Jump to content
cavit

Concluzii privind topologiile punte si semipunte

Recommended Posts

Fie ca este o sursa hard switch foreward fie una soft switch de genul rezonanta LLC, comutatoarele puntii necesita diode in antiparalel.

 Concluzia personala este ca dispozitivele care pretind 0 Qrr, gen GAN fet Emode HEMT, ori cascoda din sic jfet normal on si si mosfet ori GAN fet normal on si si mosfet, ori sic jfet normal on sau normal off care pretind ca  ofera conductie inversa nu pot opera fara diodele respective, cele mai folosite sunt diodele sic scottky deorece au 0 QRR.

 

Cu cascoda sic jfet si mosfet am avut experinte nefaste, in punti, sic jfet-ul pur si simplu a explodat, cu sic mosfet parametrii similari functioneaza ok. deasemena adaugand diode problema a fost remediata.

Cu gan fet am avut esperinta neplacuta pe o rezonanta LLC autooscilanta controlata cu amplificator, magnetic, nu au perfomat mai bine ca niste simple bipolare cu siliciu in paralel cu cate o dioda sic schottky sau chiar si cu o dioda FRED PIN cu Trr<20ns.

 

In concluzie desi promit conductie de curent invers, GAN fet-ul si cascodele cu sicjfet sau GAN fet nu performeaza conform asteptarilor, in viata reala.

Pentru aplicatiile din viata reala solutia cu dioda, ramine singura de incredere, optim fiind utilizarea unor diode sic scottky sau si schottky in functie de tensiunea la care este alimntata sursa respectiva.

 

Desi blamate pentru un Qrr destul de mare, sic mosfeturile ofera totusi o dioda inversa rezonabila.

 

Totusi dioda sic schottky performeaza mult mai bine, mai ales in aplicatii harsh switch care functineaza in condtii grele, cum ar fi puntile modulatoare sinus din invertoare.

Pentru aceste aplicatii este recomandata utilizarea unor diode SIC schottky in paralel cu sic mosfeturile.

In aceste conditii bipolarul cu SIC nu are nici un dezavantaj fata de alte dispozitive, dimpotriva este cel mai robust dintre ele suportand o temperatura de varf mare similara cu sic jfet-ul si este normal OFF..

Utilizarea unor diode sic schottky sau FRED cat mai rapide imbunatatesc semnificativ performanta, ex utilizarea unor diode FRED de 20ns in paralel cu BUL38 D care au o dioda de 300 ns, pentru acelasi circuit comportamentul se schimba drastic, de la supraincalzire si distrugere in cateva secunde pana la functionare aproape la rece in regim steady stade, Conditii identice( circuit si sarcina utila)

Ex sursa LLC autooscilanta cu BUL 38 d si diode STTA1206, 12v si 9v pentru retelistica in sarcina cu 15w fara radiatoare pe tranzistori TC 35 grade, Tamb 20 grade in sarcina cu 15w steady stade.

 

 

DSCN2679.JPG

Share this post


Link to post
Share on other sites

Un topic care vrea sa spuna multe dar nu spune... nimic. Observ un montaj electronic construit... in fuga, ma rog, nu asta e grav ci faptul ca explicatiile din topic nu vin insotite de o schema electronica. Ar fi trebuit si o schema. Nu mi se pare corect sa povestesti teorie la modul general in jurul unui montaj electronic doar de tine stiut (si de cativa useri mai cu experienta) fara a avea un inceput si un sfarsit in prezentare. Poate era mai bun un articol Tehnium Azi decat postarea asta daca totul ar fi fost construit corect. Asa cum e inceput topicul eu nu-i vad vreo utilitate pentru ca in primul rand un incepator nu are ce inteleaga (deci, cavit, topicul asta nu-l citesc doar doctori docenti!). Deci, un asemenea topic pare construit de niste oameni care se dau mareti vrand in primul rand sa se afirme ei fara sa invete pe nimic nimic si de fapt, asa cum spuneam, ca sa faca asta, posteaza un mesaj care nu spune mai nimic.

Sa ma corecteze cineva, un alt utilizator, daca gresesc! Poate nu vad eu bine.

Share this post


Link to post
Share on other sites

@cavit, va rog sa veniti cat de curand cu o postare actualizata mai sus pentru ca asa cum e topicul, care incepe cu concluzia dvs. personala, vorba utilizatorului @politehnica "nu spune nimic". Eu va inteleg dorinta de a aduce continut in forum si o respect, dar haideti daca tot vreti sa faceti asta, sa o faceti ca lumea. Mi-aduc aminte ca in trecut ati deschis cateva subiecte in sectiunea blog a site-ului (care nu mai este acum) tot asa de superficiale.

Cred ca a sosit timpul sa concepeti niste subiecte mult mai utile tuturor. Daca doriti sa detaliati putin subiectul mergand de la schema pe baza careia ati construit montajul electronic prezentat mai sus, va rog sa faceti asta intr-un articol. Pentru review articolul va trebui trimis pe adresa tehnium[punct]azi[arond]gmail[punct]com - am scris asa pentru a evita scanarea adresei de e-mail de eventuale soft-uri. Deci, dupa ce articolul il voi accepta, sunt doua situatii: va pot trece in grupul de utilizatori "Editors" ca dvs. sa atasati articolul in site sau pot face eu asta trecand ca autor pe dvs. (asta in cazul in care nu intentionati sa deveniti "Editori" de articole Tehnium Azi pe termen nelimitat). Haideti sa procedam asa si sa evitam pe viitor subiecte ca cel deschis aici, ce spuneti ?

Astept raspunsul dvs. in urmatoarele 24 de ore dupa care acest subiect il voi sterge. Multumesc de intelegere.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Posted (edited)

Postarea dorea sa faca o atentionare asupra a ce alegem pentru  semipunti si punti.

Pur empiric prin incercare am observat ca mosfeturile nu merg bine in punti mai ales cele la tensune mare datorita Qrr si Trr mari ale diodei structurale.

Sic mosfeturile merg mai bine ca mosfeturile cu siliciu deoarec au Qrr si Trr mai mici, dar au o problema, tensiunea foreward a diodei este mare, 4-6v asta creste pierderile in conductie si poate distruge driverele alimentate prin bootstrap, deoarece acesta tensiune se adauga la tensiunea de alimentare a driverului valabil pentru tranzistorul de sus.

De asemena merg si in push pul datorita tolerantei la dv/dt foarte mari de ordinul sutelor de volt /nanosecunda.

Igbt-urile cu dioda merg bine in punti dar nu merg in Pushpull datorita toleranatei reduse la dv/dt mari.

Bipolarele cu carbura de siliciu si dioda schottky cu carbura de siliciu merg bine si in punti si in push pull deoarece rezista la dv/dt mari.

 

Dispozitivele care pretind 0Qrr  gen gan fet normal off, sic jfet si cascode din sic jfet sau gan fet si si mosfet m-au dezamagit la punti, deoarece aplicarea impulsului de blocare degadeaza semnificativ capabilitatea canalului de a conduce curentul invers, astfel tensiunea inversa poate depasi limita si dispozitivul este distrus.

Pe de alta parte canalul acestor dispozitive are rezistenta dinamica mai mare ca a unei diode si nu poate actiona la fel de eficient pe post de clamp ca o dioda fie ea si schottky cu carbura de siliciu.

 Concluzie empirica folosita in practica: pentru dispozitivele pe baza de carbura de siliciu este nevoie de o dioda schottky cu carbura de siliciu fie ca sunt sic jfet sau cascoda, iar pentru sic mosfet este optionala deoarece acestea au o dioda P-N cu sic, dioda sic scottky imbunatateste comportamentul.

Pentru mosfeturile cu siliciu dioda structurala terbuie izolata cu o dioda schottky si inchis totul cu o dioda rapida, utilizez in mod curent modificarea.

 

 

 

 

DSCN2680.JPG

DSCN2682.JPG

Edited by cavit
add image

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now

  • Recently Browsing   0 members

    No registered users viewing this page.

×
×
  • Create New...

Important Information

We use cookies and related technologies to improve your experience on this website to give you personalized content and ads, and to analyze the traffic and audience of your website. Before continuing to browse www.tehnium-azi.ro, please agree to: Terms of Use.