Sari la conținut

Bine ați venit pe site-ul web TEHNIUM AZI - un site web cu și despre tehnologie în memoria revistei Tehnium.

    Bine ați venit pe site-ul web TEHNIUM AZI, că în cele mai multe comunităţi online și aici trebuie să vă înregistraţi pentru a vizualiza, descărca fișiere sau postă în comunitatea noastră, dar nu vă faceţi griji acesta este un proces simplu, gratuit, care necesită informaţii minime pentru înscriere. Faceți parte din comunitatea TEHNIUM AZI prin autentificare sau crearea unui cont de utilizator pentru: a începe subiecte noi şi răspunde la alte subiecte; a te abona la subiecte şi forumuri în scopul obținerii de informații actualizate în mod automat; a avea propriul tău profil și ați face noi prieteni; și pentru a vă personaliza experienţa dumneavoastră aici.

    Pentru suport tehnic vizitați:   FORUMUL  TEHNIUM AZI

Ultimele comentarii din Downloads


Ultimele comentarii din galeria de imagini

Tranzistorul bipolar
* * * * *
1. Prezentare generală

Un tranzistor bipolar este constituit din trei zone alternate ca dotare - PNP sau NPN - realizate pe acelaşi monocristal. Zona de la mijloc este foarte subţire comparativ cu celelalte şi poartă denumirea de baza (B). Zonele extreme sunt denumite în funcţie de polarizarea externă, emitor (E) şi colector ©. Cele trei regiuni au contacte ohmice care sunt scoase în afara capsulei tranzistorului şi se numesc terminale.

Imagine postată

În funcţie de tipul zonelor (N sau P) care sunt alternate, există două categorii de tranzistoare: NPN si PNP (fig.1). Datorită modului de realizare, apar două joncţiuni PN: joncţiunea emitor-bază (EB) şi joncţiunea bază-colector (BC) care pot fi asimilate cu două diode semiconductoare. În practică, dacă nu deţinem un catalog, se poate întâmpla să găsim un trazistor căruia să nu îi cunoaştem structura (NPN sau PNP). În această situaţie se apelează la o metodă de identificare a structurii tranzistorului bipolar după indicaţiile din fig.2. Această metodă presupune existenţa unui aparat de măsură, mai exact a unui multimetru digital având comutatorul setat pe poziţia "testare diode".

Imagine postată

Dotarea cu atomi donori sau acceptori a emitorului şi colectorului este mult mai mare ca a bazei (de cca. 100 ori). Pentru ca tranzistorul să funcţioneze, joncţiunea EB se polarizează în sens direct iar joncţiunea BC în sens invers cu o tensiune mult mai mare ca a joncţiunii EB.

În cele ce urmează se va explica funcţionarea unui tranzistor NPN care se utilizează cel mai des (fig.3).

Concentraţia de purtători în emitor (electroni) fiind mult mai mare decât în bază şi deoarece joncţiunea EB este polarizată direct de la o sursă externă UEB (fig.3), are loc o injecţie masiva de electroni din emitor (reprezentat printr-o săgeată) în regiunea bazei unde găseşte un număr mult mai mic de goluri. Aceste goluri se recombină cu o mică parte din electronii injectaţi. Datorită faptului că baza este foarte subţire majoritatea electronilor străbat această regiune şi pătrund în zona colectorului. Joncţiunea BC fiind polarizată în sens invers (pe colector se aplica tensiunea Ucb pozitivă faţă de bază), apare un câmp electric care accelerează, electronii veniţi din bază spre colector. În regiunea colectorului electronii veniţi din bază se recombină cu golurile sosite de la sursa de alimentare. Se remarcă astfel, că deşi joncţiunea BC este polarizată invers, prin ea trece un curent mare, aproape egal cu curentul direct al joncţiunii EB.

Aceasta reprezintă principala proprietate a efectului de tranzistor care poate fi enunţat astfel: printr-o joncţiune polarizată invers poate trece un curent mare dacă în imediata vecinătate (baza are grosime foarte mica) se găseşte o joncţiune polarizată direct. În cazul în care grosimea bazei este mare (mai mare ca lungimea de difuzie a purtătorilor din emitor în bază) atunci efectul de tranzistor este inexistent şi cele două joncţiuni înseriate sunt independente.

Imagine postată

În fig.3 se prezintă fluxurile de purtători de sarcini prin tranzistor. Curentul de emitor este format din două componente:

Imagine postată

Curentul IEN se datorează electronilor majoritari iar curentul IEP este curentul invers (datorat golurilor) al joncţiunii BE care este foarte mic şi se poate neglija.

Curentul de colector este format dintr-o fracţiune "α" a curentului de electroni ai emitorului şi din curentul invers de goluri al joncţiunii BC notat ICB0:

Imagine postată

Factorul α are valori uzuale de ordinul 0,900...0,999. Curentul ICB0 este de dorit a fi cât mai mic. El reprezintă astfel zis „factorul de calitate" al unui tranzistor. În majoritate aplicaţiilor acest curent se poate neglija pentru tranzistoarele actuale.

Curentul bazei este determinat de curentul invers al joncţiunii BE (IEP), de curentul de recombinare ai electronilor cu golurile din bază (IRB) şi de curentul ICB0:

Imagine postată

Pe baza consideraţiilor de mai sus putem scrie relaţia fundamentală de funcţionare a tranzistorului:

Imagine postată

Pentru tranzistoarele de tip PNP, funcţionarea este identică, cu observaţia că polarizările externe sunt de sens invers iar fluxul majoritor de purtători este format din goluri. Sensurile curenţilor precum şi polarizările pentru cele două tipuri de tranzistoare sunt prezentate în fig. 1.
Dacă se neglijează ICB0 se poate defini un coeficient care arată de câte ori curentul de colector este mai mare decât curentul de bază.
Imagine postată

Acest factor exprimă amplificarea în curent continuu a tranzistorului şi arată cum un curent mic de bază duce la apariţia unui curent de colector mult mai mare.

Pentru tranzistoarele actuale, a având o valoare foarte apropiată de 1, rezultă pentru β valori mari cuprinse în general între 10 şi 1000. Factorul de amplificare în curent continuu depinde de temperatură şi de mărimea curentului de colector. El creşte odată cu creşterea temperaturii şi scade la curenţi de colector mari.

Deci, efectul de tranzistor consta in modificarea curentului de goluri (care pleacă de la emitor şi ajunge la colector) prin modificarea tensiunii de polarizare a unei joncţiuni polarizate direct şi anume tensiunea de polarizare a joncţiunii emitor - bază.

2. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare

Producătorul de tranzistoare indică în foile de catalog legătura grafică dintre curenţii prin tranzistor şi tensiunile continue aplicate între terminale. Aceasta reprezintă caracteristicile statice. Ca punct de referinţă al tensiunilor poate fi ales oricare din contactele tranzistorului. În practică, cel mai des tensiunile se referă la emitor sau cu alte cuvinte cel mai uzual mod de conectare în scheme al tranzistorului, este conexiunea emitor-comun (EC), care se va descrie mai departe.
Imagine postată

În fig.4 se prezintă pentru un tranzistor NPN cu siliciu aceste caracteristici şi montajul cu care se pot determina. Mărimile lB şi UBE sunt mărimi de intrare, iar IC şi UCE, mărimi de ieşire.
  • Caracteristica de intrare — reprezintă variaţia curentului de baza în funcţie de tensiunea UBE. Ea se determină menţinând din P2 o tensiune UCE constantă şi se variază cu P1 tensiunea de polarizare a bazei UBE. Se măsoară IB şi UBE. Această caracteristică este asemănătoare cu a unei joncţiuni PN polarizată direct (fig.4c). Apariţia curentului IB şi implicit a curentului IC, are loc numai la depăşirea unui prag de tensiune UD numit tensiune de deschidere. Această tensiune depinde de materialul semiconductor. Astfel pentru tranzistoarele cu Si deschiderea are loc pentru tensiuni UBE cuprinse între cca 0,5 V şi 0,65 V iar pentru cele cu Ge intre 0,1 V şi 0,2 V.
  • Caracteristica de ieşire — exprimă variaţia curentului de colector IC în funcţie de UCE pentru diferite valori ale curentului de bază IB. Pentru determinarea ei, se stabileşte cu P1 o anumită valoare a curentului de bază IB care se menţine constantă. Apoi cu P2 se modifică tensiunea UCEC corespunzător. Studiul acestei caracteristici arată că la un curent de bază constant, curentul de colector creste foarte puţin cu UCE şi de multe ori în practică el se consideră ca independent de această tensiune. IC depinde în mod esenţial de IB şi deci de UBE (fig.4b).
  • Caracteristica de transfer arată dependenţa curentului de colector, de curentul de bază. Ea se determină reglând simultan P1 şi P2 pentru a menţine UCE În acelaşi timp se măsoară variaţia lui IC în funcţie de IB. Această caracteristică este o linie dreaptă a cărei înclinare depinde de factorul de amplificare în c.c. (fig.4d).
3. Regimurile de funcţionare ale tranzistoarelor

Din punct de vedere al modului de polarizare al celor trei joncţiuni există trei regimuri de funcţionare:
  • Regimul activ normal (zona II din fig.4b). Tranzistorul are joncţiunea BE polarizată direct, iar joncţiunea BC în sens invers. Limitele acestui regim sunt determinate de condiţia anulării uneia din tensiunile de polarizare. Curentul de colector al tranzistorului este controlat de circuitul de bază.
  • Regimul de blocare sau tăiere (zona III din fig.4b). Joncţiunile BE şi BC sunt polarizate în sens invers. Curentul care trece prin tranzistor este foarte mic (de ordinul nanoamperilor) şi e datorat purtătorilor minoritari generaţi termic. Tensiunea inversă maximă care poate fi aplicată joncţiunii BE în regim blocat depinde de tipul tranzistorului şi este specificată în catalog. Astfel pentru tranzistoarele de înaltă frecvenţă cu Ge este de cca 0,3 V, la tranzistoarele cu Si de 3…7 V iar la tranzistoarele cu Ge aliate de 10…20 V. În cazul depăşirii acestei tensiuni, joncţiunea BE se comportă ca o diodă Zener cu o caracteristică foarte abruptă, apare un curent important invers şi dacă nu există o rezistenţă de limitare, tranzistorul se distruge prin ambalare termică. Acest efect Zener al joncţiunii BE este exploatat la unele tranzistoare de construcţie specială utilizate în etajele finale de baleiaj orizontal TV (TV CRT).
  • Regimul de saturaţie (zona I din fig.4b). Joncţiunile BE şi BC sunt polarizate în sens direct. Curenţii care circulă prin tranzistor sunt limitaţi în principal de circuitul exterior. Acest regim poate apare şi la un tranzistor căruia i se aplică sursele de polarizare pentru funcţionare în regiunea activă normală. Astfel, dacă in fig.4a, potenţiometrul P2 se înlocuieşte cu rezistenţa RC conectată între colector şi +EC, se vede că prin mărirea tensiunii UBE se poate ajunge ca la un moment dat curentul Ic să crească la o valoare încât toată tensiunea de alimentare să cadă pe Rc. Se va produce astfel o limitare a curentului de colector la valoarea:
Imagine postată

unde tensiunea UCE este foarte aproape de zero şi marchează frontiera dintre regimul activ normal şi regimul de saturaţie. Până la atingerea valorii Ics printr-un curent IBS, la un tranzistor în regim activ normal se poate considera practic:

Imagine postată

Mărirea curentului de bază peste valoarea IBS nu va mai produce o mărire proporţională a curentului de colector, el rămânând la valoarea ICS care nu poate fi depăşită fiind limitată de circuitul extern. Curentul de emitor însă va creşte în continuare cu diferenţa dintre curentul de bază existent şi valoarea IBS.

Cu alte cuvinte un curent de saturaţie ICS printr-un tranzistor a cărui valoare depinde de mărimile exterioare RC şi EC poate fi obţinut dacă în bază se injectează un curent minim IBS. Tensiunea colector-emitor obţinută se numeşte tensiune de saturaţie — UCEsat.

4. Regimul dinamic al tranzistoarelor bipolare

Tranzistorul ca element de circuit poate fi considerat ca un cuadripol activ (fig.5). Întrucât are numai trei electrozi, unul va fi comun intrării şi ieşirii. Acest electrod sau terminal va servi ca punct de referinţă al tensiunilor şi este considerat la potenţial zero (masă).
La funcţionarea în regim dinamic curenţii şi tensiunile pe contactele tranzistorului sunt mărimi variabile în timp.


Imagine postată


În funcţie de terminalul comun ales, există trei moduri fundamentale de conectare: cu baza comună (BC), cu emitor comun (EC) şi cu colector comun (CC) (fig.6).



Imagine postată


a). Circuitul cu bază comună (BC) se caracterizează prin aceea că semnalul este aplicat între bază şi emitor iar rezistenţa de sarcină RC este montată între colector şi bază (din punct de vedere al c.a. sursele EB şi E0 se prezintă în s.c).
Datorită valorii mari a curentului de intrare care este curentul de emitor, amplificarea în curent este apropriată de unitate şi impedanţa de intrare este redusă la zeci sau sute de ohmi. Acest lucru constituie un dezavantaj în cazul montajelor cu mai multe etaje de amplificare unde impedanţa de intrare mică amortizează impedanţa de ieşire a etajului precedent, lucru ce impune utilizarea unor circuite de adaptare complicate. Cu toate acestea montajul BC este larg utilizat în amplificatoarele de înaltă frecvenţă fiind preferat montajului EC unde capacitatea de reacţie colector-bază proprie tranzistoarelor poate produce autooscilarea etajului. În conexiunea BC, această capacitate apare numai în circuitul de ieşire.

Impedanţa de ieşire este mare, de ordinul sutelor de kOhmi sau MOhmi. Amplificarea de tensiune este de asemenea mare, iar în cazul particular când în colector şi emitor există rezistenţele RC şi RE este egală (pentru frecvenţe joase) aproximativ cu raportul lor: RC/RE.

Faza semnalului de ieşire este identică cu a semnalului de intrare. Acesta se poate explica în modul cel mai simplu astfel: dacă tensiunea de intrare tinde să crească, va creşte deci potenţialul emitorului, lucru ce va antrena scăderea curentului de colector şi deci creşterea tensiunii de colector (adică a tensiunii de ieşire).

b). Circuitul cu colector comun (CC) este caracterizat prin faptul că semnalul de intrare se aplică între bază şi colector iar rezistenţa de sarcină RE este conectată între emitor şi colector (din punct de vedere al ca. EB şi EC sunt în s.c). Dacă schema din fig.6c o redesenăm ca în fig.6d, observăm că doar o fracţiune din tensiunea de intrare U1 se aplică între bază şi emitor (UBE). Aceasta va produce o variaţie a curenţilor IB, IE şi IC. Curentul de emitor produce pe rezistenţa de sarcină RE o tensiune de ieşire U2 mai mică ca tensiunea de intrare (U1= UBE + U2). De aceea amplificarea în tensiune este subunitară (0,09 — 0,95).

Datorită valorii mici a curentului de intrare (curentul bază), amplificarea de curent şi impedanţa de intrare sunt mari.

Impedanţa de ieşire este foarte mică. Ca valori concrete, impedanţa de intrare este de ordinul zecilor de kiloOhmi, iar impedanţa de ieşire de ordinul zecilor de ohmi. Ambele impedanţe sunt dependente de β, IC şi RE. Datorită acestei particularităţi a celor două impedanţe, conexiunea CC se utilizează în practică în special pentru adaptare.

Întrucât amplificarea în tensiune este aproape unitară, etajul se mai numeşte şi repetor pe emitor, el reproducând practic la ieşire semnalul de intrare ca amplitudine şi fază.

c). Circuitul cu emitor comun (EC). Semnalul de intrare se aplică între bază şi emitor iar rezistenţa de sarcină este conectată între colector şi emitor. Întrucât curentul de intrare, care este curentul de bază, are valoare mică, comparativ cu IE, impedanţa de intrare este mai mare ca la conexiunea BC, ceea ce permite realizarea unor amplificatoare cu mai multe etaje fără măsuri speciale de adaptare. De asemenea impedanţa de ieşire este relativ mare fiind de ordinul zecilor sau sutelor de kiloohmi.

Amplificarea în tensiune, dacă se consideră în circuitul de emitor o rezistenţă RE, este dată aproximativ, pentru frecvenţe joase, de raportul RC/RE, iar amplificarea în curent este factorul ß. Este montajul cel mai des utilizat în practică ca urmare a celor arătate mai sus.

Ca o observaţie importantă trebuie reţinut că semnalul amplificat în tensiune la ieşire este în antifază cu cel de la intrare. Astfel, dacă se presupune o variaţie a tensiunii de intrare (UBE) în sens crescător, aceasta determină o creştere a curentului IB deci si IC, lucru ce duce la creşterea căderii de tensiune pe RC şi în ultimă instanţă la o scădere a tensiunii de ieşire (UCE).

În tabelul de mai jos sunt concentrate caracteristicile schemelor de bază din fig.6.


Imagine postată

În fig.7 se prezintă un etaj amplificator în conexiune EC cu un tranzistor NPN.

Imagine postată


Considerând că tensiunea sursei de semnal US este nulă, observăm că sursa de alimentare EC se divide pe Rc şi pe tranzistor între colector şi emitor conform relaţiei:
Imagine postată

Această ecuaţie se poate reprezenta în planul caracteristicilor statice de ieşire (fig.4b şi fig.7b) printr-o dreaptă AB numită şi dreaptă de sarcină ale cărei capete sunt caracterizate prin:
Imagine postată

Prin alegerea unei polarizări a bazei (EB) se poate stabili un curent IBO a cărui caracteristică întretaie dreapta de sarcină în punctul P. Acest punct se numeşte punct de funcţionare şi în planul caracteristicilor de ieşire îi corespunde un curent de colector ICO şi o tensiune UCE.

Dacă însă peste polarizarea bazei se suprapune o componentă de tensiune alternativă US, curentul de bază variază: IB = IB2 — IB1. Aceasta va determina în circuitul colectorului variaţii ale curentului de colector (A/c) şi tensiunii colector-emiior (UCE) în jurul valorii statice IC0, respectiv UCE0.

Cu alte cuvinte dacă în circuitul bazei se aplică un semnal de ca., în circuitul colectorului se obţine acelaşi semnal dar amplificat şi în antifază. Amplificarea depinde de tranzistor şi de mărimile externe RB, RC.

Factorul de amplificare definit anterior, este un parametru care exprimă raportul IC/IB în c.c. sau la frecvenţe mici (cca. 1 kHz). Atunci când frecvenţa de lucru creşte, raportul dintre valoarea curentului alternativ de colector şi valoarea curentului alternativ de bază devine mai mic ca β şi în această situaţie se defineşte un nou parametru — h21e — numit şi raport de transfer direct de curent. Acesta scade atunci când frecvenţa creşte. Frecvenţa la care el devine egal cu 1 se numeşte frecvenţă de tăiere şi se notează cu fT.

Ca o observaţie la acest parametru, trebuie menţionat că frecvenţa de tăiere fT în conexiune EC este inferioară conexiunii BC, unde este de β ori mai mare. Aceasta justifică utilizarea montajului BC în amplificatoare de frecvenţă înaltă.

Amplificarea de tensiune a acestui etaj se poate exprima ca şi în cazul unei pentode prin:

Imagine postată

unde RC este impedanţa de sarcină iar S este panta tranzistorului.

Panta este un parametru care arată cu cât variază curentul de ieşire (colector) în mA pentru 1 V variaţie a tensiunii de intrare (UBE). Ea se exprimă în mA/V. O caracteristică comună tranzistoarelor bipolare este că panta creşte proporţional aproape liniar cu curentul şi anume cu cca. 35 mA/V pentru fiecare mA al curentului de colector. De exemplu, dacă un tranzistor are IC = 5mA atunci S = 35 • 5 = 175 mA/V şi dacă RC = 1K avem o amplificare de tensiune Au = 175 • 1 = 175.

Imagine postată

La curenţi mari, aproape de curentul maxim de colector admis, panta este mai mică şi nu mai creşte liniar cu IC. De asemenea panta depinde de frecvenţa de lucru. Legea liniară este valabilă în general la frecvenţe joase. La frecvenţe medii şi înalte ea scade cu frecvenţa ajungând să fie de cca. 25—30% la frecvenţe apropiate de T*fT. Acest lucru se datorează în principal faptului că timpul necesar pentru parcurgerea grosimii bazei, la frecvenţe de ordinul a (0,1…0,2)*fT devine comparabil cu perioada frecvenţei şi curentul de colector încetează de a mai urmări prompt variaţiile instantanee ale curentului de bază. Ca efect are loc o reducere a amplificării şi apariţia unui defazaj între curentul de ieşire faţă de cel de intrare.

Poziţionarea punctului static de funcţionare — P — (fig.7b) pe dreapta de sarcină este deosebit de importantă. De ei depinde funcţionarea tranzistorului în regim liniar sau neliniar precum şi timpul cit conduce din totalul unei perioade. În fig.8 se prezintă câteva situaţii particulare de poziţionare ale punctului static utilizate în practică.

În cazul în care se doreşte o funcţionare cât mai liniară, punctul static va fi la mijlocul dreptei de sarcină în M2. În acest caz tranzistorul va conduce toată perioada semnalului (360° sau 2π). Alternanţele tensiunii de colector sunt simetrice şi pot avea amplitudinea maximă aproape egală cu jumătate din EC. Se spune că tranzistorul funcţionează în clasă A.

Dacă punctul static este aproape de zona de saturaţie — M1 — atunci una din alternanţe va fi limitată şi are loc o funcţionare neliniară. Alegând punctul de funcţionare — M4 — la intersecţia dreptei de sarcină cu axa UCE se obţine o conducţie a tranzistorului de o jumătate de perioadă (180° sau π). Semnalul în colector va avea o singură alternanţă şi tranzistorul va funcţiona în clasa B. Curentul continuu consumat de la sursă este nul în absenţa semnalului şi el creşte pe măsura creşterii lui. Acest regim permite obţinerea de randamente energetice mari (până la 80%).

Dacă însă punctul de funcţionare este M3 adică aproape de punctul de tăiere al tranzistorului, atunci este posibil ca de la un anumit nivel al semnalului de intrare, tranzistorul să conducă mai puţin de o perioadă. Tranzistorul va funcţiona în clasa AB şi consumul de curent de la sursă când nu se aplică semnal la intrare este mic. Acest mod de lucru este utilizat în amplificatoarele audio în contratimp cu mare randament pentru reducerea distorsiunilor de racordare.

Din punct de vedere practic apare uneori necesitatea ca tranzistorul să conducă mai puţin de o jumătate de perioadă. În acest caz punctul de funcţionare va fi M5 şi tranzistorul va funcţiona în clasa C. Pentru aceasta, circuitul de intrare va avea o polarizare a bazei care va permite ca numai de la un anumit nivel al alternanţei pozitive a semnalului de intrare tranzistorul să se deschidă. Acest regim are cel mai mare randament energetic şi se utilizează în etajele de amplificare RF sau multiplicare de frecvenţă (procentul de armonici este mare datorită formei pulsului curentului de colector) din emiţătoare.

O ultimă clasă de funcţionare, este clasa D. În acest caz tranzistorul lucrează în regim de comutaţie, blocare — saturaţie. Puterea disipată de tranzistor în cele două stări este minimă şi se pot obţine amplificări foarte mari cu randamente deosebit de ridicate. Dezavantajul este că partea de intrare este complicată.

5. Polarizarea tranzistoarelor

În cele prezentate mai sus s-a considerat că joncţiunile EC şi BC au fost polarizate cu două surse separate EB şi EC. Acest lucru creează din punct de vedere practic multe dificultăţi. De aceea cel mai răspândit mod de polarizare este acela care utilizează o sursă comună de alimentare — după cum se prezintă în fig.9 pentru un tranzistor NPN în conexiune EC şi regim de amplificare clasă A.

Imagine postată

Sursa EC furnizează atât curentul de colector cât şi curentul de bază necesar poziţionării punctului static de funcţionare pe dreapta de sarcină în zona dorită (fig.9a). Marele dezavantaj al acestei scheme este că datorită dispersiei mari a parametrilor tranzistorului (IB, β) pe de o parte, iar pe de altă parte datorită variaţiei lor cu temperatura, punctul static de funcţionare nu poate fi controlat în practică.
  • Lui elco, Gabix, adrian.suciu și altor 4 le place asta


3 Comentarii

Articolul este bun. Dar...
La funcţionarea tranzistorului, mi se pare că s-ar explica mai mult unui cunoscător decât unui începător. De exemplu şi în literatura pe care o posed (veche, nouă mai există ?) şi la şcoală, nu mi s-a explicat... ce sânt golurile ??... Mulţi ani nu am ştiut... Deci există electroni si există şi goluri. Şi unele şi altele se mişca. Par două lucruri diferite. Să fie golul vreo particulă subatomică, ceva ?
Mare greşală din partea dascălilor ! La fel e şi cu sensul curentului electric care este predat "bătut în cuie" de la + la -. Când am spus unui coleg (de meserie, eram elevi atunci), că este de fapt invers, mai să-mi "sară la gât", că el învăţase la şcoală...
Gabix
Frumos articol dar mi-ar place sa vad un articol la fel despre tranzistorul MOSFET. Se poate sa ne onorati si cu un asemenea articol ?

Interesant articolul, dar sigur greu de asimilat. Ca orice lucrare de electronica din tara noastra sufera de ceva ceea ce il face inabordabil decat de la un nivel al cunostiintelor unde devine inutil. Calea de mijloc, ceea ce americani au inteles demult dar care la noi lipseste si la ora actuala cu desavarsire. Nevoia unor autori de specialitate care sa se adreseze si celor ce nu au studii superioare in domeniu. La noi este "jignitor" sa-ti cobori "nivelul" ca si un individ care nu este idiot dar nu are pregatiri inalte in domeniu sa inteleaga ce ai vrut sa spui. Nevoia unei explicati de nivel mediu in domeniu. NU ma refer la cartile pentru copii de genul "un tranzistor, doi tranzistori" si nici la "tratatele" universitare ci la calea de mijloc. Multumesc pentru intelegere.

    • criss53 ii(le) place mesajul asta

Latest News

Last FAQ

  • ian 11 2013 08:57
    Izolatia externa reprezinta izolația părților exterioare ale unui echipament, constând din distanțe de separare în aer si din suprafețele în contact cu aerul ale izolației solide ale unui echipament, care sunt supuse la solicitări d...
  • mar 03 2013 04:16
    Este o retea electrică al cărei punct neutru nu are nici o legătură voită cu pământul, cu excepia celei realizate prin aparate de măsurare, de protecie sau de semnalizare, având o impedană foarte mare.
  • iul 01 2014 08:27
    Acest nivel de izolatie se defineste astfel:a) pentru echipamentele cu tensiunea cea mai ridicată < 245 kV:- tensiunea nominală de tinere la impuls de trăsnet si- tensiunea nominală de tinere de scurtă durată la frecvenă indu...
  • ian 11 2013 08:34
    Supratensiunile electrice tranzitorii sunt de trei tipuri:- supratensiune cu front lent: Supratensiune tranzitorie, în general unidirecțională, având durata până la vârf 20 μs < Tp < 5000 μs si durata spatelui T2 < 20 ms...
  • aug 07 2012 08:30
    Sitemele de achizitie de date se clasifica avand in vedere doua criterii:dupa conditiile de mediu in care lucreaza:▪ sisteme destinate unor medii favorabile(laborator);▪ sisteme destinate utilizarii in condii grele de lucru( echipam...

Board Statistics

Total Posts:
70014
Total Topics:
6109
Total Members:
29067
Newest Member:
valyk007
Online At Once:
133 --- 17-iulie 17

70 utilizator(i) activ(i)(în ultimele 15 minute)

66 vizitatori, 0 utilizatori anonimi
Google, iozsi39, Bing, Yahoo, Sandu si Atat, uscatu83, vijelie02

emil.matei.ro Cel mai cuprinzator director romanesc