imperecherea tranzistorilor

[miron1947]

Daca iesirea era prin condensator, nu era asa de stricta situatia, dar aceasta fiind  in CC, deviatia tensiunii fata de masa montajului in repaus incalzeste inutil bobina difuzorului.

[turcu_dan]

 Am inteles, as mai vrea sa intreb care este toleranta care se accepta la factorul de amplificare beta. Daca un tranzistor are beta=90 si complementarul 100 se pot considera imperechiati?

              Multumesc anticipat.

[miron1947]

Depinde si de locul si rolul din montaj, adica daca aceasta diferenta va fi amplificata sau nu in etajele urmatoare.

P.S.

Cel mai indicat ar fi sa va consilieze d-l donpetru, mie-mi displac acestea cu cuplaj direct fara condensator si m-am ocupat doar ocazional de depanarea lor, nu si de proiectare/realizare.

Editat Decembrie 16, 2015 de miron1947

[turcu_dan]

 Ok, o sa deschid un topic la sectiunea amplificatoare, sau sa vorvesc cu dansul in privat.

               Multumesc pentru atentia acordata.

[theborg]

Stiu ca postarea mea vine la doi ani diferenta dar imi incerc norocul :)

Cum pot sa imperechez pentru un amplificator cu doua canale care are cate 4 tranzistori pe canal (2*C5198 si 2*A1941) cand am urmatorii tranzistori cu hfe aferent:

C5198: 67, 72, 76, 77, 97

A1941: 121, 126, 138, 146, 158

Din cate am citit trebuie ca hfe sa fie apropiat la N cu P, dar in cazul meu ce naiba sa imperechez ca la mine sunt doar apropiate valorile doar N cu N si P cu P nicidecum N cu P... :(

[donpetru]

Din cate am citit trebuie ca hfe sa fie apropiat la N cu P, dar in cazul meu ce naiba sa imperechez ca la mine sunt doar apropiate valorile doar N cu N si P cu P nicidecum N cu P... :(

La curenti mari e important sa urmarim o imperechere cat de cat a tranzistorilor de tip N cu cei de tip P, la curenti mici, chiar si intr-un banal diferential de amplificator nu e o problema diferenta de hFe exemplificata mai sus, in acest ultim caz fiind suficient sa sortam bine N cu N, si P cu P si mai putin N cu P (acum depinde si ce urmarim sau mai bine zis cat de pretentiosi suntem). Bineinteles ca in cazul prezentat vorbim de 2SC5198 si 2SA1941 care sunt tranzistoare de putere. Va recomand in acest caz sa alegeti C5198 = 76 cu A1941=121, respectiv C5198=77 cu A1941=126, asta daca e suficient cele 4 tranzistoare.

 

De fapt, facand o paranteza, foarte lume critica STK-urile, care din anumite surse am auzit ca au tranzistoarele din componenta lor imperecheata dupa caracteristica de functionare, nu numai hFe (sau beta). Vorbesc de exemplare STK original, la fake nu pot garanta acest aspect. Din acest motiv amplificatoare audio de putere hi-end - dadeam un exemplu acum cateva luni in urma: amplificatorul BHK250 de la psaudio.com - are etajul final cvasicomplementar cu MOSFET, din cauza ca e mult mai usor sa fie imperecheate dupa caracteristica de functionare tranzistoarele de tip N cu N, decat la o topologie de amplificator cu etaj final complementar. Desi programele de simulare existente pe piata din punctul de vedere THD si IMD dau un plus topologiilor complementare (N cu P), in realitate cam greu se poate explica de ce suna mai bine un etaj cvasicomplementar bine facut. Oricum, anumite conceptii predefinite la anumiti audiofili nu pot fi schimbate dar realizarile audio din ultimii ani vin cu niste dovezi audio incontestabile ceea ce va conduce la un moment dat si in lumea D.I.Y la acordarea atentiei binemeritate la toate detaliile constructiei un amplificator. Poate vom ajunge si noi in punctul respectiv, deja indonezieni (am facut cateva PCB layout-uri pentru o companie de acolo acum vreo 2 ani in urma) fac niste topologii de preuri, amplificatoare, surse remarcabile. Chiar mi-ar place sa le vad si in Romania, printre randul diy-istilor romani ! In fine, niciodata nu e prea tarziu dar e bine sa nu glorificam la nesfarsit variatiuni pe topologii KIT 0205.

[miron1947]

 

Care ar fi acea caracteristica?

Sau altfel spus ce alte criterii de imperechere ar fi la fel de importante precum Hfe si Vbe?

Depinde de utilizare, daca conteaza timpul de raspuns sau nu.

In graficul de mai jos este prezentat acesta pentru doua tranzistoare Darlington complementare si exista diferente notabile.

Editat Ianuarie 6, 2018 de miron1947

[miron1947]

Legatura, este alt criteriu de imperechere, asa cum am scris, depinde de aplicatie.

Nu pot sa am aceiasi opinie cu donpetru, este musai sa fiu avocatul lui?

Editat Ianuarie 6, 2018 de miron1947

[miron1947]

Nu am date(dar caut), sigur, in cazul graficului care se refera la cca. 5 ?s, nu intra in domeniul audibil(200kHz), dar poate diferentele se pastreaza si la frecvente din domeniul audio.

Editat Ianuarie 6, 2018 de miron1947

[donpetru]

Care ar fi acea caracteristica?

Sau altfel spus ce alte criterii de imperechere ar fi la fel de importante precum Hfe si Vbe?

Asa cum am spus mai sus, ma refeream la caracteristica de functionare a unui tranzistor sau caracteristica de iesire sau modul cum variaza curentul de colector si tensiunea Uce. Sunt osciloscoape digitale care traseaza caracteristica de functionare a unui componente, adica cuba v=f(i) a unui tranzistor, diode etc, sau in cazul un tranzistor mai exact Ic=f(Uce). Trasarea caracteristici de functionare este foarte importanta in cazul aplicatiilor cu mari pretentii, inclusiv audio, mai ales atunci cand se urmareste un timbru aparte pe partea de medii-inalte. Nu o spun eu, s-a mentionat in mai multe surse web si chiar in diverse carti lucrul asta iar pe web ultima oara am vazut mentionat asta de Bascom H. King in unul din clipurile video prezentate pe site-ul psaudio.com. De fapt acolo Bascom justifica de ce a ales un etaj final cvasicomplementar alimentat simetric cu laterali MOSFET si bineinteles preul cu tuburi electronice. Deci, cand se urmareste sa se stoarca ultima picatura de performanta audio trebuie acordata atentie si unor aspecte care in mod normal sunt folosite in cazul sortarii tranzistoarelor din etaje finale aflate in componenta un generatoare de semnal care trec de 1MHz.

Nici eu nu credeam lucrul asta acum ani buni in urma dar nenumarate topologii de amplificatoare audio facute in decursul timpului ma fac sa-i dau dreptate nu numai lui Bascom H. King.  Se pare ca se pot imperechea mult mai bine pe caracteristica intr-un etaj cvasicomplementar alimentat simetric tranzistoarele de tip N decat intr-un etaj complementar N cu P. Repet, nu am spus-o numai eu, s-a mentionat in diverse documentatii si surse web lucrul asta iar faptul ca ne limitam doar la o sortare la nivel de hFE, in aplicatii audio cu pretentii nu e suficient asta.

[miron1947]

Bine.

[donpetru]

@Marian78, intr-adevar poate nu am fost initial foarte punctual cand m-am referit la modul general la caracteristicile de functionare a unui tranzistor dar era doar o interpretare generala, cei care folosesc osciloscoape digitale cu posibilitatea de trasarea caracteristici de functionare stiu foarte bine la ce ma refer. Si cred ca si dvs. ar fi trebuit sa stiti nu sa deschid manualul de teorie din liceu sau facultate, si sa va spun ceva de genul: dl. Marian, uitati asta e caracteristica de iesire, uite asta se urmareste, asa, asa si asa... ati inteles? Nu suntem la ora de teorie si nu se cade sa facem farmacie in acest topic pe teorie. Cine nu pricepe, vorba unui utilizator de pe forumul allaboutcircuit.com, stie unde e biblioteca (asta apropo de sfaturile mele date in acel forum in diferite discutii tehnice, unii utilizatori "americani" au fost foarte frustrati de faptul ca de ce le dau formulele de calcul pe tava cum se spune, ce nu pot sa studieze capitolul x din nu stiu ce carte, ca sa invete nu stiu ce formule). Dar uitati ca noi latini nu suntem chiar asa. Asta o fi mentalitatea lor preponderent americana, australiana etc sau a unora de acolo si tind sa le dau si lor partea lor de dreptate. Deci, cand purtati o discutie intr-un forum tehnic se porneste din start de la ideea ca aveti notiunile de baza. Ma rog! Dupa modul cum ati pus problema in acest topic ma face sa cred ca nu ati imperecheat niciodata tranzistoare dupa caracteristica (succint vorbind). Si inca ceva, nu conteaza daca vorbim de MOSFET sau bipolari, oricum intr-o aplicatie data vom sorta intotdeauna bipolari cu bipolari si MOSFET cu MOSFET-uri (deci si MOSFET-urile se pot imperechea pe caracteristica de functionare, care atentie trebuie trasata la curenti de colector ceva mai mari ca cei de sarcina).

 

Mai jos am postat niste caracteristici de functionare prezentate in descrierea unui kit de pe ebay pentru tranzistoare bipolare de tip N si P:

 

Am marcat cu o linie rosie in captura din partea de jos panta cand se ajunge la 60mA. Imaginati-va ce se intampla cand se trece de 1A la un tranzistor de putere ma refer. Efectuati un test asemenea si la PNP (ma refer la un curent la fel de mare) si urmariti "panta". O sa constatati exemplare de tranzistoare bipolare de putere care chiar daca au hFE-uri apropiate pe caracteristica sunt un dezastru. In cazul MOSFET-urilor, inca nu am avut ocazia sa testez dar din ce am citit se pare ca verticali sunt cei mai pacatosi, iar din acest motiv nu prea sunt recomandati in amplificatoare audio Hi-END (in PRO si aplicati nepretentioase mai merg) si tot din acest motiv un utilizator de pe diyaudio.com a dezvoltat seria N-MOS de aici unde a mers pe etaj cvasicomplementar pe MOSFET. Nu e intamplator, asta apropo de exemplu dat de Bascom H King de pe site-ul psaudio.com

 

Bineinteles ca acum vreo 10 ani in urma cand pe forumul electronistilor se producea acest kit NMOS sub o alta denumire nimeni nu si-a dat seama de ce. Poate ca unii stiau si nu au spus, nu comentez, dar un lucru e cert, e bine sa ramaneti pe acest forum ca o persoana care participa la discutii nu un user ghost. Sunt cativa utilizatori din forumul vecin care au devenit pentru Tehnium Azi asa ceva si dupa aia si-au creeat clone cu diverse denumiri ca sa mai descarce proiectele TA de aici si ce se mai posteaza util. Credeti ca nu stiu, nu e nevoie sa dau exemple. Totul se vede pe parte de admin. Eu cel putin, nu stiu ce parere au ceilalti utilizatori de aici, chiar nu as dori sa ajungeti in aceeasi situatie pentru ca precum observatii: intotdeauna apare ceva nou aici care merita invatat. Chiar si dvs. prin articolele tehnice postate vreti sa demonstrati asta si e pacat sa lasati totul de izbeliste. Dar, in fine, fiecare face ce crede de cuvinta pentru ca e om mare, nu!

[Ldhas]

E clar marian 78 are ceva cu dumneata numai la aceste postari reactioneaza.In jurul casii nu cauta doar la vecinu in curte.Sunteti un mare caracter ca aveti atata rabdare Dl. Donpetru.Toata stima.

[leo_electro]

Rasfoiam si eu site-ul psaudio.com si am vazut remarca asta subliniata mai jos:

 

MOSFETs handle power without the additional circuitry needed by tube power amplifiers, and they sound better than tubes or their solid state alternatives, bipolar transistors. Field effect transistors were first invented by Julius Edgar Lilienfeld in 1925 and because they require very little current and operate with an invisible field, their sound is more closely related to vacuum tubes than transistors, without suffering any of the issues driving loudspeakers typical of vacuum tube power amplifiers.

Not all MOSFETs are the same, their differences characterized by their relationship with the input signal and the power supply driving them: N-types for the positive going signals, P-types for negative. It turns out that N-types have lower distortion and perform better than P-types. Despite this anomaly most power amplifier designs use both types of transistor in a configuration known as complementary symmetry. The BHK takes a different approach, one that avoids the problem of uneven performance between N and P devices altogether. Using only N Channel MOSFETS in its output stage, the BHK Signature produces a near-perfect balanced waveform without the degradation inherent in a complimentary design.

 

Aspectul asta a fost subliniat de donpetru in topic.

Bascom H. King are ceva experienta in domeniu, jos palaria, chiar nu auzisem de omul asta!! 

Editat Ianuarie 8, 2018 de leo_electro