Jump to content
Mihai_Hd

Realizare invertor 800w 24/230v sinusoida pura

Recommended Posts

bolek pot sa te incurajez in ceea ce vrei sa faci dar zau ca nu inteleg ce ai cu irf3205. Eu personal folosesc mosii aia fara nici o problema si tot din acelasi loc am luat si irf2807 cu care am facut un invertor care alimenteaza calculatorul de pe care scriu acum.

De ce 12 feti cand pentru 800w iti ajung 6 bucati la 12v sau 4 pentru 24v.

etd59 duce lejer 800w si la olteni e vreo 3 4 lei miezul + 2 3 lei carcasa.

eu pentru 800w din 12v as vedea un transfgormator facut cu etd49 cu 2x2 spire in primar, fiecare spira fiind alcatuita din vreo 20 de sarme de 0,6 0,7 in paralel si secundarul cu 60 de spire, 2 bucati de 0,7 in paralel.

Am facut transformator si cu banda si cu sarma, a naibii chestie ca ala cu sarma dadea impulsurile mai frumoase.

 

Daca tot vrei sa pui eg8010 fa si modulul cu attiny13 postat aici pe forum. Daca te uiti in pozele puse de mine am reusit sa fac modulul ala pe o bucata de cablaj de 5x3cm cu componente tht, mai mic decat l-a facut chinezul pe egs001 cu smd-uri. Iti spun eu ca vei plange cand il vei crapa pe eg8010.

 

Ca feti pentru puntea h, tot pe la olteni ai 24n60 la vreo 5 lei bucata. Sunt perfecti, imi plac mai mult decat irfp460. Plus ca tin la 1500w si varfuri de 2000 fara probleme.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Salut!

Flopir:

Formula aia pt B e partial corecta pt aici , ea de fapt e gandita pt stabilizare , cu alimentare de la retea, e /2 pt ca sunt 2 tranzistori si  inca o data /2 pt ca Uin min e jumate din Uin max deci umplere 2 x 25% la tensiunea maxima . Altminteri e fix ca cealalta. Tu nu ai lasat o rezerva pt stabilizare? Din pacate deja am facut 1 traf si fiind cu 2+2sp / 30sp ca sa le inseriez secundarele cum ai propus; deci pana apare si al doilea o sa fac probele cu tensiunea de iesire la jumate ; incropesc azi-maine un pushpull sa vad cum se comporta in frecventa.

 

Mihai:

Nu am nimic cu tranzistorii, doar ca mi-as dori sa nu (mai) nimeresc vreun lot marcat cu vopsea in loc de stantz.Ai scris o data de etd59 si apoi de etd49. Miezul meu e cam ca al doilea, am masurat AL=4000.

Am propus la probe 12 feti de care am eu  pt ca sunt mult mai slabi ca Rdson decat ce ai pus tu.

 

Nu mi-e clar pana acum ce fel de protectie la supracurent ati folosit voi : pe partea de 220v sau pe joasa ? Ambele au si bune si rele.

Edited by bolek

Share this post


Link to post
Share on other sites

Peste tot este vorba de etd49. Etd59 am vrut sa cumpar dar era prea mare diferenta de pret intre etd49 si etd59 asa ca am ales varianta mai ieftina la prima vedere.

 

Nu stiu ce sa iti spun despre tranzistori, sincer sa fiu cu tine am montat si tranzistori luati de pe ebay cu 1,5$ 10 bucati intr-un invertor chinezesc de 1KW si merg fara probleme. Cu cei de la miva as minti sa iti spun ca am avut probleme, ca nu sunt originali este clar, dar poate am avut noroc de facaturi bune, nu stiu ce sa zic. Nu te lua dupa comentariile de pe site pentru ca (realitatea trista de care m-am convins si eu) 90% din cei care comenteaza nu au facut in viata lor un montaj care sa functioneze in parametri.

 

Protectia la supracurent folosita de noi este pe partea de 340V, este realizata cu shunt si lm393. Este copiata dupa protectia lui EGS001.

In practica rezistenta pe care citeste lm393-ul caderea de tensiune la mine este formata din 2 rezistente de 0,1ohmi in paralel.

 

Cel mai bine ai cumpara irf3205 de la tme ca sa fi sigur ca sunt originali si in parametri. Ca sa ai pierderi mici pe ei nu ii incarca cu mai mult de 15A/bucata.

De deschis ii deschizi cu un driver totem pole cu 2 tranzistori sau daca chiar crezi ca merita poti folosi un driver specializat. Am vazut la tme driveri in capsula DIP8 pe la 5 6 lei.

O alta idee ar fi sa folosesti uc3825 care livreaza 2A la iesire.

Dar trebuie sa te gandesti si la faptul ca invertoarele chinezesti pentru 500W folosesc tl494 care ataca direct cate 2 bucati de 3205 in paralel.

Foarte interesant este ca si valoarea rezistentei din grila este destul de mare, in cel pe care l-am dezmembrat eu sunt 47ohmi inseriati cu grila fiecarui fet.

Intr-un invertor de 1Kw era folosita combinatia tl494 + totem pole cu 2 tranzistori gen bc(nu stiu exact ce erau originalii pentru ca a fost alimentat invers si era mai mult scrum in locul lor insa am montat bc327 si bc337 si functioneaza ireprosabil).

 

asa...daca iti iasa chestia asta cu secundarele inseriate te rog sa ne povestesti experienta ta. Eu am incercat sa fac asta cu 2 bucati de etd39 de pe care sa trag 1kw de la 12v si imi crapau diodele din secundar si fetii dupa cateva minute. Si daca era iarna cred ca ma puteam incalzi cu un ventilator pus sa sufle pe feti.

Share this post


Link to post
Share on other sites

@Mihai "tot pe la olteni ai 24n60 la vreo 5 lei bucata"...Si il cheama 24n60 si mai cum ? ca asa nu imi gaseste nimic...s-a dus vremea cand citeai 3055 pe tranzistor si stiai ce e! 

 ixys IXSH24N60  infineon SPW24N60 fairchild FQA24N60 intersil HGTG24N60

Share this post


Link to post
Share on other sites

Cand alegeti tranzistoarele...

la tensiuni joase e mai avantajos cu MOS.

a se alege un tranzistor cu tensiunea mai mare de minim 4 ori fata de tensiunea maxima de lucru.

CE REZULTA DE AICI.....

Alegem tensiunea, alegem curentul din circuit.

cum pare aici, avem 800VA, avem 12V, oricum vom lucra cu invertorul doar cand bateria e cuplata la un motor functional, deci 14,2-14,4V.

E putin probabil sa tragi din bateria auto 70A cu motorul oprit timp de 1 ora si sa mai vrei sa pleci cu masina.

La 14V se pot alege tranzistori MOS cu tensiunea de 100V, 200V, se poate forta si spre 60-70V.

IRFP064 e un tranzistor interesant, dar e evident ca nu incap 70A prin piciorusul ala al tranzistorului, poate pastila de silicu, dar trebuia sa fie in alta capsula.  In acest caz se pun in paralel mai multe tranzistoare.

Cu cat pui mai multe in paralel, cu atat mai bine, la 2 tranz in paralel Rds ON scade de 4 ORI.... la 4 tranz in paralel e si mai bine..... pe fiecare ramura.

 

Exista un compromis la tensiuni mici si curenti mari. se prefera PUSH-PULL  in loc de FULL-BRIDGE pentru ca e mai ieftina sarma de cupru si ferita decat tranzistoarele si circuitele de comanda aferente.

 

Pe masura ce a evoluat internetul a devenit o balta mare, s-a extins la o mare si acum e un ocean de informatii.

Informatiile coerente exista, sunt tot acolo, in APPLICATION NOTE - LA FIRMELE PRODUCATOARE DE COMPONENTE, FERITE,..... trebuie doar sa va orientati catre studiu si sa lasati aplicatiile flash care va fura ochii de BLACK-FRIDAY.... CA O SA RAMANETI CU OSCHII IN SOARE SI PIESE ARSE. ... ANIMATIILE SI TOATA MIZERIA ACTUALA DE PE INTERNET NU E UTILA CU NIMIC.....ACUM 15 ANI GASEAI INFORMATII CORECTE MULT MAI USOR .... astazi e necesara o cautare mai amanuntita si o discernere coerenta ....... In cazul nostru, unde avem nevoie de application note clare si adevarate, internetul ne ingreuneaza activitatea.

 

Se discuta de 2 spire in primar. ... de ce nu e ok asa???? Pai e nevoie sa transferi camp in miezul magnetic..... distributia campului trebuie sa fie uniforma in miez, tu cum imparti 2 spire pe 50mm lungime cat are un miez mai maricel ????, de aceea se recomanda la primare de joasa tensiune sa se plece de la 4 spire in primar ca sa poti distribui uniform campul in miez. Aceste 4 spire la 12V, se pot pastra la 24V, sau se cresc la 5-6 spire.  Calculele de pierdere in miez vs. sarma se fac in asa fel ca sa fie pierderi egale miez=sarma, cam acolo e punctul optim.

Frecventa de lucru, e foarte importanta, fiecare ferita are grafice, scrie exact cati W pe cm2 pierzi in miez la o frecv data, la o anumita putere transferata. Totul a fost deja calculat si pus pe hartie de catre producatorul feritei.

Fiecare tranzistor are caracteristici, din ele poti calcula pierderile la o anumita frecventa.

AAA...sa nu uitati dioda din el, aia e o alta MARIE  care disipa singura in aceeasi carcasa....... la calculul de pierderi, transfer termic, marime radiator....dioda aia are un cuvant de spus......totul e in datasheet si in application-note.......totul....aici nu e o conspitatie precum calatoria pe Marte.....

De multe ori dioda aia la curenti mari nu rezista, si datorita unor snubere slade trozneste tranzistorul. Se recomanda sa se puna o dioda antiparalel ultra-fast.....A se vedea aparatele de sudura ca au acea dioda antiparalel pe grupul de tranz mos , sau igbt.

 

P.S. EXISTA pe net analize comparative MOS VS. IGBT analizate pe toate partile ce si cum, care unde e mai bun si de ce, cautati si veti vedea toate calculele comparative in functie de aplicatiile dorite de voi, au fost alti ingineri si doctori in ale electronicii care au studiat deja aceasta problema si au intors-o pe toate partile.

 

Nu vreau sa intram in discutii legate de distributia curentilor in masa de cupru a cablajului, sau in firele de legatura, acesta e un alt aspect care poate trozni toate tranzistoarele. A se cauta pe net ceva documente inainte de proiectarea cablajului.

Edited by andreigradu

Share this post


Link to post
Share on other sites

Salutare . De multi ani nu m-am mai luptat cu autoinductia....Am probat traful in push pull si am obtinut ceva rezultate , oarecum incurajatoare. Montajul e integral pe breadboard , deci si partea de forta, si cu fire deci rezistente de contact si inductante serie...cat cuprinde. 

Nu am avut reglajul umplerii , e maxima permanent, de aceea am testat cu o tensiune mai mica. S-a alimentat driverul ir2153 separat cu 15V ca sa fie deschise deajuns mosurile irfz44n si partea de forta (masa comuna) crescator de la 5v la 15v; In incercarea timida de a mai intarzia artificiile pentru perioada sarbatorilor nu s-a folosit un acumulator.Nu sunt rezistoare in grile si nici diode de protectie GS. Se remarca in ultima poza ca desi e montat un oarecare snubber (necalculat dar e mai mult decat nimic) spikeurile pe drena-sursa sunt de aproape 70Vpp.

Inductante: primar 2sp = 22uH leakage 0.15uH(aproximativ circa si ceva)  ;  secundar 32sp=  3.7mH leakage 17uH ...remarcam ca nu prea se pupa cu teoria... bobinaj pe sectiuni alternante p-s-p-s etc

S-a montat o punte rapida cu diode byv  si un 100uF , fara inductanta, pt testele in sarcini mici adica fara sarme in caldarea cu apa. Precizia masuratorilor pe input e discutabila, nu am multimetru rms, pe out s-a folosit osciloscopul.Pe sarcina de aprox 2kohm : out 115Vdc cu 7.8Vin@1.3A ; 125V cu 9Vin@1.6A ; 190V cu 13Vin@2.27A ; Pe sarcina de 720R : 115Vout  9Vin@2.8A; Pe sarcina 330R: 100Vout 9Vin@4.93A cat a permis sursa reglabila.

Ma bate gandul sa apelez in constructia finala la un integrat mai modern in current mode...dar mai sapam...

 

Cine a folosit modulul chinezesc, o intrebare: cat de bine stabilizeaza tensiunea, banuiesc ca e facut in soft ?

 

 

 

2q30i79.jpg

Edited by bolek

Share this post


Link to post
Share on other sites

@bolek,folsesc EG8010 si TLP250,stabizeaza asa cum trebuie ,adica perfect,atata timp cat are de unde .Daca tensiunea continua de 340V scade sub valoarea necesara modulului ,acesta intra in avarie si se opreste.Mai face 4-5 incercari de pornire si daca situatia se pastreaza ramane in  avarie definitiv ,invertorul trebuind oprit pentru a se reseta.

 

@andreigradu,de ce la 2 tranz in paralel Rds ON scade de 4 ori?Eu stiam ca la doua rezistente in paralel ,rez. echivalenta se injumatateste.Daca ne gandim ca la doua tranzistoare in paralel,inseamna de fapt patru la push pull,iar nu e bine pentru ca cele doua ramuri nu conduc simultan ca sa fie toate in paralel ci doua cate doua .

Referitor la distributia campului cu doua spire pe 50 mm de miez,cred ca se face foarte bine cu platbanda de cupru ,pe aproape toata latimea carcasei.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Da, am scris altceva, vroiam sa spun ca se reduce puterea disipata pe fiecare dispozitiv de 4 ori la utilizarea a 2 tranz mos in paralel, daca ai o putere disipata de 20W pe un tranz, prin punere in paralel va disipa fiecare doar 5W, si vor exista multe alte avantaje.

La push pull se pot pune cate 4-6-8-10 ( orice numar par, sau impar ) in paralel pe fiecare ramura. Amplificatoarele auto de putere au uzual de la 4 in sus in paralel pe fiecare ramura.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Am si eu o nedumerire, de ce se tot insista cu push pull ? In invertoare serioase se foloseste full bridge si chiar daca comanda e ceva mai complexa, macar traful e mai usor de construit, iar randamentul e mai bun.. 

Edited by pisica matache

Share this post


Link to post
Share on other sites

Sa raspund eu, pai la orice curent, ai nevoie de 4 seturi de tranzistori, sa zicem ca nu pune probleme driverul, dar tranzistorii.... pretul lor???? si daca esti amator si ii arzi??? cam cum arata buzunarul???

E mai simplu sa pui 2 x sarma pe un traf supradimensionat.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Am mazgalit o schema. Controllerul folosit e din secolul acesta.

Se vor modifica (evident) masiv valorile din partea secundara si ceva mai putin cele din partea primara.

 

255i4px.png

Share this post


Link to post
Share on other sites

in datasheetul de la texas instruments scrie copyright "1999 - 2014"  deci tot din secolul trecut e.

Share this post


Link to post
Share on other sites

 In legatura cu disputa Push pull full bridge eu am in vertoarele pe full bridge dar acumulator la 120v, am insa un push pull si la tensiunea asta cu 2 moesfet de 600v/30mohm,

 din cate am obsevat eu Push pull e mai vulnerabil la varfurile mari de putere probabil din cauza saturarii miezului prin desimetrizare in condidiile unor variatii ample si bruste ale factorului de umplre al PWM, eu cred ca asta e motivul, cat despre fenomen sunt sigur de el caci l-am obsevat in mod repetat cand am taiat lemne cu drujba electica pe invertor, fenomenul m-a obligat sa trec la full bridge, si nu au mai fost probleme eu am folosit 4 irfp260 pentru 120v si merge cu varfuri de 3 kw si continuu 1,6 kw.

 celalat invertor l-am facut din start full bridge, ideea ca la full bridge se paote pune un condensator in serie cu trafu si atunci nu mai apare saturarea nici macar in conditii de variatii dinamice ample si rapide ale factorului de umplere, dar e de mentinat ca la 120v e simplu cu condensatorul dar la 24 si mai ales la 12 se complica.

 Am avut in urma cu cativa ani full bridge si la 24, oricum la tensiuni mici am vazut ca vulnerabilitatea la push pull nu mai e asa evidenta, practic puntea nu ofera cine stie ce avantaje, poate singurul cel mai notabil e ca permite un consum mai redus in gol deoarece nu necesita snubberire serioasa si voltage clampuri care consuma in gol, la push pull fara voltage clamp se intra in regim de avalansa ca nu are cine limta varfurile de tensiune la comutare.

 

  Cat priveste modulatorul sinusoidal am constatat ca mosfeturile cu carbura de siliciu ofera avantaje nete fata de IGBT C3m0065090d are performante mai bune si emai sigur ca stgw39nc60vd sau wd, deoarece nu prezinta fenomenul de agatare in plus sunt mult mai blinde cu driverele deoarece au capacitati de intrare si de transfer invers mult mai mici, sunt mult mai rapide, practic asigura o comutare curata.

 asigur pierderi la mersul in gol precum si in sarcina de 2-3 ori mai mici.

 

 faptul ca sunt la tensiune mai mare asigura un comportament mult mai sigur, duca cum puteti obseva desi tensinea de strpungere pentru igbt este 600 pametrii dinamici sunt dati la 350-400v peste acste tensiuni comportamentul nu mai este sigur, la 900 v deja apare o margine de siguranta suficienta.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now

  • Recently Browsing   0 members

    No registered users viewing this page.

×
×
  • Create New...

Important Information

We use cookies and related technologies to improve your experience on this website to give you personalized content and ads, and to analyze the traffic and audience of your website. Before continuing to browse www.tehnium-azi.ro, please agree to: Terms of Use.