Sari la conținut

O tehnologie inovatoare de la IBM: racetrack memory

Trimis donpetru , sep 15 2010 11:06 | 2555 Vizualizari
- - - - -


Cercetătorii de la IBM au prezentat rezultate preliminare ale unei tehnologii care ar putea revoluţiona industria memoriilor electronice. Mult mai durabilă şi mai fiabilă decât memoriile existente, cu un consum mai redus şi capacitate de stocare de sute de ori mai mare la aceleaşi dimensiuni, racetrack memory ar putea să devină tehnologia de bază folosită de marii producători mondiali. Noua tehnologie IBM încearcă să extragă calităţile tehnologiilor actuale: pe de o parte există hard disk-ul tradiţional (cost redus, dar viteză de scriere şi de citire mică), pe de altă parte există memoria flash (viteză mare de citire, fiabilitate crescută, consum redus, dar viteză mai mică de scriere, cost mare). „Racetrack memory" este rezultatul a 20 de ani de cercetare în centrele IBM.

Principiul de funcţionare este următorul: pe o pastilă de siliciu se depun pe orizontal㠄trasee" de material magnetic (aşa-numitele „racetracks") a căror grosime este de ordinul nanometrilor. Pe aceste trasee se formează regiuni cu polaritate magnetică diferită. Se delimitează zone de dimensiuni egale pe aceste trasee, în interiorul zonei polaritatea este unică. O astfel de zonă reprezintă practic un bit.

Citirea şi scrierea unei astfel de memorii se realizează de sute de ori mai rapid decât în cazul oricărei alte memorii existente pe piaţă. Se aplică la unul din capetele „traseului" un curent electric cu intensitate foarte mică. Acesta va produce o deplasare a şablonului de polarizare magnetică. Obţinem astfel un registru de deplasare la scară nanometrică în care biţii curg într-o direcţie sau alta, în funcţie de capătul la care se aplică curentul electric. Astfel, scrierea şi citirea memoriei se realizează cu viteză foarte mare şi constantă.

În continuare, cercetatorii de la IBM aprofundează studiul interacţiunii dintre curentul de spin polarizat şi momentul magnetic care dă polarizarea magnetică a fiecărei zone ce stochează un bit. Domeniul este de interes şi pentru viitoarea memorie MRAM (Magnetic RAM) care utilizează un MTJ (Magnetic Tunnel Junction) pentru memorarea fiecărui bit.

Sursa: IBM


0 Comentarii

SUPPORT WEBSITE

    Susțineți dezvoltarea acestui site web
Today's Birthday's

Last FAQ

  • ian 11 2013 08:57
    Izolatia externa reprezinta izolația părților exterioare ale unui echipament, constând din distanțe de separare în aer si din suprafețele în contact cu aerul ale izolației solide ale unui echipament, care sunt supuse la solicitări d...
  • mar 03 2013 04:16
    Este o retea electrică al cărei punct neutru nu are nici o legătură voită cu pământul, cu excepia celei realizate prin aparate de măsurare, de protecie sau de semnalizare, având o impedană foarte mare.
  • iul 01 2014 08:27
    Acest nivel de izolatie se defineste astfel:a) pentru echipamentele cu tensiunea cea mai ridicată < 245 kV:- tensiunea nominală de tinere la impuls de trăsnet si- tensiunea nominală de tinere de scurtă durată la frecvenă indu...
  • ian 11 2013 08:34
    Supratensiunile electrice tranzitorii sunt de trei tipuri:- supratensiune cu front lent: Supratensiune tranzitorie, în general unidirecțională, având durata până la vârf 20 μs < Tp < 5000 μs si durata spatelui T2 < 20 ms...
  • aug 07 2012 08:30
    Sitemele de achizitie de date se clasifica avand in vedere doua criterii:dupa conditiile de mediu in care lucreaza:▪ sisteme destinate unor medii favorabile(laborator);▪ sisteme destinate utilizarii in condii grele de lucru( echipam...

Latest News

Board Statistics

Total Posts:
71400
Total Topics:
6300
Total Members:
30172
Newest Member:
nicd
Online At Once:
185 --- 22-ianuarie 18

95 utilizator(i) activ(i)(în ultimele 15 minute)

91 vizitatori, 0 utilizatori anonimi
Google, Bing, sandurelu, Telectualu, donpetru, Yahoo, victor_adrian

emil.matei.ro Cel mai cuprinzator director romanesc