Sari la conținut

Postări Recomandate

Buna ziua, si salutare tuturor electrionistilor de pe acest site! As avea o intrebare la dumneavoastra despre tranzistoarele mosfet.

 Daca ne uitam in datashetul acestor tranzistoare printre ceilalti parametri maximali ai acestora se afla si panta Du/Dt . Despre aceasta nu am reusit sa ma documentez foarte bine ce inseamna exact, si cat de important este acest parametru in practica proiectari surselor in comutatie cu tranzistoare mosfet pentru o fiabilitate cat mai mare ? 

   Va multumesc.

Partajează acest post


Link spre post
Distribuie pe alte site-uri

Viteza de creste a tensiunii pe iesire influenteaza deat-time (timpul mort) in timpul comutatiei si este cu atat mai importanta chestiunea asta cu cat frecventa de comutatie e mai mare. Actualmente in comert cam toate MOSFET-urile pentru comutatie merg foarte bine pana in 100kHz, de la 100 kHz in sus trebuie sa-ti faci griji si sa alegi nu numai timpi de crestere a tensiuni redusi dar si un Rds_on cat mai mic.

Partajează acest post


Link spre post
Distribuie pe alte site-uri
Acum 38 minute, prog a spus:

Viteza de creste a tensiunii pe iesire influenteaza deat-time (timpul mort) in timpul comutatiei si este cu atat mai importanta chestiunea asta cu cat frecventa de comutatie e mai mare. Actualmente in comert cam toate MOSFET-urile pentru comutatie merg foarte bine pana in 100kHz, de la 100 kHz in sus trebuie sa-ti faci griji si sa alegi nu numai timpi de crestere a tensiuni redusi dar si un Rds_on cat mai mic.

Ok, eu am inteles ca acest parametru Du/Dt este viteza cu care creste tensiunea sursa-drena a mosfet-ului in momentul in care acesta se blocheaza, si poate avea valori de ordinul miilor de volti pe microsecunda.

Eu am inteles ca in cazul tranzistorilor IGBT aceasta viteza mare de crestere a tensiuni poate provoca autoamorsarea (tranzistorul ramine deschis tot timpul si nu poate fi blocat de circuitul de comamnda) a tranzistorului IGBT,  ducand inplicit la distrugerea acestuia daca nu se iau masuri de limitare a acestei cresteri bruste de tensiune.

Eu as vrea sa stiu daca acest fenomen periculos poate sa apara si la tranzistoarele MOSFET?

Partajează acest post


Link spre post
Distribuie pe alte site-uri

Pai spuneam eu timpi de crestere redusi, asta inseamna dU/dt si da, poate avea valori de ordinul V sau kV pe secunda.

La 10.12.2018 la 5:09, covaci ioan a spus:

Eu as vrea sa stiu daca acest fenomen periculos poate sa apara si la tranzistoarele MOSFET?

Un raspuns exact nu cred ca se poate scrie, depinde de topologia SMPS. Problema aia cu IGBT-urile pe care o afirmi apare de regula la sursele in comutatie rezonante si daca ai ca driver SG3525 pot sa-i reglezi setup dead-time din SG, plus dioda antiparalel pe IGBT. Plus calcul corect tanc rezonant. Daca folosesti MOSFET cu dioda antiparalel inclusa, nu am auzit de fenomenul asta, deci s-ar putea ca la MOSFET-uri fenomenul sa nu fie asa periculos. :scratchchin:

Editat de prog

Partajează acest post


Link spre post
Distribuie pe alte site-uri

Mie mi-a dat de gandit aceasta dupa ce am ce mam uitat dathashetul circuitului de comanda PWM UC3844, la care in schema de baza se observa  pe langa obisnuitul snubber RCD din drena MOSFET-ului pentru reducerea supratensiunilor cauzate de inductanta de scapari, ca mai are si un grup RCD montat intre sursa si drena despre care am aflat ca ar avea rolul de a reduce panta du/dt. Dupa aceeia eu am tot cautat pe internet detalii despre  efectul sau asupra tranzistorilor MOSFET, si am gasit pe un site un documentar pe care l-am atasat mai jos despre impactul du/dt asupra MOSFET-urilor, (pentru mine e mai greu sa inteleg in detaliu explicatia in limba engleza)

  De aceeia am vrut sa stiu de la ce cei care au experienta (eu sunt la inceput in acest domeniu) daca in proiectarea si realizarea practica surselor SMPS daca au fost cazuri cand au trebuit sa tina cont si sa rezolve si aceasta problema.

 Va multumesc.

application_note_en_20180726.pdf

Partajează acest post


Link spre post
Distribuie pe alte site-uri

Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu

Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.

Creează un cont

Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!

Înregistrează un nou cont

Autentificare

Ai deja un cont? Autentifică-te aici.

Autentifică-te acum

  • Navigare recentă   0 membri

    Nici un utilizator înregistrat nu vede această pagină.

×

Informații Importante

Folosim cookie-uri și tehnologii asemănătoare pentru a-ți îmbunătăți experiența pe acest website, pentru a-ți oferi conținut și reclame personalizate și pentru a analiza traficul și audiența website-ului. Înainte de a continua navigarea pe www.tehnium-azi.ro te rugăm să fii de acord cu: Termeni de Utilizare.