Sari la conținut

Un nou procedeu de realizare a semiconductorilor!

Trimis donpetru , sep 15 2010 12:27 | 2521 Vizualizari
- - - - -


Oamenii de ştiinta de la Universitatea Rice si Universitatea Statului Carolina de Nord au descoperit o metoda de atasare a moleculelor semiconductoare de siliciu. Aceasta metoda poate ajuta producatorii de semiconductori sa depaseasca Legile lui Moore prin realizarea unor microprocesoare mai mici si mult mai puternice.

Legea lui Moore, sugerata de cofondatorul Intel Gordon Moore, în 1965, spune ca numarul de tranzistori, care poate fi amplasat pe un circuit integrat, se dubleaza la fiecare doi ani. Dar chiar si asa, Moore a precizat ca legea nu poate fi sustinuta la nesfârsit, deoarece miniaturizare are propriile sale limite.

Provocarea consta în depasirea limitelor de dopare, un proces care a fost esential pentru crearea substratului de siliciu care sta la baza realizarii tuturor circuitelor integrate moderne, a declarat James Tour, profesor de chimie, inginerie mecanica, de stiinta materialelor si a calculatoarelor la Universitatea Rice.

Dopajul introduce impuritati în cristalul de siliciu pur, iar concentratia de impuritati creste cu atât mai mult cu cât creste si miniaturizarea, daca ar fi sa ne referim la un proces de tunare a circuitelor microscopice pentru o anumit uz. Din cadrul impuritatilor pot face parte un atom de bor, fosfor, arseniu etc, la 100 de milioane de siliciu. Dar cum un microprocesor poate avea la baza milioane de tranzistori, dopajul în cazul unor miniaturizari accentuate devine asadar problematic.

"Când siliciu devine foarte mic, mergând pâna la nanoscala, structura obtinuta ocupa un volum foarte mic”, a spus Tour. "Daca o sa dopati atomi de siliciu pentru a forma semiconductori o sa obtineti un dispoziv de dimensiuni reduse cu diverse neregularitati. S-ar putea sa aveti mai multi atomi decât era necesar!”. Asadar, procesul de dopare la nivel de atom este destul de anevoios, care cel putin pentru început, poate da nastere la multe rebuturi din dispozitivele semiconductoare. Sa nu uitam totusi ca mai trebuie controlata concentratia de impurititati. Asadar, la o analiza riguroasa procesul este destul de complex, dar…

Pâna în prezent producatorii au pus sute de milioane de tranzistoare într-un singur cip. Deci, pentru aplicarea noii metode nu este productiv sa se lucreze în acelasi mod.

Lucrarea sugereaza utilizarea unui monolayer molecular prin care se ataseaza moleculele de suprafata de siliciu. În esenta, acest procedeu are aceeasi functie ca si dopajul dar mult mai potrivit atunci când se lucreaza la scara de nanometri. "Noi i-am spus siliciu dopat ulterior", a spus Tour. "Noi asezam fiecare layer de molecule pe suprafata. Acestea nu se dopeaza dupa modul traditional dar efectiv se face acelasi lucru".

Tour a pus ani de cercetare în calculatoarele moleculare pentru a gasi o cale de înlocuire a siliciului. “E foarte greu sa faci pe cineva sa schimbe o tehnologie în care a investit milioane sau miliarde de dolari. Ca drept urmare ne-am decis sa ne folosim de siliciu decât sa încercam sa-l înlocuim”. El anticipeaza o larga industrie interesata de acest proces, în care moleculele de carbon ar putea fi legate de silicon, printr-o baie chimica sau evaporare.

“Acesta este un frumos punct de intrare pentru molecule în industria de siliciu”.

Sursa: sciencedaily


0 Comentarii

SUPPORT WEBSITE

    Susțineți dezvoltarea acestui site web
Today's Birthday's

Last FAQ

  • ian 11 2013 08:57
    Izolatia externa reprezinta izolația părților exterioare ale unui echipament, constând din distanțe de separare în aer si din suprafețele în contact cu aerul ale izolației solide ale unui echipament, care sunt supuse la solicitări d...
  • mar 03 2013 04:16
    Este o retea electrică al cărei punct neutru nu are nici o legătură voită cu pământul, cu excepia celei realizate prin aparate de măsurare, de protecie sau de semnalizare, având o impedană foarte mare.
  • iul 01 2014 08:27
    Acest nivel de izolatie se defineste astfel:a) pentru echipamentele cu tensiunea cea mai ridicată < 245 kV:- tensiunea nominală de tinere la impuls de trăsnet si- tensiunea nominală de tinere de scurtă durată la frecvenă indu...
  • ian 11 2013 08:34
    Supratensiunile electrice tranzitorii sunt de trei tipuri:- supratensiune cu front lent: Supratensiune tranzitorie, în general unidirecțională, având durata până la vârf 20 μs < Tp < 5000 μs si durata spatelui T2 < 20 ms...
  • aug 07 2012 08:30
    Sitemele de achizitie de date se clasifica avand in vedere doua criterii:dupa conditiile de mediu in care lucreaza:▪ sisteme destinate unor medii favorabile(laborator);▪ sisteme destinate utilizarii in condii grele de lucru( echipam...

Latest News

Board Statistics

Total Posts:
71381
Total Topics:
6296
Total Members:
30168
Newest Member:
sumer
Online At Once:
185 --- 22-ianuarie 18

84 utilizator(i) activ(i)(în ultimele 15 minute)

82 vizitatori, 0 utilizatori anonimi
Bing, Google, Marius53, alinuts

emil.matei.ro Cel mai cuprinzator director romanesc