Jump to content

Recommended Posts

 Am cautat cat decat pe net despre aceste dispozitive, dar nu am gasit mare lucru despre structura lor interna, Z fet e un trade mark al celor de la CREE.

 Am folosit si folosesc astfel de dispozitive si sunt mai multumit de ele ca de mosfeturile cu siliciu sau IGBT.

  Cel putin la partea cu comanda sunt mult mai usor de folosit.

AU capacitati de intrare si de transfer invers mult mai reduse si nu solicita driverele si nici nu distorsiuneaza semnalul de comanda prea mult, in plus au transconductante mai reduse si nu generaza dI/dt asa de brutale ca cele cu siliciu.

 

 Am constatat ca de exemplu cele MD mash dela ST desi au in catalog caracteristici impresionante nu prea pot fi comandate cu succes cu drivere de genul ir2110 sa ir2113 sau hcpl3120 sau acpl w346 care au 2-3 a curent de vart, reactia interna duce la distorsionarea semnalului de comanda si se ard aproape instantaneu, mai ales in topologii punte semipunte unde se calca.

 In push pull am reusut sa le fac sa functioneze cu succes cu driveri de 2 a de genul ZTX-urilor sau 2sc 2655/2sa1020.

 

  In schimb cele cu carbura merg bine in orice topologie cu driverii astia ieftini.

 

Am o nedumerire legat de structura lor, de exemplu la c2m0080120d dioda stucturala are tensiune de deschidere a 2 jonctiuni cu carbura inseriate cel mai probabil de aici vine denumirea de c2mXXXXX, la c3m0065090 sunt 3 jonctiuni cu carbura inseriate, probabil de aici denumirea de C3MXXXXXX.

  mai ales la c3m e o cadere mare de tensiune pe aceasta dioda, ma intreb daca nu ajuta conectarea in paralel a unei diode schottky cu carbura, am si luat deja aceste diode si urmeaza sa le instalez, experienta mea spune ca e un lucru bun, as dori si alte pareri.

 

 Momentan am in functiune un invertor cu EGS002 cu 4 c3m0065090d, se comporta mult mai bine ca IGBT urile nu solicita sa tare driverii nu am mai avut probleme, scoate la varf 2,5 kw si continuu 1,5 kw.

 Nu stiu cum se comporta la scurt dar nici nu vreau sa incerc mai ales fara diode in paralel cu tranzistorii, desi protectia era functionala cu IGBT doar le-am inlocuit.

 

 Am avut o sursa de incarcat acumulatori semipunte cu 2 c2m0080120d si 2 diode schottky cu carbura de siliciu care mergea foarte bine scotea 2 kw la 300vdc alimentare, dar s-a ars ca urmare a unui scurt la iesire, practic am setat protectia prea sus si nu a  decuplat, s-a ars.

 

 S-au ars intru-n mod ciudat, nu s-au pus in scurt, dioda sursa drena a ramas intacta, doar poarta s-a pus in scurt la sursa, asta e bine ca nu se pun in scurt si nu ard si alceva.

 Felul in care s-au ars ma face sa cred ca curentul invers care a trecut prin aceasta dioda cu cadere mare de tensiune a dus la arderea lor , presupun prin fortarea portii al o tensiune negativa mai mare decat limita de strapungere.

 

 Banuiesc ca daca aveau in paralel diode scapau.

 cat despre blocare cu tensiune negativa nu am folosit-o, desi am prevazut surse duble pentru alimentarea driverilor, spunea pe undeva prin documentatie ca daca blocare este prea rapida pot apare ringinguri periculoase o solutie este o rezistenta in poarta pe blocare ceva mai mare sau fara negativare, am folosit drivere rail to rail, am fost multumit de blocare, nu am avut nici o problema in acest sens.

  In concluzie cu mosfet cu carbura de siliciu am reusit sa fac functionale toate topologiile cu driveri fara pretentii, dar am ceva nelamuriri legate de structura lor si de oportunitatea instalarii in paralel a unei diode schottky cu carbura de siliciu pentru freeweeling.

 

 Cu mosfeturile cu siliciu de curent mare nu am reusit sa fac functionale topologiile punte sau semipunte astfel o punte care functiona bine cu irfp260 nu a functionat cu irfp4668 in schimb merge foarte bine un invertor buck, desi au timpi de comutare apropiati si dioda putin mai rapida, banuiesc ca curentii mari de reactie nenoroceau comanda.

 

 La fel o punte care functiona cu stw20n50z nu a mers cu stw69n65m5 in schimb functiona si cu IGBT stgw39nc60vd si cu c3m0065090d

 In scimb stw69n65m5 merg foarte bine in configuratie push pull la 200v la aceesi frecventa de 80 khz

 Mentionez ca frecventa de functinare a fost in toate cazurile 70 100 khz.

 

Mosfeturile mdmash sunt chiar mai scumpe decat cele cu carbura de siliciu la aceeasi rDS on si sunt si ciudate.

 

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

 Nu am gasit nimic despre structura sic  zfet mosfet, sunt pe YOUTube  prezentari  dar nimic despr structura interna.

 cei de la ST se laudau ca au scus un model la 200 grade si cu Rds on mai stabil cu temperatura dar se laudau cam de mult nu am gasit respesctivul dispozitiv la nici un distribuitor desi am incaerca intiala sa il iau pe acesta.

 

 Am luat de la CREE  desi am nelamuriri in continuare le folosesc pe acestea, pe modulatorul sinusoidal sunt mai bune ca IGBT.

 

 cu IGBT sau mosfet cu siliciu la 600v intimpinam probleme serioase daca incercam sa ridic bara de alimentare peste 320v astfel eram limiatat la iesire la 210v ac, cu c3m0065090d la 900v nu am avut nici o problema cu bara la 400v in plus am am mai castigat 1v deorece sunt dispozitive cu purtatori majoritari si nu au genunchele de 1,5v in caracteristica precum IGBT urile.

 

 De asemenea grupurille de sic mosfet de genul c2m0040120d si dioda schottky cu carbura de siliciu c4d20120sunt potrivite pentru realizarea invertoarelor buck sau boost pentru chargere si regulatoare.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Poate te ajuta cu ceva:

post-1355-0-88161700-1453918480_thumb.gif

Am folosit acest tip de driver, in aceasta configuratie, la sic-mos. TC4432 admite 30V alimentare, deci poate asigura +20/-5V recomandat de producator. -5V la off este recomandat mai ales daca dioda interna este pusa in functie la off.

Din teste pe TC4432, am avut deschidere la 1,7-1,8V (25grC si -25grC in congelator) pentru 1 logic la intrare si ca atare am conceput astfel driverul pentru a nu putea livra impuls pozitiv la iesire pana cand nu este asigurata macar o tensiune pozitiva in sursa de +4V, adica respectiv o negativa in poarta de -4V la off. De asemenea, divizorul ales (3k9+680+470) face ca impulsul pozitiv de la iesire sa nu existe decat daca exista un minim de 19V (aprox), deci macar un 14-15V pozitiv asigurati pentru deschidere corecta. Per ansamblu, solutia nu ofera impuls de deschidere pentru sic-mos decat daca sunt asigurate tensiunile suficiente pentru deschiderea si blocarea corecta.

Condul de 22p este pentru a filtra eventualul spike generat de capacitatea parazita dintre bobinajele trafo driver, capacitate evitata si prin stilul de bobinare, cu primarul trafo driver aflat intre cele doua secundare (pentru semipunte, ca pentru punte e mai complicata structura) si cu izolatie suficienta fata de mos-high. Intarzierea introdusa de cei 22p e relativ mica, functioneaza foarte bine la 75kHz si 800V alimentare.

Nu am fost multumit de comportamentul la sub 5% umplere, pentru ca dispare aleator impulsul de iesire chiar si atunci cand varful are 24V. La mine sursa e stabilizata, dar am permanent macar 15-20W consumator, deci nu obtin umpleri atat de mici si nici nu privesc dramatic disparitia comenzii, sursa este puls cu puls. In rest, sunt foarte multumit de solutie.

 

Dupa postare am revazut: dioda de jos este BAT85 nu 1N4148, pentru a obtine o tensiune inversa ceva mai buna. Initial mersesem pe 1N, dar am schimbat ulterior. Insa e foarte functional si cu 1N. Testat.

Edited by smilex

Share this post


Link to post
Share on other sites

 Nu am nemultumiri prea mari in legatura cu comanda am spus doar ca funtioneaza si acolo unde cu alt gen de dispozitive nu am reusit.

Nelamurirle mele sunt in legatura cu dioda stucturala, body diode, pe care o vad ca o slabiciune in caz de suprasarcina brutala sau scurt circuit.

 

 In prezentari se arata ca in princiu un scurt e o survivable condition, ar putea fi blocate prin protectie si ar reusi sarupa curentul si sa supravituiasca varfului de tensiune, numai ca la scurt timp dela blocare curentul si tensiunea se inverseaza si circula prin aceasta dioda care are tensiunea de prag dar mai cu seama rezistenta interna destul de mare fapt ce permite apariia unor tensiuni inverse considerabile.

 

 sa luam ca exemplu c3m0065090d la 10 a pe aceasta dioda cad aproape 5v, aceasta este prectic tensiunea poarte sursa maxima recomandata, sa presupunem ca in conditie de scurt curentul direct ajunge la 80a caa 90% din curentul maxim in impuls, in caz ca dispozitivul rupe acest curent apar curenti inversi cel putin de jumatate 40-50a cu di/dt si dv/dt mari, in conditia in care capacitatile drena poarta si poarta sursa precum si si incarcarile cu sarcina sunt aproximativ egale actionind ca un divizor capacitiv 1/2 tensiunea pe poarta va atinge jumate din tensiunea negativa de pe drena care poate fi si de 30-40v, ceea ce excede de 3- 4 ori tensiunea maxima poarta sursa.

 

 In aceste conditii poarta poate fi scutcircuitata la sursa ceece banuiesc ca s-a si intimplat la o pereche de c2m0080120d in semipunte au fost distruse in felul asta in urma unui scurtcircuit la iesire poarta a fost scurtcircuitata la sursa dar jonctiunea drena sursa a supravituit nu s-au pus in scurt.

 

 Montarea unor zennere pe poarta nu rezolva problema datorita rezisteintei interne mari a portii, de fapt erau montate si nici macar nu s-au ars.

 

 Practic singura solutie este montarea unei diode schottky cu carbura de siliciu in paralel, solutie care am vazut-o recomandata si de altii in vederea imbunatatirii comportamentului in caz de scurt.

 

 Am avut instalata o protectie latch cu shunt si tiristor si un alt tranzistor care poate decupla in microsecunde si este autonoma de restul testa sa suporte scurt direct la iesire fara sa se arda dar nici macar nu a decuplat, curentul nici nu atins valoarea setata, protectia sta sepune si daca pun un condesator de 2,2 micro descarcat cu protectia pe bara de 600v.

 

 Acest aspect limitativ la suprasolicitare de scurta durata le face dificil de folosit pe consumatori cu variatii mari de curent desi au rezistat totusi in conditii destul de dure chiar si fara dioda in paralel: o pereche de c2m0080120d in semipunte la 300v debitind pe un trafo de 3kw la 100 khz incarcand un banc de baterii de 120v 100ah prin doua diode schottky cu carbura c4d20120  fara droser la iesirea din diode, cu un curent mediu de 10a, in impuls de 40a cu bateriile aproape descarcate au supravietuit totusi la drujba electrica legata pe un invertor de 2kw pe acel banc de baterii mai multe ture de cateva ore de lucru in condiile in care curentul avea varfuri lente si de 30a si in impuls ajungea la 70A, s-a  ars chiar si o siguranta de sarma ordinara lenta de 10 a de pe bara de 300 fara sa se arda tranzistorii.

 

 S=au ars doar in caz de scurt la iesire, totusi diodele c4d20120 au supravituit, am mai ars si niste igbt de 40a cu ele  si le folosesc in continuare.

Share this post


Link to post
Share on other sites

 Am pus intr-o punte 4 c3m0065090d pe o egs oo2 mai aam unul la fel care merge de caa 1 an dar pe asta am incercat drujba electrica de 1,8kw.

initial a functionat dar la cateva porniri repetate s-au ars 2 tranzistori cand s-a pus protectia de limitare de curent dot curntul mare prin dioda structurala a fost problema deoarce protectia le bocheaza pe toate si curentul trece prin aceste diode.

 

 

 Este clar ca necesita o dioda in paralel cu cadere de tensiune mai mica si rezistenta interna rezonabila.

Aceata poate fi doar o dioda schottky cu carbura de siliciu dar destul de mare si scumpa pentru a avea o cadere de tensiune rezonabila la varfurile de curent, in cazul de fata la cel putin 10 amperi optim la 20A.

 

 Am adaugat diode la 4a lucrurile stau mult mai bine, dar e nevoie la cel putin 10a voi cumpara din acestea pentru a nu mai risca tranzistorii.

 Instalarea diodelor a redus de asemenea si pierderile la comutare puterea disipata totala s-a redus la jumate in gol.

Share this post


Link to post
Share on other sites

 Treaba asta cu sic mosfet incepe sa tina de blestem , reusisem sa pun diodele sa configurez protectia adecvat si am reusit sa fac un scurt sa ard modulatorul sinus, dupa ce l,am inlocuit s-a scurtcircuitat droserul de la iesire situatie in care nu mai sunt sanse de scapare pentru tranzistori s-au mai ars doi.

 Nu stiu de ce nu am parte de ele cine vrea cu tot dinadinsul sa nu ma lase sa reusesc, asta -mi schimba parerea despre viata in general, In pricipiu o viata mai frumoasa si o cunoastere mai buna se pot obtine cu tehnologii mai eficiente si mai aproape de fundamentele fiziciicii, e diferenta de la sapa la sic mosfet, cineva ma forteaza sa renunt la visul asta, voi renunta pana la urma dar voi duce frustrarea cu mine in mormint si de acum incolo pa munca serioasa, simulare ca da bine.

Share this post


Link to post
Share on other sites

 Am reusit sa studiez ceva informatii despre dispozitivele cu carbura de silciu, sunt o intraga familie. mai multe tipuri de mosfet dintre care cel cu acumulare accufet e cel mai comun, folosesc si eu, tranzistor unijonctiune schottky sjt, tranzistor bipolar bjt, diode sckottky.

jfet normally off, jfet normally on.

 Desi mosfetul e cel mai ieftin si cel mai raspandit lumea il cam critica deoarece oxidul de izolare  a portii e cam fragil mai cu seama ca in aceste dispozitive se generaza campuri electrice intense in acest izolator, diverse modificari cauta sa reduca intensitatea acestui camp.

 Este destul de bine primit jfet normally off au fost produse astfel de dispozitive la cativa kv 6,5, 10 utilizabile in convertizoare de medie tensiune.

 Desi exista si o varianta de dmosfet la 10 kw problema este ca oxidul cedeaza destul de repede in campuri electrice intense la temperaturi ridicate.

 Cei de la CREE au scos pe piata ceva varianta de accufet ieftine, ca peformante bat orice dispozitiv cu siliciu dar nu stiu cat pot functiona in masura in care oxidul care izoleaza poarta e problematic.

 Eu am in functiune un invertor cu astfel de mosfet de vreo 4 luni a functionat 24din 24, dar la rece temperatura radiatorului a fost sub 15 grade nu stiu cum o trece vara.

 

 Daca trece e ok inseamna ca problemele sunt macar partial rezolvate.

 

 Totusi as dori sa folosesc si sjt sau bjt sau jfet normally off macar ca termen de comparatie, sjt am gasit pe mouser, bjt si jfet normally off nu am gasit deocamdata.

 Bjt se pare ca e mult mai sturdy decat mosfetul doar ca cere neaparat o dioda schottky cu sic in paralel.

 

 Cat despre diodele schottky cu sic, sic shottky barrier sunt deosebit de rezistente la suprasolicitari, practic in regim obisnuit sunt foarte greu de distrus doar daca depasesti cu mult tensiunea inversa la curenti mari sau curenti directi exceptional de mari, direct pe o baterie altfel sunt de mare incredere si fac minuni in convertoarele boost, reducand pierderile din tranzistor posibil si de 2 -3 ori.

 

 Totusi aceste accufet sunt cam fragile in invertoare offgrid unde puterea de intrare si de iesire nu sunt limitate fizic, merg minunat in partea de charger unde puterea oferita de aria pv este limitata, fie ca parte de intrare a unui invertor on grid, convertor boost impreuna cu diodele sic schottky barrier, se pot construi invertoare boost monofazate sau polifazice in regim hard swich, datorita performantelor speciale ale acetor dispozitive metoda ZVS. zere voltage switcing nu ofera nici un avantaj fata de hard switch in plus e complicata si instabila.

 Eu am construit un invertor buck cu astfel de mosfet pe post de charger pentru bateria de 120v,merge super.

 

 Actualmente se gasesc solutii la cheie si pentru invertor ongrid de 50 kw in putin peste 2000 eur, semipunti cu sic la 300a 1,2kv si drivere izolate si inteligente pentru ele, pot fi legate direct la o placuta cu DSP. 2000 eur pentr u 50 kw pe SIC e ieftin, practic 3 sempunti trei drivere pentru semipunte o placuta cu DSP un radiator si o sursa auxiliara, si am gasit pe undeva si placuta care poate comanda driverii astia pe la 100 usd, se poate face foarte simplu cu cele 4 placute e gata si intr-o zi, totul e inteligent si are protectii implementate.

Edited by cavit
  • Like 1

Share this post


Link to post
Share on other sites

Tranzistorii SiC sunt performanti. Ar fi necesare pentru noi si niste scheme de convertori, realizate

 sau experimentate acasa cu acesti tranzistori, chiar si ceva poze.

 

Tranzistorii C2M0080120D sunt MOSFET cu canal-N din carbura de siliciu (SiC)

Performantele acestor tranzistori sunt, 192W, 24A la 90grade/36A la 20grade, 80A-pulse, 1200 V, 80mOhmi, 3-Pini cu capsula TO-247.

Tensiunea de deschidere 2V la 4V, capacitatea de intrare circa 1nF si de reactie de 10pF la 20pF in functie de

  tensiune drena-sursa. Tranzistorul contine dioda intre drena si sursa.

 

Pretul este de circa 5$ la 20$.

Eficienta este cu citeva procente mai mare decit IGBT si dimensiunile mult mai mici, deoarece se opereaza la 100KHz.

Deasemenea si costurile pe global sunt mai mici deoarece miezul si radiatorul sunt mai mici.

 

Succes !

Share this post


Link to post
Share on other sites

   Am facut o sursa foreward in semipunte cu 2 c2m0080120d si doua diode c4d20120 cu care pot incarca dela trifazic bancul de acumulatoare fara sa necesite droser la iesire cele cu siliciu nu rezista fara droser si sursa auxiliara cu c2m1000170d direct dela 500v dupa cei dela cree, e documentatia acolo dar traful efacut de mine orientativ dupa cum am stiut eu, dar e functional, un charger fotovoltaic cu 2 c3m0065090d in paralel si 2 diode cu siliciu de 40ns la 30a buck pentru un sistem la 120v sa adapateze de la 160 180 cat e MPP pentru 360 celule la 125 140 pentru 10 acumulatori tubulari de12 in serie poza este la topicul charger MPP ajustabil cu impulsuri se observa scurtimea droserului, si un invertor sinus pur la 1,5 kw cu punte de 4 c3m0065090d la iesire doar carcasa sete de la unul de fabbrica in interior e alt invertor.

  Cateva consideratii placuta egs002/eg8010 are o protectie la supracurent care impiedica configurarea comenzii cu sursa Kelwin Kewin source la tranzistorii de jos, configuratie recomandata pentru dispozitive de mare viteza, celelalte 2 aplicatii le-am facut cu sursa kelwin pentru comanda nodul fiind chiar pe terminal c3m0065090d sunt si in d7pack cu sursa kelwin cu nodul direct pe chip, am luat 8 buc si din alea.

 Am dat la cineva sa-mi faca o placuta cu eg 8010 si 4 acpl w-346 pentru a realiza comanda cu sursa kelwin., dar am constatat ca desi sunt date cu cmr foarte mare, in anumite conditii dure desi am respectat schema de cablare cu rezistor distribuit mai dau impulsuri false, s-au comportat mai bine 3120 urile.

 O sa incerc sa fac comanda cu fibre optice de plastic pentru a elimina problemele de CMR si izolare la inalta tensiune, am propus o astfel de comanda pentru dispozitive de medie tensiune la 6-10kv.

 

 Cei de la CREE dau 2 placute de driver pentru semipunti fara optocuplor prin trafo, pe semne ca si ei au constatat anumite limitari la opocuploare, in datasheet se specifica ca avantataj absenta optopcuplorului.

 

 

 Pe sursa semipunte am drivere rudimentare cu 2 mici trafo toroidale bobinate cu conductor dublu conductor de cablu UTP si merg mai bine ca optocuploarele, cu acpl w-346 am ars ceva igbt stgw39nc60vd dar cu trafo sau 3120 uri nu, restul schemei fiind la fel, se ardeau in sarcina nominala, in gol sau in sarcini mai usoare functionau.

 referitor la invertoare totusi c3m0065090d sunt mai fragile ca stgw39nc69vd dar mai rezistente decat stgw45nc60wd, stgw39nc60vd merg cu drujba electrica de1,8kw c3m0065090d rezista la un numar limitata de porniri iar stgw45nc60wd nu rezista la pornire, pare sa fie legata de curentul maxim in impuls 220 a pentru stgw39nc60vd, 90A pentru c3m0065090d si 70 a pentru stgw45nc60wd.

 

  Pe de alta parte body diode din c3mXXXXX performeaza mult mai prost decat cea din c2mXXXXX si energia in avalansa e nult mai mica de caa 10 ori mai mica 110 mj pentru c3m0065090d si 1j pentru c2m0080120d desi au acelasi curent.

 

 Cu toate astea c3m0065090d e la jumate de pret fata de c2m0080120d fiind mult mai convenabil dar nu e ppotrivit pentru invertoare pe care se folsesc consumatori care iau varfuri mari de curent, c3m0065090d functioneza ok cu aspirator pana la 1200w cu pornire pe direct, cu variator e mult mai blind, pot de asemenea sa functioneze cu consumattori rezistivi pana la 2500w, pot functina calcactor, cafetiere masini de spalat.

 

 dat fiind faptul ca dioda la c3m0065090d performeaza asa prost se recomanda instalarea in paralel a unor diode schottky cu carbura de siliciu macar de 5a, dar pretul se apropie de c2m0080120d.

 

 ca recomandare generala, pentru invertor pana la 1500w se pot folosi c3m0065090d daca nu sunt consumatori cu varfuri mari de curent la pornire sau cate 2 c3m0065090d pentru un invertor de uz general in gospodarie sau cate un c2m0080120d, cu aceste invertoare poate fi folosita si drujba electrica.

 c3m0065090 e compatibil cu comanda la 15v si merge direct in loc de IGBT cu egs002 pentru c2m0080120d e necesara comanda la 20v trebuie refacuta placuta de comanda.

 mai ales pentru c3m0065090d se recomanda diode schottky cu carbura de siliciu in paralel.

 

 Cele mai ieftine sunt pe mouser sau digikey deoarece aici de distribuie CREE, 9 eur c3m0065090d, 15eurc 2m0080120d, 30eur c2m0040120d 17eur c4d20120 60 eur c2m0025120d.

 

 Totusi aceste accufet sunt relativ fragile fata de sic sjt sau sic bjt sau sic jfet normally off, astea din urma sunt mult mai sturdy la tot felul de suprasolicitari si sunt shortcircuit rated dar sunt deocamdata mult mai scumpe, cei de la CREE au gasit o metoda sa le produca mai ieftin.

  • Like 1

Share this post


Link to post
Share on other sites

Domnule @cavit, frumoase realizarile si cercetarile in legatura cu tranzistorii SiC, utilizati in invertoare.

 

La invertorul EGS002, cred ca softul sinus pur, are oarece probleme cu suprapunerea pe fronturi a comenzilor de

 deschidere ale tranzistorilor de putere mai lenti.

Problema fiabilitatii convertoarelor si invertoarelor de mare putere cu tranzistori, la diverse tipuri de

 sarcini, i-a facut pe marii producatori sa introduca si sa vinda module de schimb cu tranzistorii de

 putere si nu numai.

 

Cum reusiti sa imperechiati tranzistorii SiC conectati in paralel, in punte sau semipunte la asemenea

  preturi de achizitie.

 

 Astazi multe firme fabrica aproape toate tipurile de tranzistori si diode SiC. Ce parere aveti despre 

   componentele fabricate de ST-Microelectronix.  www.st.com/sicmos

Am vazut la ei un model, construit pentru 1KW...3KW, care utilizeaza 3 transformatori mai mici,

  cu secundarele cuplate, in loc de unul mare.

 

Poate postati si niste poze pe forum pentru cei interesati.

 

Succes !

Share this post


Link to post
Share on other sites

Eg8010e un controller destul de flxibil, permite setarea dead time, setrea polaritatii iesirilor,setarea tipului de modulatie si altor parmetri, nu contollerul in sine pune probleme ci placa.

Am vazut pe mouser si produsele celor dela ST si ale clor de la ROHM si ale celor de la GENESIC,st sunt comparebili cu rohm si ca performante si ca pret sunt mai scumpe decat cree, merg la tempetatura ceva mai mare dar au rezitenta in condictie mai mare.

st a promvat mult timp produsele cu sic dar au venit tarziu cu ceva concret.

Ca robustete un sjt ar merita testat, bjt nu am gasit inca.

Share this post


Link to post
Share on other sites

In legatura cu impercherea am un inveror .cu 2 igbt de st si 2de ir si mierge cu drujba electrica fara probleme.

Impercherra e mai problematica la push pull deorece diferntele dau o componenta contnua care poate satura mizurile

Share this post


Link to post
Share on other sites

In postarea #1, initiatorul @cavit cere parearea despre diodele interne din tranzistorii MOSFET  cu SiC

 

Am o nedumerire legat de structura lor, de exemplu la c2m0080120d dioda stucturala are tensiune de deschidere a 2 jonctiuni cu carbura inseriate cel mai probabil de aici vine denumirea de c2mXXXXX, la c3m0065090 sunt 3 jonctiuni cu carbura inseriate, probabil de aici denumirea de C3MXXXXXX.

  mai ales la c3m e o cadere mare de tensiune pe aceasta dioda, ma intreb daca nu ajuta conectarea in paralel a unei diode schottky cu carbura, am si luat deja aceste diode si urmeaza sa le instalez, experienta mea spune ca e un lucru bun, as dori si alte pareri.

 

 Monocristalul elementar de SiC, are o structura de tip tetraedru ( tetrahedron), si este alcatuit dintr-un atom central de siliciu si 4 atomi de carbon, cu legaturi covalente. Monocristalul, depinde de modul in care sunt conectati impreuna acesti atomi si au proprietati de polytype. Toate polytype-urile au un cadru hexagonal de straturi duble SiC, ca in  Fig. 1.1 (b).. Aceasta d? na?tere la trei pozi?ii diferite ale planelor ?i a?a se obtin polytypes ?n func?ie de repetitia specifica, de ordinea ?n care foile sunt dispuse a?a cum este prezentat ?n Fig. 1.1 (b).

 

post-24607-0-16604600-1456430540_thumb.j

 

Numele fiec?rei POLYTYPE se caracterizeaz? printr-un num?r ?i o liter?: num?rul indic? c?t de multe straturi formeaz? secven?a de baz?, precum ?i o litera ce determin? structura rezultat? a cristalului: C pentru cubic, H pentru hexagonal, ?i R pentru romb.

La temperatura camerei banda energetica a SiC  variaz? de la 2,2eV la 3,2 eV in func?ie de POLYTYPE.

Acesta este de 2 la 3 ori mai mare dec?t siliciu (1.12 eV).

 

Material              Si         3C-SiC           6H-SiC          4H-SiC

 

Banda,Eg        1.12eV      2.4eV              3.0eV             3.2eV

 

 

De fapt sunt vreo 20 de moduri de aranjare a acestor straturi cristaline, fiecare cu propria banda energetica.

post-24607-0-16604600-1456430540_thumb.jpg

Share this post


Link to post
Share on other sites

Este posibil ca raspunsul la cererea din postarea anterioara sa fie datorat tipului de material folosit de fabricanti.

 

 Fiecare structura cristalina, utilizata pentru constructia tranzistoarelor si diodelor SiC, are propria banda energetica.

 

Tensiunea masurata pe diode la un anumit current, depinde de materialul intern si de gradul de dopare cu impuritati.

Deci daca dioda interna este construita din materialele, Si,         3C-SiC,           6H-SiC,          4H-SiC,

 va avea diverse tensiuni de 2 pina la 3 ori mai mari decit o dioda cu siliciu.

 

Material              Si         3C-SiC           6H-SiC          4H-SiC

 

Banda,Eg        1.12eV      2.4eV              3.0eV             3.2eV

 

Caracteristica tensiune curent este tot exponentiala, chiar la curenti mari si rezistenta interna este mica.

Legat de acest fapt, tensiunea inversa pe tranzistor nu poate depasi 3V la 4V, atunci cind diode conduce.

 

Succes !

Share this post


Link to post
Share on other sites

 Am vazut structurile alea dar nu prea intelegeam ce inseamna, acum sunt cat de cat lamurit, totusi rezistenta dinamica acestor diode cu SIC e ceva mai mare ca la diodele cu siliciu e normal sa fie, asta face sa se comporte mai rau la curenti mari in fapt in data sheet tensiunea pe dioda la curent maxim e de 5v si ca urmare o disipatie importanta de putere care recomanda montarea unei diode SIC schottky in paralel, ceea ce se si practica in mod obisnuit.

 Totusi as fi dorit niste copack-uri sa nu ma mai chinui sa o adaug in exterior.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now

  • Recently Browsing   0 members

    No registered users viewing this page.

×
×
  • Create New...

Important Information

We use cookies and related technologies to improve your experience on this website to give you personalized content and ads, and to analyze the traffic and audience of your website. Before continuing to browse www.tehnium-azi.ro, please agree to: Terms of Use.