amplificatoare audio

[vio_gl]

sal all am descchis acest topic dupa ce am avut destule batai de cap cu amplificatorul nmos200 si caruia i-am imperechiat finalii si care consuma curenti diferiti pe ramuri,mai exact 30mA pe cea pozitiva si cca 20ma pe cea negativa as vrea sa stiu daca e necesar sa imperechez si prefinalii sau ce ar mai trebui sa mai imperechez ca sa-l aduc la adevar,as vrea de asemeni ca acest topic sa ramina deschis ptr ca sunt convins ca si alti useri se lovesc de asemeneA probleme

[miron1947]

amplificatorul nmos200

O schema?

[vio_gl]

uite-o

NMOS_200W_Amp.rar

[miron1947]

e necesar sa imperechez si prefinalii

Da,dar potentiometrul VR 1,nu are efect la echilibrarea consumului?

Editat Septembrie 3, 2009 de miron1947

[donpetru]

Tranzistoarele trebuie imperecheate cat mai riguros astfel (ma refer la PDF-ul Nmos200 TO247 din arhiva):

- T1, T5 si T4 (hfe T1 si T5, toleranta daca se poate aproape egala cu 0, iar T4 fata de T1 si T5 toleranta max.10%);

- T2 cu T3 (toleranta daca se poate aproape egala cu 0);

- T6 si T7 (indicat: toleranta max. 1%, daca se poate 0 cu atat mai bine). Idem: T9 cu T10;

- tranzistoarele finale se pot sorta dupa aceasta metoda:

http://www.forum.tehnium-azi.ro/intrebaril...t1210-p-20.html

 

OBS!

1. Nu este suficient sa sortati cat mai riguros tranzistoarele ci sa folositi si rezistente cu toleranta cat mai scazuta (max.1%), spre exemplu: R4, R5, R9, R10, R12, R15, R16, R17, R20, R22, R29 si R30 (spre ex. in locul rez. R29 si R30 se pot folosi mai multe rezistente chimice de valoare mai mare in paralel pt. obtinerea valorii declarate in schema);

2. Diodele D1 si D2 se vor afla in contact cu capsulele tranzistoarelor T4 si T7 (PCB-ul trebuie creeat sa ajute la infaptuirea acestui lucru);

3. Daca curentul de mers in gol se regleaza la o anumita valoare pt. care exista o independenta totala a MOSFET-urilor cu temperatura, superdioda (T8) se va afla in contact numai cu tranzistoarele T9 si T10;

4. In paralel cu condensatorul C8 recomand montarea unui condensator LCC de 100nF.

 

Numai Bine

[releu]

3. Daca curentul de mers in gol se regleaza la o anumita valoare pt. care exista o independenta totala a MOSFET-urilor cu temperatura, superdioda (T8) se va afla in contact numai cu tranzistoarele T9 si T10;

 

donpetru, scuze, dar nu prea am inteles independenta asta totala a Mos-urilor cu temperatura ? Parca, parca a stii la ce faci referire dar... daca poti sa ma lamuresti!

In rest, indicatia e OK si o sustin.

 

BAFTA.

[donpetru]

donpetru, scuze, dar nu prea am inteles independenta asta totala a Mos-urilor cu temperatura ? Parca, parca a stii la ce faci referire dar... daca poti sa ma lamuresti!

[dan_e]

Va salut,

 

Tranzistoarele se imperecheaza dupa spusele lui donpetru mai sus.

 

Cat despre sesizarea lui releu si explicitata mai sus in imagine, parerea mea - e mai greu de aplicat la FET-uri de putere dar nu imposibil.

 

Exemplu citit chiar azi intr-o carte: tensiunea Vbe la un tranzistor bipolar, la curent de colector constant, scade cu 2mV/grad Celsius la cresterea temperaturii. Adica daca temperatura radiatorului la finali este 60 grade C si temperatura mediului ambiant 25 grade C, diferenta este de 35 grade C care inmultita cu 2mV=70mV. Adica, Ube la tranzistor nu va mai fi 0,65V, ci 0,55V (sub 0,5V scade doar daca temperatura atinge cote alarmante, sesizate de regula de protectia termica a amplificatorului (daca amplificatorul audio are asa ceva).

 

La MOSFET, tot din citite, dependenta cu temperatura nu prea exista, adica e neglijabila, tensiunea Ugs fiind independenta de temperatura. Un MOS lateral se deschide pe la 3V Ugs iar variatia cu temperatura, daca ar fi sa luam ipotetic cei 70mV de la bipolar (dar e gresit) nu schimba decat in proportie de vreo 0,001% curentul de drena. La un amplificator audio e neglijabil. Deci, din cate am mai citit, merg si eu pe idee promovata pe aici, ca la amplificatoarele audio cu MOSFET final nu trebuie superdioda cu tranzistor.

 

Cu stima,

dan_e

Editat Septembrie 4, 2009 de dan_e

[donpetru]

nu schimba decat in proportie de vreo 0,001% curentul de drena. La un amplificator audio e neglijabil.

@dan_e, referitor la afirmatia din citatul de mai sus, cred ca v-ati grabit! E vorba de tensiunea Ugs la un anumit curent de drena. Spre exemplu, daca la temperatura mediului ambiant aplicam, cum ati spus, Ugs=3V, obtinem un anumit curent de drena (dependent de tensiunea de alimentare si sarcina). Prin ambalarea termica a tranzistorului MOSFET, datorat cresterii puterii disipate peste limitele suportata de capsula tranzistorului si/sau "a unui radiator mic", tensiunea Ugs nu resimte aproape nicio modificare (am spune, practic, chiar deloc daca punctul initial de polarizare a MOSFET-urilor se afla la intersectia caracteristicilor din imaginea postata de mine mai sus - pct. c).

 

Chiar acum ceva timp in urma, una sau doua saptamani, am avut o discutie, pe forumul PSS Audio, legat de constructia "superdiodei" cu tranzistor folosit ca dioda sau numai tranzistor. Imaginati-va un tranzistor bipolar ca superdioda folosit intr-un amplificator audio cu MOSFET. Tensiunea Uce a acestui tranzistor bipolar este egala cu tensiunea dintre grilele mos-fet-urilor din etajul de iesire, care pentru clasa AB de operare, neglijand dispersia, este aprox. 7V. Tranzistorul bipolar sa presupunem ca se afla in contact cu radiatorul si la un moment dat, in timpul functionarii, temperatura atinge, 65grade Celsius iar temperatura mediului ambiant este 25 grade Celsius. La fel cum ati facut si dvs., avem 40mV * 2, ceea ce inseamna o scadere a tensiunii Ube cu numai 80mV fata de 650mV cat are in mod obisnuit un tranzistor bipolar pe Si. Prin scaderea acestei tensiuni, superdioda tinde sa intre putin mai mult in saturatie. Tensiunea de 7v care era initial intre grilele MOSFET-urilor scade foarte putin (practic, din testele efectuate, ajunge la 6,6V), nesemnificativ in comparatie cu cazul cand aceste tranzistoare finale ar fi bipolare. De aici si motivul neutilizarii, in cazul amplificatoarelor cu MOSFET in etajul final, a superdiodei.

 

La amplificatoarele audio cu tranzistoare MOSFET in etajul final, este mult mai util si necesar, sa implementeze intr-un alt mod, combaterea ambalarii termice a etajului final, prin care sa se reduca tensiunea intre grilele MOSFET-urilor la aproape jumatate decat cea initiala. In acest sens, amplificatoarele audio de acest tip, includ o protectie termica care anuleaza complet tensiunea Ugs in acest caz. E mult mai util asa si mai potrivit. Nu degeaba, daca tot s-ar facut referire la citate, in multe scheme cu tranzistoare MOSFET in etajul final, nu este prezenta superdioda de la amplificatoarele cu tranzistoare bipolare.

P.S. Cred ca acest topic era mult mai potrivit la sectiunea Amplificatoare Audio si ca atare, am sa-l mut acolo in maxim 12ore. Pana atunci, ca sa nu ne abatem prea mult de la subiectul topicului, sa asteptam interventia lui @vio_gl.

 

Numai Bine

[vio_gl]

acum am reusit sa egalez curentul de mers in gol prin imperecherea rezisttentelor din grilele mosurilor unde am gasit difererenta de 5 ohmi dar vreau sa mai stiu daca imperecherea mosurilor ar trebui sa fie pe ramura sau trebuiesc toate imperecheate.rezistenta (r21)de100 de ohmi trebuie sa fie acolo?mi se pare un dezechilibru in toata schema asta

[donpetru]

Ideal ar fi sa avem toate MOSFET-urile identice, dar practic nu prea este posibil.

 

Deci, important este sa imperechem riguros ramurile MOSFET-urilor (in PDF -ulu finali in capsula TO-220, avem doua ramuri: T11-T12 si T13-T14), cu observatia ca intre ramuri sa ne limitam la o toleranta, asta pentru a evita incalzirea uneia mai mult decat cealalta. De fapt, o discutie asemanatoare a avut loc si aici:

http://www.forum.tehnium-azi.ro/intrebaril...ilor-t1210.html

 

Intr-adevar, se cunoaste ca cine ia la bani marunti o schema, observa mult mai bine posibilele deficiente. Tot in PDF-ul TO220, personal as permuta rezistentele de R21=100 Ohmi si R22=220 Ohmi si as mai monta suplimentar o rezistenta de 100 Ohmi in colectorul lui T9. Dar, inainte de asta, as dori sa te intreb daca ai masurat, inainte de a monta in circuit, hFe-ul tranzistoarelor MJE T9 si T10. Daca nu au factorul de amplificare "identic" (sau aprox. identic) poate apare un dezechilibru Ugs la cele doua MOSFET-uri. de fapt, rezistenta R21 a fost montata special pentru acest lucru (in cazul in care nu gasim MJE "identice" - si sunt cazuri - sa putem regla acest echilibru din R21, inlocuind in prima faza rezistenta cu un semireglabil de 100 Ohmi.

 

Numai Bine

[doruardelean]

Buna Ziua,as dori si eu putine lamuriri la un amplif.Nmos 200 To247 cu irfp260,am realizat montajul functioneaza ca amplif dar din vr1 nu pot regla nimic si din vr2 am reglat c-am la 50 ma dar foarte greu iarasi,si altceva mi se pare ca se c-am incalzes finali e ceva normal.astept un raspuns. cu stima

[donpetru]

Conectati intrarea amplificatorului la masa si efectuati masuratorile din imaginea de mai jos:

Reveniti cu rezultate. Mentionati si tensiunea de alimentare a amplificatorului (masurata).

 

Numai bine