtru de mod comun cu doua drosere duble si 3 condensatoare, modulatie bipolara simetrica doua spire cu un led pe droserul de mod comun. foto1 invertorul in functiune cu cablul atasat la iesire se observa ledul de mod comun aprins sunt peste 3v pe cele 2 spire droserul are 2x20 spire si sunt 2 in serie tensiunea pe modul comun este de peste 40 v. foto 2 invertorul in fuctiune fara cablu la iesire ledul este foarte putin aprins confirma ca bruiajul e pe modul comun. foto 3 invertorul oprit cu cablul atasat ledul este stins, sursa bruajului pe modul comun este invertorul, cel mai probabil sursa ridicatoare. De fapt acele drosere de mod comun se incalzesc putin cu cablu atasat si in gol, componenta de mod comun este destul de importanta chiar si pentru acest tip de modulatie simetrica bipolara.
  14. Unii useri de aici sau elforum mi-au recomanadat acum cativa ani sa nu folosesesc snubber pe puntea de IGBT sau sic mosfet din modulatorul sinus pwm. Cred ca si ei recunosc utilitatea snubbberelor. Eu am utilizat de la bun inceput snubbere dar , snubbrire usoara light snubbering si nu facea o diferenta notabila. Foloseam snubbere de genul 10 ohm cu 1nf pentru o punte la 300vdc si 20a. Anumite constatari m-au facut observ utilitatea snubberului, amume cresterea tensiunii de la 290vdc la 350 vdc se ardeau foarte repede mai ales fara snubber, daca foloseam sarcini reactive gen motoare cu perii sau variatoare cu triac. Utilizand o snubberire mai havy de genul 3,3nf cu 5ohm o mare parte din aceste probleme s-au rezolvat. Aceste invertoare mai au o particularitate in sensul ca sarcina este un cablu lung care este cuplat capacitiv cu pamintul si diverse alte surse de radiofrecventa. Asta are implicatii asupra topologiei snubberului, cel mai simplu snubber este un condensator in serie cu o rezistenta intre iesirile puntii, dar acesta nu decupleaza si modul comun, frecventa mare se inchide prin diodele din IGBT si le degradeaza performanta, in sesnul ca functioneza in regim de curent de recuperate inversa fapt care solicita si poate distruge igbt-urile. Snubberirea fiecarui igbt in parte presupune 4 condensatoare si 4 rezistente, este complicat de cablat, se poate face la fel de eficient cu doar doua condensatoare si doua rezistente intre iesirile puntii r-c-c-r iar mediana dintre condensatoare se pune la minusul sau la plusul tensiunii de alimentare continue.asigurand decuplarea modului comun.
×
×
  • Create New...

Important Information

We use cookies and related technologies to improve your experience on this website to give you personalized content and ads, and to analyze the traffic and audience of your website. Before continuing to browse www.tehnium-azi.ro, please agree to: Terms of Use.