imperecherea tranzistorilor

[Cobra]

intrun fel am inteles. dar nu prea are de ce sa fie asa de mare diferenta dintre hFe_N1 si hFe_P1

[releu]

Doua tranzistoare montate in paralel, factorul de amplificare in curent este produsul dintre factorul de amplificare a fiecarui tranzistor. Acest lucru este foarte clar spus in multe carti de electronica. donpetru, a aplicat teoria foarte bine, iar ceea ce a rezultat ai vazut mai sus. Este cat se poate de logic.

Acum te-ai lamurit ?

[Cobra]

am inteles

[mmc^2]

Au trecut cateva luni de la ultimul post in acest topic.

Mai adaug si eu , atentie la tranzistoarele PNP nu sunt 100% comlementare celor PNP .Am vazut scheme in care pe ambele ramuri ale semialternantelor au fost folosite grupuri combinate de NPN-PNP ca se se compenseze diferentele .

 

Problema principala pentru noi amatorii ar fi : puterea maxima fara distorsiuni prea mari ce se poate obtine depinde de simetria montajului atat la semnal mic dar si la semnal mare in apropierea regimului de limitare .

daca unul din ramuri ajunge la limita de limitare mai intre timp ce cealalta ramura ( semialternanta) ar mai avea rezerva de modulare nu mai pot creste aplificarea .In acest fel la o diferenta relativ mica pot pierde 10-20% din puterea maxima posibila in caz de regim simetric ( imperechiat).

 

Masurarea cu multimetru ar fi doar o prima selectare .

Normal trenzistoarele finale ( sau grupurile de tranzistoare ) trebuie testate si masurate intr-un montaj alimentat cu tensiunea reala de lucru cu sarcina rezistiva ce consuma asemanator cu regimul de lucru "real" cand statia functioneaza in putere. Se folosesc scheme de sarcina artificiala care simuleaza comportamentul impedantei unui difuzor.

[Barbos Radu]

Imperecherea tranzistorilor consta in sortarea lor astfel incat o pereche de tranzistori din etajul final sa prezinte aproximativ acelasi caracteristici. Sortarea se face ast. inc. factorul de amplificare in curent a celor doua tranzistoare care formeaza perechea finala sa fie cat mai apropiat. O imperechere riguroasa a acestor tranzistoare ne ajuta sa minimizam eventualele distorsiuni de racordare care pot apare la iesirea amplificatorului, distorsiuni de racordare care au un impact semnificativ asupra cresterii procentului de distorsiuni armonice la Pmax a amplificatorului.

Actualmente nu prea mai are rost sa vorbim de scheme de masurare a factorului de amplificare in curent a tranzistoarelor deoarece acesta "facilitate" se regaseste in mai toate multimetrele obisnuite.

Pentru aplicatii "mai pretentioase", chiar si in audiofrecventa, tranzistoarele finale se testeaza si din punctul de vedere fiabilistic, realizand un montaj test, cu anumite caracteristici, unde se monteaza tranzistorul si se "incearca" (acesta este tot un termen fiabilistic). Este recomandat totusi realizarea circuitului test pentru a elimina orice suspiciune de neincadrare in parametrii de catalog a tranzistorului sau tranzistoarelor, inclusiv eliminarea oricarei suspiciuni legata de existenta unor exmplare clona sau "fake" (foarte existente la ora actuala pe piata din Romania).

 

Eu am incercat sa masor tranzistoare 2N 3055 cu multimetru digital pe hfe si mi-a ""supt""toata bateria , aceste multimetre zic eu nu sant facute pt. tranzistori de putere mare ci mica si medie , cel putin asa reiese din experientele mele . Mai bine apelati la un BETAMETRU ANALOGIC eu am primit unul construit de cineva , daca am sa pot , postez si schems ! De asemenea daca in etajul final sant 2 tranzistori DARLINGTON de tip NPN ambii nu mai este nevoie de imperechere , cica am auzit , nu am crezut , dar am incercat si a mers !

OFFTOPIC : 2N3055 si TIP 3055 sunt echivalenti diferind doar capsula , nu ?

Editat Martie 12, 2009 de B?RBOS RADU IOAN

[miron1947]

Mai bine apelati la un BETAMETRU ANALOGIC eu am primit unul construit de cineva , daca am sa pot , postez si schems !

Cel mai simplu ,,betametru",este o sursa de tensiune stabila,o rezistenta intre colector si baza si un multimetru pe curent CC.

daca in etajul final sant 2 tranzistori DARLINGTON de tip NPN ambii nu mai este nevoie de imperechere

Imperecherea,este necesara,datorita diferentelor de caracteristici datorate procesului de fabricatie,nu conteaza tipul de tranzistor.

am auzit , nu am crezut , dar am incercat si a mers !

De mers merge,dar la ce parametrii?Din intamplare,pot fi apropiati ca performante,dar aceasta este loterie,nu o regula.

[marius_med]

dar ce se intampla cu mos-fet-urile???

Si ele trebuie imperecheate?? Daca da, ce si cum masuram la ele, caci banuiesc ca nu au hFE.....?

Editat Martie 12, 2009 de marius_med

[miron1947]

Daca da, ce si cum masuram la ele, caci banuiesc ca nu au hFE.....?

Nu au hFE,dar au un echivalent,Rds(on) rezistenta maxima ?n mΩ intre drena si sursa,pentru starea ON, in functie de tensiunea grila sursaVgs.

[marius_med]

Nu au hFE,dar au un echivalent,Rds(on) rezistenta maxima ?n mΩ intre drena si sursa,pentru starea ON, in functie de tensiunea grila sursaVgs.

 

Exista aparate de masura pentru asta?

[miron1947]

Da

[donpetru]

dar ce se intampla cu mos-fet-urile???

Si ele trebuie imperecheate?? Daca da, ce si cum masuram la ele, caci banuiesc ca nu au hFE.....?

 

Tranzistoarele MOSFET se pot sorta sau imperechea aplicand metoda sau schema asta (care ai sa o gasesti tot in acest topic, intr-un PDF, care se pare ca nu l-ai citit. Nu mai spun de ce?):

 

In ceea ce priveste aparatele destinate sortarii tranzistoarelor, in special FET, postez in legatura web de mai jos un exemplu care merita toata atentia:

http://ro.farnell.com/peak/dca55r/analyser...requestid=85349

 

Numai bine

[Letcon]

Si spre exemplu daca avem 10 irf640 si vrem sa folosim doar 4,le alegem pe cele 4 care sunt cele mai apropiate ca masuratori?Am citit mai printre randuri si poate nu am inteles bine :sign_closed:

[cristivirgil]

Cu un multimetru obisnuit, care are posibilitatea masurarii hFE , nu se pot sorta/imperechea decat tranzistoare de putere mica...parerea mea!!!!

[Letcon]

Cu un multimetru obisnuit, care are posibilitatea masurarii hFE , nu se pot sorta/imperechea decat tranzistoare de putere mica...parerea mea!!!!

Ma refeream la masuratori cu schema de mai sus prezentata de donpetru,ptr masurat mosfet'uri,care se regaseste si in pdf'ul cu av800.

[donpetru]

Si spre exemplu daca avem 10 irf640 si vrem sa folosim doar 4,le alegem pe cele 4 care sunt cele mai apropiate ca masuratori?Am citit mai printre randuri si poate nu am inteles bine :sign_closed:

Ati inteles bine, alegeti tranzistoarele cu cele mai apropiate caracteristici. In cazul MOSFET-urilor, daca sunt cumparate toate o data de la un furnizor, foarte rar se intampla sa gasiti MOS-uri cu caracteristici departate.

 

Numai Bine