Sari la conținut

Nanoconductoarele - elemente cheie pentru tranzistoarele viitorului

Trimis donpetru , sep 15 2010 12:58 | 2781 Vizualizari
- - - - -


O nouă generaţie de tranzistoare miniaturizate şi calculatoare mai puternice s-ar putea realiza utilizând nanoconductoare. Aceste realizării sunt foarte aproape de realitate odată cu invenția cercetătorilor de la IBM, Universitatea Purdue şi de la Universitatea California, din Los Angeles. Cercetatorii au învăţat cum să creeze nanoconductoare din straturi din materiale diferite care sunt brusc definite la nivel atomic și care reprezintă o cerinţă esenţială pentru fabricarea eficientă a tranzistorilor cu ajutorul acestor structuri.

"Având definite straturile de materiale, odată depuse joncțiunile și interconexiunile dintre aceste, se va putea controla și schimba fluxul de electroni din starea on în off și viceversa ca la orice tranzistor clasic," a declarat Eric Stach, un profesor de materiale, la Universitatea Purdue. Utilizarea nanconductoarele pe post de legatură între joncțiuni va permite o densitate mai mare de curent pe joncțiunile caracteristice ale tranzistoarelor și astfel se pot obține tranzistoare cu caracteristici net superioare celor realizate prin procedee clasice. Se poate ajunge astfel la tranzistoare in capsule standard care pot suporta curenții mult mai mari decat cele uzuale.

Dispozitivele electronice sunt adesea fabricate din "heterostructuri", în sensul că conţin straturi din materiale semiconductoare diferite, cum ar fi: siliciu şi germaniu. Cu toate acestea, până în prezent, cercetătorii au fost în măsură să producă nanoconductoare pe straturi sau layere din siliciu şi germaniu. Totuși, binecunoscutul siliciu s-a dovedit a fi incomod odată cu creșterea gradului de miniaturizare. S-a simițit astfel nevoia căutării altui material care să suplinească rolul layerelor tradiționale.

Invenția de care vă spuneam la început, constă în elaborarea unei noi metode de realizare practica a elementele de legatura dintre terminalele tranzistorului cu ajutorul nanoconductoarelor. Lucrarea care tratează acestă invenție este detaliată pe larg în revista Science din 27 noiembrie, având ca autorii: Cheng-Yen Wen (IBM), Frances Ross, Jerry Tersoff, Mark Reuter (Centrul de Cercetare J. Thomas Watson din Yorktown Heights, NY) şi Suneel Kodambaka, profesor asistent la Catedra UCLA's de Stiința și Ingineria Materialelor.

Imagine postată

Întru-cât tranzistorii convenţionali sunt realizați pe o structură plată, piesele orizontale de siliciu, nanofirele de siliciu se pot dezvolta și pe verticală. Din cauza acestei structuri verticale, tranzistorii vor avea un volum mai mic, ceea ce înseamnă că se pot încadra mai multe tranzistoare într-un circuit integrat sau cip, a spus Stach. "Dar mai întâi trebuie să învățăm cum să fabricam nanoconductoare respectând cât mai riguros standardele înainte să începem producerea industrială de serie mare a tranzistorilor", a spus el.

Nanoconductoarele ar putea permite inginerilor să rezolve o problemă care ameninţă să deraieze industria electronică. Noile tehnologii vor fi necesare pentru industrie tocmai pentru a respecta legea lui Moore, lege care precizează că numărul de tranzistori pe un cip de computer se dublează la fiecare 18 luni, rezultând un progres rapid în computere şi telecomunicaţii. Dublarea numărului de dispozitive care pot încăpea pe un cip de computer (sau microprocesor), se traduce printr-o creştere semnificativă a performanţei. Cu toate acestea, devine din ce în ce mai dificil să miniaturizăm dispozitivele electronice realizate din siliciu convenţional.

"În cel mult 10 ani dimensiunile tranzistoarelor din siliciu vor ajunge la limita fizică a lor", a spus Stach. "Iar tranzistoarele din nanoconductoare reprezintă o modalitate de a continua tradiția, adica legea lui Moore".

Sursa: Purdue University


0 Comentarii

SUPPORT WEBSITE

    Susțineți dezvoltarea acestui site web
Today's Birthday's

Last FAQ

  • ian 11 2013 08:57
    Izolatia externa reprezinta izolația părților exterioare ale unui echipament, constând din distanțe de separare în aer si din suprafețele în contact cu aerul ale izolației solide ale unui echipament, care sunt supuse la solicitări d...
  • mar 03 2013 04:16
    Este o retea electrică al cărei punct neutru nu are nici o legătură voită cu pământul, cu excepia celei realizate prin aparate de măsurare, de protecie sau de semnalizare, având o impedană foarte mare.
  • iul 01 2014 08:27
    Acest nivel de izolatie se defineste astfel:a) pentru echipamentele cu tensiunea cea mai ridicată < 245 kV:- tensiunea nominală de tinere la impuls de trăsnet si- tensiunea nominală de tinere de scurtă durată la frecvenă indu...
  • ian 11 2013 08:34
    Supratensiunile electrice tranzitorii sunt de trei tipuri:- supratensiune cu front lent: Supratensiune tranzitorie, în general unidirecțională, având durata până la vârf 20 μs < Tp < 5000 μs si durata spatelui T2 < 20 ms...
  • aug 07 2012 08:30
    Sitemele de achizitie de date se clasifica avand in vedere doua criterii:dupa conditiile de mediu in care lucreaza:▪ sisteme destinate unor medii favorabile(laborator);▪ sisteme destinate utilizarii in condii grele de lucru( echipam...

Latest News

Board Statistics

Total Posts:
71740
Total Topics:
6321
Total Members:
30319
Newest Member:
tehnomag
Online At Once:
185 --- 22-ianuarie 18

120 utilizator(i) activ(i)(în ultimele 15 minute)

114 vizitatori, 0 utilizatori anonimi
Nardu, skris, vijelie02, Bing, dmx_rmx, RockDok, gsabac, Google

emil.matei.ro Cel mai cuprinzator director romanesc