Comutator cu amplificator operational

[remus68]

Ceri prea multe raspunsuri fara sa oferi informatiile complet... Alimentarea e facuta asa cum arati in topicul asta? http://www.tehnium-azi.ro/topic/6777-transformator-in-carcasa/

[Mihai3]

De data aceasta am eliminat sursa de alimentare din topicul respectiv si am folosit o sursa separata, cu LM317 si tranzistoare PNP de 3A. Am folosit aceasta sursa doar pt teste. 

In versiunea finala voi folosi o sursa in comutatie de 12V/2A.

Daca folosesc in locul rezistentei de 27R/5W un bec cu halogen de 12V/20W, atunci forma de unda de pe consumator (cea din postarea #15) dispare.

Editat Aprilie 22, 2018 de Mihai3

[remus68]

Alimenteaza montajul de la un acumulator auto si posteaza oscilograma in acest caz.

[Mihai3]

Nu am acumulator auto. Si nici nu am de unde sa obtin unul.

Vreau sa folosesc circuitul ca sa imi aprinda noaptea niste led-uri pe terasa.

 

Exista alta metoda de testare ?

Daca montajul ramane asa cum este se poate intampla ceva cu el ? De exemplu sa se strice ?

Inca nu am cunostiintele necesare ca sa imi dau seama ce se poate intampla daca apare forma aceea de unda pe sarcina...

 

PS: se poate ca rezistenta de 27R/5W (bobinata) sa actioneze ca o antena si sa "preia" frecventa retelei, avand in vedere ca in jurul montajului, la aproximativ 30cm se alfa cablurile de 230V ?

Editat Aprilie 24, 2018 de Mihai3

[Mihai3]

Rezistenta de 100 de ohmi conectata intre iesirea AO si poarta tranzistorului are o valoare suficienta, sau ar trebui sa aiba o valoarea mai mare astfel incat sa limiteze curentul care intra in poarta mosfet-ului (inrush current) atunci cand acesta se deschide ?

LM358 are protectie la suprasarcina ? 

night_activated_switch.pdf

Editat Aprilie 26, 2018 de Mihai3

[remus68]

Pentru a te ajuta sa raspunzi la aceasta intrebare, te rog sa inseriezi un miliampermetru in serie cu rezistenta respectiva, apoi posteaza valoarea masurata in timpul cat tranzistorul este in stare de conductie.

 

http://www.iscee.ugal.ro/MOSFET.pdf

[Mihai3]

Valoarea masurata (pe scala de 2mA CC) este de 0mA.

Eu m-am referit la curentul care este absorbit in momentul in care tranzistorul intra in conductie, curent consumat datorita capacitatii portii.

Nu stiu daca am spus bine sau daca am reusit sa ma fac inteles.

Am citit documentul dar nu imi dau seama cat curent va absorbi poarta in momentul in care tensiunea de pe poarta ajunge la tensiunea de deschidere a mosfet-ului.

Editat Aprilie 26, 2018 de Mihai3

[gsabac]

Curentul tranzitoriu de poarta este ceva prea complicat pentru dvs. si raspunsurile

  la intrebarile puse se afla explicit in documentatiile circuitului si tranzistorului.

In legatura cu schema, care este incompleta probabil, se observa ca LED_load se topeste instantaneu

 si daca nu el, se poate strica si tranzistorul.

 

@gsabac

[Mihai3]

Eu am vrut sa invat ceva nou...

LED_load nu se topeste si nici tranzistorul, pentru ca pe PCB se va afla doar un conector, care este desenat pe schema si in acest conector se vor introduce cateva led-uri cu rezistente de limitare. Acest lucru nu l-am specificat, din neatentie probabil.

Editat Aprilie 26, 2018 de Mihai3

[gsabac]

Am vazut ca ati citit si stiti de existenta curentilor de poarta in regimul tranzitoriu, dar cuvintele englezesti au corespontenta

 si in limba romana.

Curentul de scurtcircuit al circuitului:  VCC la 5 V, VO = 0, GND la ?5 V 25?C ?40 ?60 mA

Curentul prin rezistenta serie cu poarta permite. De ex: 12(V) / 120(ohmi)= 100mA.

Se poate afirma ca virful de curent este dat combinatia celor doua limitari si este mai mic de +/- 60mA.

In aplicatii de comutatie la convertoare, acest curent de virf poate depasi usor 1A si rezistenta serie cu poarta poate fi chiar de 10 ohmi, 

 dar ea se inseriaza cu rezistenta intrinseca a portii, care poate fi de zeci de ohmi.

 

@gsabac

[remus68]

@Mihai3, citeste in pag.217 si 220 despre curentul de poarta al unui MOSFET.

http://old.unibuc.ro/prof/dinca_m/miha-p-dinc-elec-manu-stud/docs/2011/sep/22_12_32_50cap_7_v3.pdf

[Mihai3]

In articolul recomandat de @remus68 se mentioneaza ca valoarea curentului de poarta este zero.

1. Am inteles corect ?

2. Daca am inteles corect, se poate folosi in locul lui R4 (100 ohmi) conexiune directa ?

Editat Aprilie 27, 2018 de Mihai3

[gsabac]

@remus68 v-a aratat corect, ca la o masuratoare cu un multimetru, acesta va indica valoarea zero,

  dar nu chiar zero, sunt citeva zeci de nA sau chiar uA, ca in documentatia MOSFET-ului.

Vad ca aveti unele probleme de intelegere a fenomenului tranzitoriu in poarta (gate) si poate

 veti intelege mai bine dupa graficele urmatoare. Click pentru marire.

  

Valoarea curentului de virf este aceea care intereseaza in cazul comutatiei unui transistor MOS si in special

 ca fronturile sa fie cit mai rapide si ca acest curent la frevente mari, zeci de KHz sau chiar MHz, sa nu supraincalzeasca jonctiunile.

Se observa ca acest curent scade spre zero dupa incarcarea sau descarcarea condensatorului Cgs.

 

In cazul dvs. la +/- 60 mA generat de integrat si impulsuri foarte rare, puteti cupla direct circuitul la MOS asa cum ati intrebat,

  dar foarte bine se poate utiliza si o rezistenta de 100kohmi sau mai mare.

 

 

@gsabac

Editat Aprilie 27, 2018 de gsabac

[Mihai3]

Multumesc pentru raspuns.

Am adaugat niste rezistente in serie cu semireglabilul de 10k si in serie cu fotorezistenta, pentru a limita curentul in situatia in care fotorezistenta este iluminata puternic (deci are rezistenta mica) si cand in acelasi timp semireglabilul este reglat la o valoare mica. Nu stiu daca acest lucru se va intampla, dar totusi am pus rezistentele acelea acolo pentru orice eventualitate.

Am modificat valoarea lui R4 la 1.5K, pentru a limita curentul care intra in poarta mosfetului. 

Am mai adaugat si o dioda 1N4007 in antiparalel cu sarcina, pentru situatia in care se folosesc sarcini inductive.

 

Atasez schema. Va rog sa va uitati si sa imi spuneti daca schema e OK.

night_activated_switch.pdf

Editat Aprilie 27, 2018 de Mihai3

[Mihai3]

Am imbunatatit putin circuitul astfel (cu putin ajutor):

1. Am adaugat o rezistenta de 330 R in serie cu semireglabilul de 10k si una tot de 330 R in serie cu fotorezistenta pentru a limita curentul atunci cand semireglabilul si fotorezistenta au valori mici. Nu stiu daca acest lucru se va intampla sau nu in realitate, dar macar am aplicat o solutie pentru a limita curentul.

2. Am folosit al doilea AO ca si repetor (U1B).

3. Am adaugat un led la iesirea primului AO (U1A), la conectorul J6, cu K spre masa.

4. Am adaugat o dioda (D1) care protejeaza mosfet-ul atunci cand se alimenteaza (daca se alimenteaza) sarcini inductive.

5. Am adaugat doua condensatoare de 10nF (C1 si C2).

 

Acest proiect as vrea sa fie unul public, in prezent am lucrat la layout.

Atasez schema si layout-ul. 

Astept comentariile dvs (pozitive sau negative).

Nu vreau sa fiu luat la 11 metri de nu stiu care utilizator care isi imagineaza ca ar trebui sa fac totul perfectl. Eu sunt un incepator si scopul acestui proiect este sa invat.

Editat Mai 1, 2018 de Mihai3