Jump to content
Dudikoff

Protectii pentru amplificator

Recommended Posts

Vedeti postarea mea #62, v-am dat raspunsul, ne-am suprapus la postari. Il reiau.

 

@Nell65, buna intrebare. Raspunsul la ea il dau numai dupa ce desenati o schema completa cu generatorul,

comanda si rezistenta de sarcina.

Va trebui sa studiez si sa muncesc ceva timp si vreau pe un caz postat, ca baza de discutii constructive.

Asa o sa va angrenati mai bine in topic.

Am vazut realizarile Dvs. si va felicit pentru ele. Poate le reinviati si aici pentru discutii pe forum.

 

@gsabac

Share this post


Link to post
Share on other sites

@Marian78, va apreciez foate mult. Sunteti un membru marcant.

Eu niciodata nu am ignorant nici o postare in legatura cu mine si am replicat corect si tehnic intotdeauna.

Am folosit scheme clare, complete cu explicatiile pe care le-am stiut si eu, ca nu sunt "Mafaldea".

Am insistat, poate prea mult, pentru acea schema, pentru a implica cit mai multi useri in dezbateri

  si pentru ca impreuna sa alegem cea mai buna solutie. Nu eu aveam nevoie de asa ceva,

ci intregul forum Tehnium-Azi, pe mine oarecum m-ati ofensat.

Cred ca nu am gresit cu nimic si putem realiza in continuare, impreuna, ce a prefigurat @Dudikoff.

@donpetru, datorita faptului ca U11=0,735mV cu S4-OFF, rezulta un curent de sub miliamper si o putere extrem de mica.

Este normal sa fie acele tensiuni in sursele comune, asa functioneaza comutatorul, dar este numai tensiune fara curent.

@gsabac

Share this post


Link to post
Share on other sites

Eu vreau sa stiu doar daca aplicand o tensiune de +12V in emitorul pnp-ului ,cei doi mosi se deschid astfel incat sa permita trecerea unui curent alternativ,in speta un semnal audio ,printr-un difuzor inseriat cu cei doi mosi,amplitudinea semnalului fiind de 40-50Vrms,cum e un amplificator de putere medie -mare.Daca e ok ,mergem mai departe

Edited by nel65

Share this post


Link to post
Share on other sites

Da nelu, m-am uitat atent, e functional.

 

Si varianta de pe simularea lui donpetru ar functiona daca dispare rezistorul de sarcina din colector pnp - masa, prezenta lui face imposibila blocarea corecta a mos (de unde si puterea disipata inexplicabil pe comutatorul mos la off)

  • Like 1

Share this post


Link to post
Share on other sites

@Nell65, schema D este similara cu aceea postata de @Dudikoff, dar comutarea este inversa, merge bine.

Schema B , nu functioneaza nici cu generatorul pe minus, nici pe plus, se vede in diagramele de mai jos.

post-24607-0-47748000-1469823748_thumb.jpg

Schema A, functioneaza defectuos si autooscileaza.

post-24607-0-05917100-1469823773_thumb.jpg

 

Schema C, functioneaza defectuos si autooscileaza.

post-24607-0-95333100-1469823806_thumb.jpg

 

Cred ca am desenat schemele asa cum trebuie si cum v-ati gindit.

 

@gsabac

Edited by gsabac

Share this post


Link to post
Share on other sites

multumesc mult

Share this post


Link to post
Share on other sites

Vedeti si raspunsul de mai sus, #73.

@Nell65, sunteti un creator de circuite noi. Daca comanda este facuta asa cum a postat @smilex, la ambii tranzistori MOSFET,

  deci transformatori cu 2 secundare, dupa caz, sunt functionale toate variantele fara transistor PNP.

 

@gsabac

Edited by gsabac

Share this post


Link to post
Share on other sites

... sunteti un creator de circuite noi.

As vrea eu ,dar nu sunt ,doar pun in practica .Circuitele alea sunt de pe net,nu mai stiu  pe unde le-am gasit.Doar le-am mai adaptat putin la partea cu zenere

Share this post


Link to post
Share on other sites

Si varianta de pe simularea lui donpetru ar functiona daca dispare rezistorul de sarcina din colector pnp - masa, prezenta lui face imposibila blocarea corecta a mos (de unde si puterea disipata inexplicabil pe comutatorul mos la off)

 

@smilex, cred ca ati vrut sa va referiti mai exact la conexiunea realizata intre colectorul tranzistorului PNP si -V (adica legatura cu -70Vdc a rezistoarelor R8 si R16 - fiecare de 33k - din pdf-urile postate de mine anterior), nu legatura lor la masa. Daca e asa, atunci ati ghicit si cu aceasta ocazie ati vazut ca nu e nevoie de transformator de separare (asta a fost si motivul pentru care am cerut sa ne axam pe o solutie mai simpla, pentru ca exista). Deci, cu alte cuvinte am gasit intr-un mod destul de elegant sa blocam acele MOSFET-uri atunci cand sunt alimentate in c.a.

Cu acest prilej, am refacut PDF-urile postate anterior cu aceasta solutie iar rezultatele simulari cand S2 si S4 sunt OFF, respectiv ON, sunt redate in fisierele de mai jos:

 

test 2 SSR circuit AC si DC - S2 & S4 -OFF.pdf

test 2 SSR circuit AC si DC - S2 & S4 -ON.pdf

 

Precizez faptul ca puterea disipata pe MOSFET-uri cand acestea sunt blocate nu mai este 17W ca in cazul anterior, ci este aproape 0 W.

 

Un singur aspect ar mai trebui analizat: regimul tranzistoriu din ON in OFF si viceversa. Am observat ca utilizatorul @gsabac a incercat ceva in aceasta privinta dar as dori sa aprofundam mai mult acest aspect si ca drept urmare o sa incerc, folosind simularea completa cu GX400, sa vedem ce fenomene apar sau daca apar!

 

Totusi, pe langa aspectul de mai sus intentionez sa perfectionez putin c-da daca vor fi probleme deosebite in regim tranzistoriu. Dar asta voi vedea pe parcurs.

 

EDITARE ULTERIOARA: Am incercat sa maresc tensiunea pe difuzor de la 30Vrms la 40Vrms, iar in acest caz apare un curent de aprox.0,7A prin difuzor cand MOSFET-urile sunt blocate. In fine, cred ca doar un test practic ar sublinia sau elimina acest comportament din simulare, care este..., incorect.

 

EDITARE ULTERIOARA 2: Studiez si posibilitatea folosirii unui optocuplor pe comanda pentru eliminarea comportamentului de functionare constatat la editarea ulterioara 1.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Asta e un lucru pe care doream sa-l lamuresc in privat, dar din motive probabil justificate, gsabac nu doreste sa fie contactat telefonic. Pozele ii apartin, asta este din simulare:

post-1355-0-99491200-1469929903_thumb.jpg

Dupa cum se vede pe desen, comanda este aplicata intre porti si una din drene. Am spus ca aceasta este o greseala de principiu, de perceptie. Un comutator mos nu se comanda asa. In postul 45 am explicat de ce. In postul 46 donpetru a venit sa confirme faptul ca acel comutator nu desface contactele (ca sa zic asa) disipand o putere de 17W in postura asta. ?Postarile pe care doriti sa le recitesc sunt "goale" de continut tehnic.? Asta a fost parte din raspuns. Legarea corecta am sugerat-o atunci, si ar fi fost asta:

post-1355-0-88591100-1469929915_thumb.jpg

Comanda se face intre surse si porti, nu intre dreana si porti (apropo, nu sunt grile, grile au lampile, mos-urile au poarta).

Practic, greseala de perceptie a condus la aceasta solutie:

post-1355-0-64178800-1469929931_thumb.jpg

Evident eronata. Nu blocheaza mos.

Iar eu sugeram asta:

post-1355-0-59841400-1469929938_thumb.jpg

Adica componente mai putine de fapt. Deci practic, nu e mare chichita ca diferenta, mie insa mi s-a parut mult mai importanta perceptia gresita. De asta am intervenit. Cu precizarea ca apreciez postarile d-lui gsabac, atatea cate am vazut. Cu mentiunea ca dioda D2 este absolut inutila.

Cand am propus solutia cu IR2153, din superficialitatea-mi caracteristica, mi-a scapat faptul ca acel comutator era plasat spre masa, am crezut ca e la iesirea amplificatorului.

Solutia adoptata de donpetru este functionala, dar comanda se raporteaza la ramura pozitiva, pote fi neconvenabil in special (dar nu mumai) la regimul tranzitoriu de cuplare si decuplare a alimentarii.

Solutia cu drene comune pe care o doreste nel65 are comanda raportata la masa, parca e mai ok asa.

Solutia cu IR2153 (sau alt tip) are toate avantajele unui releu electromagnetic, izolarea galvanica permite plasarea contactelor oriunde, chiar si la iesirea amplificatorului, lasand traseul de masa conectat la difuzor.

Nu e un secret, solutia cu ir am postat-o acum 2 ani, cu precizarea ca poate fi folosita in multe situatii: http://www.tehnium-azi.ro/topic/5578-sursa-stabilizata-cu-ir2153/page-2?do=findComment&comment=56340

 

@donpetru   Varful sinusoidei nu trebuie (practic nici nu poate) sa depaseasca tensiunea din emitorul pnp. Nu vad alta cauza pentru rezultatele cu 40Vrms (varf 56). Sau poate mos nu tine la tensiunea asta. Un mos mai bun poate fi irlsl4030 sau irfp4110 (tht, smd). Puterea disipata pe mos blocati trebuie sa fie de ordinul mW sau zeci mW.

Edited by smilex
  • Like 1

Share this post


Link to post
Share on other sites

Salut revenirea cu o postare adevarata, de opozitie, constructiva si la tema topicului, a lui @smilex.

Daca doriti un inceput de discutii private pe tema subiectului sau orice tema, astept un mesaj personal.

Este bine ca uneori se mai face apel la valentele de editorialist.

Si editorii de pe forum sunt activi si este de apreciat.

Faceti apel repetat, nedemn, la denumirea ?grila? in loc de termenul corect poarta.

Fac aceasta greseala instinctiv, deoarece lucrez zilnic cu tuburi cu vid.

Si in lucrari stiintifice sunt termeni ce pot produce confuzii, de exemplu se afirma:componente SMT,

  in loc de SMD si toti cei care citesc inteleg despre ce este vorba, si nu ?bat? apropouri.

Apropo, mos-urile au porti, nu este corect, ?mos-urile au poarta?.

Si eu pot sa ofensez pe oricine, dar nu este productiv si imi cer scuze !

Termenii tehnici trebuiesc bine definiti si numiti, de aceea eu nu scriu prescurtari si abrevieri

  decit cu explicatii intii in limba romana, la fiecare postare, chiar daca se subinteleg.

 

Revin la tema topicului si afirm ca ati facut o analiza atenta a schemei si a fenomenelor

 electrice care stau la baza functionarii. Primul care a sesizat faptul ca este posibil ca dioda

 din MOSFET sa intre in conductie a fost @Marian.

@smilex a analizat si postat ca tensiunea de comanda se aplica intre poarta si drena dupa o analiza

 descriptiva a schemelor.

Eu si @donpetru suntem singurii care au facut eforturi pentru lamurirea pe deplin a functionarii

 acestei scheme propuse de @Dudikoff.

Postez in continuare un detaliu pe care nu l-am facut cunoscut pina acum. Evolutia dinamica

 a tensiunilor de drena, poarta si sursa.

post-24607-0-38866000-1469948939_thumb.jpg

Pentru toti cei interesati se remarca o tensiune de drena, de culoare rosie, la potential zero,

 tensiunea de sursa este desenata cu albastru si cea de poarta cu verde. Tensiunea de poarta si de sursa

 sunt intr-o cursa de urmarire si cistiga poarta care are o tensiune mai negativa.

Rezulta zona de functionare in cadranul unu, cu canalul blocat.

Tensiunea poarta-sursa este negativa de circa 1V.

 

In legatura cu simularea unui sistem integral, completat cu protectia prezentata in topic,

 am sintetizat un circuit echivalent pentru conexiunea boxelor de difuzoare la amplificator.

Modelele folosite sunt de la liniile de transmisie si datele despre anumite tipuri de difuzoare.

post-24607-0-40672300-1469948999_thumb.jpg

Modelul este facut pentru o conexiune cu panglica  bifilara de 10m cu diametrul efectiv de

 1 mm patrat, material cupru, aproape de pamint.

 

Toate cele bune !

 

@gsabac

 

Edited by gsabac

Share this post


Link to post
Share on other sites

Faza cu opozitia e foarte subiectiva, De exemplu, din punctul meu de vedere, nu eu am facut opozitie. S-ar putea crede chiar ca postez pentru audienta?

Faza cu revenirea e incorecta. Am mai postat, nu atat de des, dar poate ca topicul asta e exceptia de la regula.

Chestia cu editatul si obisnuinta cu lampile ma depaseste, am inteles ca porti si nu poarta (in exprimarea mea), probabil celelalte sunt citate de undeva?

Cred ca cele mai ofensatoare raspunsuri, tot la adresa mea au fost. Eu n-am intentionat.

Pot sa mai fac o incurajare: sunt convertoare dc/dc 12V/12V la cca. 15 lei care alaturi de doua mos bune (tot cam 15 lei) pot simplifica mult comanda mult mai corecta (zic eu) cu izolare galvanica. Sunt si 24/12 sau alte tensiuni intrare. Recomand in cazul asta rezistenta 1k-2k2(max) porti-surse. Am cateva pe care nu le-am folosit pentru ca au randament foarte prost la sarcini mici, consuma 30-40mA in gol. Asta poate sa convina sau nu. Cele de 1W sunt cam cat un condensator mai mic, cea mai mare dimensiune e la vreo 10mm, dar exista si smd, la farnell am vazut si sub forma unor integrate dip14, etc.

Share this post


Link to post
Share on other sites

In afara de conductia bidirectionala a canalului utila in aceasta aplicatie sunt si alte proprietati inedite

 ale tranzistorilor cu efect de cimp cu poarta izolata, care se pot utiliza in diverse aplicatii.

La inversarea sursei cu drena se remarca o simetrie de inversare a comenzilor.

Tensiunea de comanda se aplica intre poarta si drena iar sursa este pe post de drena.

Un articol original publicat in: : IEEE Transactions on Electron Devices  (Volume:53 ,  Issue: 9 )

  trateaza simetria tranzistorului MOSFET.

?Lucrarea prezint? teste in curent continuu si alternativ care verifica daca un  model de MOSFET este simetric

   in raport cu o inversare sursa-drena?,

 

Concluziile articolului sunt: drena si sursa MOSFET-ului sunt simetrice si putem inversa oricind drena cu sursa in mod teoretic.

Cu toate acestea, in practica, trucurile folosite de fabrican?ii de MOSFET-uri pentru a-i imbunatati performantele,

  in general nu permit inversarea drenei cu sursa. Mentionez dioda interna rezultata din procesul tehnologic precum

  si faptul ca zona drenei are o rezistenta  termica mai redusa, deci se raceste mai bine.

 

post-24607-0-93304300-1469971061_thumb.png

In poza se remarca constructia si modulatia canalului de conductie de catre tensiunea de poarta.

 

Am atasat articolul prezentat in IEEE, pentru conformitate, in format PDF,

 2006TED MOS Symmetry.pdf

 

Succes !

2006TED MOS Symmetry.pdf

Edited by gsabac

Share this post


Link to post
Share on other sites

@donpetru   Varful sinusoidei nu trebuie (practic nici nu poate) sa depaseasca tensiunea din emitorul pnp. Nu vad alta cauza pentru rezultatele cu 40Vrms (varf 56). Sau poate mos nu tine la tensiunea asta. Un mos mai bun poate fi irlsl4030 sau irfp4110 (tht, smd). Puterea disipata pe mos blocati trebuie sa fie de ordinul mW sau zeci mW.

 

Total de acord. Totusi, as fi vrut sa validez practic aspectul asta si daca va fi asa (ceea ce teoretic deja este), adica daca circuitul ar functiona corect asa cum este acum fara acel rezistor de 33k conectat la -V.

 

Am observat ca s-a facut referire in topic la schimbarea topologiei de conectare a MOSFET-urilor. Pentru a clarifica acest aspect am repetat testele efectuate anterior (in c.c. si c.a.) si pe topologia recomandata de utilizatorul @nel65 (drena comuna) in una din postarile acestui topic (rezultatele sunt atasate mai jos, atat pentru 30V pe intrare, c.a. si c.a., cat si pentru 40V):

 

test 3 SSR 30V circuit AC si DC - S2 & S4 -OFF.pdf

test 3 SSR 30V circuit AC si DC - S2 & S4 -ON.pdf

test 3 SSR 40V circuit AC si DC - S2 & S4 -OFF.pdf

test 3 SSR 40V circuit AC si DC - S2 & S4 -ON.pdf

 

Se observa acelasi comportament de functionare in cazul S2 & S4 = OFF din PDF-urile precedente, pentru 30Vrms, respectiv 40Vrms, ceea ce denota faptul ca, comparativ cu "solutia sursa comuna", ca avem nevoie de limitarea tensiuni de alimentare a comutatorului la 0,707*V, unde V reprezinta tensiunea de alimentare (in cazul unei tensiuni simetrice de +/-70Vcc, V fiind 70Vcc).

 

Aceste fiind constatate in simulare, sa fie nevoie musai de o separare galvanica ? Daca da, o sa incerc intr-o prima solutie o versiune cu optocuplor inainte sa ajungem la transformator de separare, transformator care este destul de evitat de constructori amatori de montaje electronice.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Nu cred ca e musai o separare galvanica daca releul electronic ramane localizat pe traseul de masa al difuzorului (si daca asta e convenabil), dar cred ca e nevoie de niste mos de 100v. Si cred ca cele doua variante cu drene si surse comune au cam aceleasi performante si sunt functionale.

 

Nu cred ca opto se poate aplica convenabil, ar avea nevoie de alimentare separata galvanic, in care caz se poate aplica direct acea alimentare pentru a deschide mos cu sursa comuna. Cum spuneam, varianta cu dc/dc converter este foarte lejera. http://www.tme.eu/ro/details/qdc1s-1212s/convertoare-dcdc/qlt-power/Un astfel de convertor, o rezistenta de cca.1k si doua mos. E simplu: alimentezi convertorul - mos-urile se deschid, opresti alimentarea - mos-urile se blocheaza.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now

  • Recently Browsing   0 members

    No registered users viewing this page.

×
×
  • Create New...

Important Information

We use cookies and related technologies to improve your experience on this website to give you personalized content and ads, and to analyze the traffic and audience of your website. Before continuing to browse www.tehnium-azi.ro, please agree to: Terms of Use.