Sari la conținut

Bine ați venit pe site-ul web TEHNIUM AZI - un site web cu și despre tehnologie în memoria revistei Tehnium.

    Bine ați venit pe site-ul web TEHNIUM AZI, ca în cele mai multe comunităţi online și aici trebuie să vă înregistraţi pentru a vizualiza, descarca fișiere sau posta în comunitatea noastră, dar nu vă faceţi griji acesta este un proces simplu, gratuit, care necesită informaţii minime pentru înscriere. Faceți parte din comunitatea TEHNIUM AZI prin autentificare sau crearea unui cont de utilizator pentru: a incepe subiecte noi şi răspunde la alte subiecte; a te abona la subiecte şi forumuri în scopul obținerii de informații actualizate în mod automat; a avea propriul tău profil și ați face noi prieteni; și pentru a vă personaliza experienţa dumneavoastră aici.

    Pentru suport tehnic vă rugăm să vizitați:   FORUMUL  TEHNIUM AZI

Today's Birthday's
Despre functionarea etajului final mosfet clasa AB
* * * - -
Salutari tuturor.

S-a discutat si rediscutat chestiunea asta, si invariabil au aparut si unele polemici legate de 2 subiecte principale:

-Se poate limita curentul prin finali doar prin folosirea a unor diode zenner in porti?

-Ce tensiune trebuie sa aiba zennerele pentru a nu influenta negativ buna functionare a etajului final in regim normal?

Multe s-au spus pe aceasta tema, unele lucruri reale, altele inchipuite, nu voi dezbate aici diferite versiuni de etaje finale in aceasta clasa, nici solutii de atac sau alte detalii mai mult sau mai putin avansate, in schimb voi incerca sa demonstrez un principiu elementar legat de insasi functionarea tranzistorului mosfet si ce face el, nu voi folosi nici relatii matematice avansate sau termeni greu de retinut, in schimb voi incerca in stilul propriu sa simplific lucrurile pana la notiuni elementare, pentru a usura intelegerea lor, pastrand totusi corectitudinea datelor. Sunteti invitati sa tratati fix cum doriti acest articol, fie il ignorati daca va considerati suficient de experimentati, fie il cititi, si daca o faceti, puteti lasa orice comentariu in limita bunului simt, tinand cont de faptul ca nu voi intretine polemicile.
Asadar se da un etaj final mosfet in clasa AB de la un amplificator audio, pentru conformitate prezint si o schema de principiu ( ca de obicei, click pe imagini pentru rezolutie mai mare ):
Imagine postată

-Se poate limita curentul prin finali doar prin folosirea a unor diode zenner in porti?
Da, se poate, si pentru a intelege de ce si cum, trebuie sa elaboram putin o caracteristica principala a tranzistorului mosfet. Avem mai sus un etaj final complementar, un mosfet canal N si unul canal P, fiecare reproduce cate o semialternanta pentru a asigura pe sarcina un ciclu complet, ne vom fixa pe o singura ramura pentru ca in fond cealalta nu face decat sa reproduca in oglinda comportamentul acesteia, astfel incat ne fixam pe mosfetul canal N si ne vom ajuta de multisim pentru a demonstra ideile prezentate. Se da un IRFP240 folosit des in etajele finale audio clasa AB, cu o tensiune maxima drena-sursa de 200V, Rds-On de 0,18 Ohm ( o sa constatati citind acest articol ca Rds-On este de fapt irelevant ), si ID maxim de 20A, in pdf se spune faptul ca acest tranzistor are ca si prag minim al tensiunii intre poarta si sursa la care incepe sa conduca intre drena si sursa ( VgsTh ) de pe la 2V, de retinut este faptul ca aceasta este valoarea minima specificata de producator dar asa cum probabil va imaginati, nu trebuie sa fie fixa la fiecare tranzistorm, exista o oarecare dispersie dar nu ne intereseaza pe noi asta. Deci iata:
Imagine postată

Am pus acel mosfet, am pus o tensiune de alimentare de 40V ( una curent folosita ca si ramura de alimentare la amplificatoare audio ), o sarcina oarecare, un ampermetru inseriat cu drena, un voltmetru intre poarta si sursa si o sursa de tensiune de 12V care sa alimenteze poarta prin intermediul acelui potentiometru. In pdf-urile tranzistorului exista graficul Vgs vs Id, caracteristica de transfer, adica ce curent de drena corespunde unei anumite tensiuni poarta-sursa, sau invers ce tensiune poarta-sursa este necesara pentru un anumit curent de drena dorit, aceasta caracteristica va fi explorata de-a lungul acestui articol deoarece ea este cea care faciliteaza limitarea curentului prin final prin folosirea unei diode zenner in poarta.

In imaginea de mai sus se poate observa o tensiune intre poarta si sursa de cca 2V, si faotul ca mosfetul este inca blocat ( un curent de drena de 0,04mA ), marind putin tensiunea din poarta:
Imagine postată

Se atinge si pragul acela VgsTh, adica punctul unde mosfetul incepe sa conduca, iata in continuare cateva tensiuni prag poarta-sursa si curentul de drena corespondent:
Imagine postată
Imagine postată
Imagine postată
Imagine postată
Imagine postată
Imagine postată
Imagine postată

Ne oprim putin aici si observam faptul ca la cca 5,5V mosfetul de fata se poate considera complet deschis, el conducand mai bine de 20A intre drena si sursa. Reiterez faptul ca acest parametru difera de la tranzistor la tranzistor si ca in practica acesti 5,5V pot fi de fapt 6V sau 7V, dar asta este mai putin important, diferentele oricum nu sunt foarte mari.

Ok hai sa vedem ce se intampla daca micsoram rezistenta de sarcina, ( deci fortam marirea curentului ):
Imagine postată

Rezistenta a fost redusa cu mai bine 30% dar curentul de sarcina a crescut doar cu ceva mai putin de 1,5%... Revenind la o valoare mai realista a curentului prin final, la 40V ramuri de alimentare si ignorand caderea de pe tranzistor rezulta ca pentru o sarcina de 4 Ohm curentul maxim nu poate fi mai mare de 10A, (la sinus acesta este curentul de varf). Deci:
Imagine postată
La ceva mai mult de 4V mosfetul conduce deja cei 10A curent de drena, si in ciuda reducerii R1:
Imagine postată
Imagine postată

Curentul de drena ramane relativ acelasi, si este normal sa fie asa deoarece mosfetul este un dispozitiv comandat in tensiune, adica pentru o anumita tensiune intre poarta si sursa, mosfetul poate conduce intre drena si sursa doar un anumit curent, imaginati-va un generator de curent constant si ce face el, adica reduce tensiunea de pe sarcina pentru a mentine curentul maxim presetat, cam asta face si mosfetul in aceasta configuratie, adica mentinandu-se o tensiune fixa intre poarta si sursa, se mentine si un curent relativ fix de drena indiferent de cat de mult cere sarcina.

Revenim la o configuratie mai apropiata de cea prezenta in etajul final de mai sus, si adaugam R3 pe post de sarcina si R1 serveste ca rezistenta de putere de obicei inseriata cu sursa mosfetului, aceasta serveste ca un soi de senzor de curent, face pragul tensiunii zenner-ului necesar ceva mai predictibil, si stiind ca in realitate pe mosfet exista o cadere de tensiune care poate fi de 4-5V in cazul in care partea de atac este alimentata de la aceeasi tensiune ca si finalul, si luand in considerare si caderea de pe rezistenta de putere, rezulta un curent de varf maxim posibil pe sarcina de 4 Ohm la alimentari de 40V pe ramura, de hai sa zicem 8A ( in practica aceasta valoare poate sa difere dar nu asta ne intereseaza ):
Imagine postată

Punctul de legatura dintre R1 si R3 este insasi iesirea amplificatorului, dioda zenner despre care se vorbeste se pune de obicei intre poarta si acest punct, adica intre poarta si iesire, ea limiteaza tensiunea maxim posibila intre poarta si iesire, adica tensiunea maxim posibila atat intre poarta si sursa la mosfet cat si pe rezistenta de putere, si constatam ca pentru cei 8A, avem nevoie de cca 6,5V, ceea ce in fapt inseamna ca un zenner de 6V8 este suficient acolo pentru a permite curentul de drena maxim dorit, hai sa demonstram:
Imagine postată
Cu zenner de 6,8V avem un curent de drena de 8,5A, adica un pic mai mult fata de tinta aleasa initial de 8A, adica zenner-ul nu influenteaza regimul normal de functionare, noi ne-am ales un curent de varf maxim dorit si l-am satisfacut ( l-am depasit chiar ), deci in regim normal etajul final va functiona nestingherit, si asta este valabil la volumul maxim dat pe intrare, la punctul de functionare imediat sub clipping ceea ce destul de rar se intampla, pentru ca rar mergem cu volumul la maxim unde apar distorsiuni semnificative, deci cu cat volumul setat fie din potentiometru, fie din sursa de semnal, este mai departe de maxim cu atat suntem si noi mai departe de limita impusa de zenner. Astfel incat concluzia este ca zennerul ales in cazul de fata nu influenteaza cu nimic regimul normal, de functionare, dar priviti ce se intampla daca reducem rezistenta de sarcina pentru a fosta un curent mai mare:
Imagine postată
Imagine postată
Imagine postată

Si un scurt virtual:
Imagine postată

Asadar de la un anumit punct etajul final se transforma intr-un generator de curent constant, deci am obtinut o protectie la scurt limitand curentul maxim posibil prin mosfet la o valoare predictibila si aleasa de noi sub un nivel destructiv.

Testam principiul si pe semnal sinus, si avem un generator de functii in locul sursei de tensiune pentru comanda mosfetului, adaugarea unui osciloscop, si modificarea ampermetrului din DC si AC, in rest schema este aceeasi ca si mai sus, iata ( dati click pe imagine pentru rezolutie mai mare ):
Imagine postată

Osciloscopul monitorizeaza la canalul A prin trasa albastru deschis, semnalul dintre poarta si sursa mosfetului si la canalul B prin trasa rosie, semnalul livrat sarcinii. Asa cum se poate observa, conductia incepe ca si mai sus undeva pe la un varf de cam 2,2V. Marind putin cate putin amplitudinea semnalului de comanda vom putea observa mai jos evolutia semnalului de pe sarcina in functie de comanda din poarta:
Imagine postată
Imagine postată
Imagine postată
Imagine postată

In ultima imagine se observa deja clipping-ul, este limita impusa de zenner-ul din poarta, dar daca scoatem zenner-ul din ecuatie observam ca influenta acestuia este de fapt foarte mica:
Imagine postată

Dar daca reducem valoarea R3 observam limitarea de cca 8,5A:
Imagine postată

Ok dar de ce sa folosim zenner de 6V8, hai sa punem 8V2:
Imagine postată

Si observam ca influenta ei este practic 0 chiar si la nivelul maxim, la clipping, nivel la care evident ca nimeni nu ruleaza in mod normal un amplificator:
Imagine postată

In schimb se observa beneficiul evident al prezentei zenner-ului la reducerea R3:
Imagine postată
Imagine postată
Imagine postată

Curentul de varf este limitat undeva sub 12A, adica la o valoare mult sub maximul admis de mosfet, adica una nedistructiva.

Observati sper ca nicaieri nu s-a pomenit de Rds-On si eficienta mosfetului, pentru ca nu ne intereseaza o valoare cat mai mica a Rds-On pentru etaj final in clasa asta de functionare, pentru a avea acel parametru la nivelul minim atunci mosfetul ar trebui sa fie complet deschis, ceea ce este cat se poate de normal sa anuleze complet ideea de unda sinus, mosfetul pur si simplu ar pune sarcina la alimentare, s-ar obtine daca vreti, o clasa de functionare D, si nu asta cautam noi la clasa AB, ci o cat mai buna liniaritate, ori nu exista liniaritate atata vreme cat mosfetul este complet deschis, este foarte important sa intelegeti asta.

In concluzie, prezenta unei diode zenner este suficienta pentru obtinerea unei protectii la scurt eficace daca bucla creeata de aceasta cuprinde si o rezistenta de putere inseriata cu sursa mos, valoarea ei este destul de simplu de ales la un nivel suficient de sus incat sa nu se afecteze regimul normal de functionare al etajului final pana la clipping, dar suficient de jos incat sa nu se atinga curentul maxim admis prin mosfet, si in acest scop se poate consulta pdf-ul tranzistorului respectiv, si extrage o valoare de tensiune Vgs de interes pentru un anumit curent de drena maxim dorit, acesta este curentul de varf si se estimeaza in functie de sarcina dorita a fi alimentata si ramurile alimentarii, apoi valoarea zenner-ului se alege tinand cont de acea tensiune Vgs gasita in graficul din pdf si caderea de pe rezistenta de putere inseriata in sursa mos, pentru curentul acela de varf maxim dorit. Se pot face teste fie in simulator, fie practice pentru a putea alege valoarea optima a zenner-ului, nu este ceva complicat, si deci nu voi intra si aici in detalii.

Cu speranta ca v-am fost de folos, va multumesc pentru atentie si lectura si va doresc toate cele bune.
Marian.
  • Lui donpetru, addy, nel65 și altor 3 le place asta


17 Comentarii

In primul rand, va multumesc ca ati postat acest articol si permiteti-mi sa fac o completare.

 

In cazul aplicatiilor audio, in speta amplificatoare audio, montarea unor diode Zener de voltaj mic va inrautati raspunsul la semnal rectangular al amplificatorului. Mai mult, folosirea unei diode Zener cu voltaj mic care sa asigure o putere disipata in limitele date de catalog a MOSFET-ului, va constrange si mai mult  viteza de crestere a tensiunii la semnal treapta. In plus, in cazul unui scurtcircuit, caracteristica de actionare a protectiei cu dioda Zener nu este multumitoare in toate situatiile. Aceste considerente ne fac sa apelam la niste metode de protectie mai complicate si mai sigure in exploatarea amplificatorului, care sa permita si un raspuns corect la semnal rectangular. Spre exemplu, in cazul proiectului GX400, varianta cu MOSFET, diodele Zener din portile MOSFET-urilor au rol de protectie la supratensiune Ugs de inalta frecventa ("spike-uri"), supratensiuni care pot strapunge terminalele G-S a MOSFET-urilor. Aceasta strategie se foloseste si in cazul invertoarelor trifazate de putere, unde semnalele de comutatie de frecvente ridicate pot capta si modula perturbatii pe terminalele G-S care pot sa compromita jonctiunea in sine. Pentru a impiedica acest lucru se folosesc diode Zener in paralel cu terminalele G-S a tranzistoarelor, extern sau intern in capsula tranzistorului. Dar, in toate cazurile ele nu au rol de protectie la scurtcircuit.

 

Deci, si in cazul amplificatoarelor audio, putem afirma acelasi lucru constransi de faptul ca, amplificatorul in sine trebuie sa aiba un raspuns bun la semnal treapta. Ba mai mult, se urmareste si obtinerea unui randament mai bun, care culmea, se poate obtine saturand bine tranzistorul, deci aplicand o tensiune cat mai apropiata de valoarea maxima Ugs (in acest caz, suplimentar, ca sa va convingeti, studiati modul de comanda a IRFP240 aplicat in amplificatoarele profesionale ECLER). Daca vom folosi, prin absurd, un zener de voltaj mic mergand pe principiul formulat de dvs. in articol, veti vedea ca practic randamentul scade. Spre ex., randamentul unui amplificator poate fi urmarit comparand valoarea tensiuni de alimentare a amplificatorului cu valoarea maxima Vpp data de amplificator pe iesire, pe cea mai mica impedanta suportata de amplificator. In foarte multe cazuri unde s-au prezentat amplificatoare audio eu am solicitat acest lucru, dar au fost si cazuri cand autorii schemelor audio au evitat sa faca acest test (spre ex., in Romania, chiar amplificatorul utilizatorului @DjLeco a fost intr-un asemenea caz, chiar daca a avut la baza un etaj final cu tranzistori bipolari).

    • zal, Haicu Ovidiu și Lucky Sound like this

Dj Leco este unul din motivele care m-au convins sa alcatuiesc acest articol. Ideea cu protectie care sa se foloseasca de dioda zener nu-mi apartine, a fost pomenita dincolo in repetate randuri si de catre mai multi colegi, eu doar am incercat sa dovedesc aici validitatea ei si sa explic modul elementar de functionare. Principiul este valabil, am explicat de ce in articol, aici va prezint o scurta simulare care dovedeste ca nu se intervine unde nu trebuie. O schema simpla de amplificator cu finali mosfet, apartinand unui proiect personal publicat prin 2011 dincolo:

Schema_fara_zener.jpg

 

Simularea semnalului treapta si a SR:

http://s6.postimg.or...fara_zenner.png

Simulare_SR_fara_zenner.jpg

 

Apoi varianta cu 8V2, valori ale zenerelor pe care eu le recomand si folosesc in modulele mosfet pentru comercializare:

Schema_cu_zenner.jpg

 

Treapta si SR:

Simulare_treapta_cu_zener.jpg

simulare_SR_cu_zener.jpg

 

Nu este afectat semnalul in nici un fel asa cum se poate observa, nici forma si nici viteza de crestere, este normal sa fie asa, curentul in sursa mos este inca prea mic pentru a genera o cadere de tensiune suficienta pe rezistenta de putere din sursa incat sa actioneze dioda, in fapt chiar si la clipping gasim in schema de fata intre poarta si iesire undeva pe la 6,5V, mult prea putin pentru a deschide o dioda de 8,2V.

 

Chestiunea se poate testa si in practica pe osciloscop, simulatorul este doar o unealta mai facil de folosit pentru a testa si verifica diferite solutii, o unealta puternica si la indemana oricui. Tensiunea poarta-sursa pentru un anumit curent dat trebuie sa se supuna caracteristicii Vgs/ID din pdf, si cu toate ca valoarea gasita acolo este mai degraba o estimare, totusi plaja permisiva este suficient de mare incat sa se poata face o alegere corecta.

 

Cat despre randament, in aceasta clasa de functionare randamentul este oricum numai liniar/stabil/fix nu, disipatia maxima pe un etaj final clasa AB are loc undeva cam pe la 1/3 din volumul maxim/puterea maxima, acolo pierderile pe etajul final sunt maxime deoarece combinatia Vce/Vds*IC/ID este maxima, mai sus in putere creste curentul de sarcina, este drept, dar scade tensiunea Vce/Vds, deci randamentul tinde sa creasca ( ce-i drept destul de putin ), chestiunea asta se poate proba prin calcule, randamentul maxim in regim normal de functionare este chiar sub clipping ( pe care clipping ne dorim sa-l evitam, si daca livram o tensiune prea mare in poarta, clipping-ul este inevitabil ). Atata vreme cat dioda zenner nu are suficiente resurse sa se deschida nici macar la clipping atunci aceasta nu poate influenta in nici un fel randamentul.

    • addy ii(le) place mesajul asta

In primul rand va recomand sa testati practic comportarea diodei Zener in amplificatoare audio, in paralel cu jonctiunea G-S a MOSFET-urilor. O sa vedeti ca aceasta nu intra in conductie "ca un switch", asa cum da sa se inteleaga din simularea cu ajutorul MultiSim. Studiati si cum au implementat - e doar un exemplu - cei de la Ecler modul de comanda a IRFP240-9240. O sa vedeti ca in foarte multe aplicatii profesionale nu s-au folosit diode Zener de voltaj mic, ci cat mai aproape de tensiunea Ugs maxima admisa data de catalog. In acest caz, nu putem afirma ca diodele montate acolo au rol de protectie la suprasarcina si nici scurtcircuit, in cam toate aplicatiile de acest gen existand si sigurante pe bratele de alimentare a amplificatorului.

In ceea ce priveste viteza de crestere a tensiuni, diferentele nu sunt notabile dar sunetul are de suferit. Cand m-am referit la randament, m-am referit la diferente de ordinul a 1..max.3%.

    • remus68 ii(le) place mesajul asta

Evident ca pragurile de deschidere nu sunt fixe strict la tensiunea inscrisa pe dioda, insa BZX55C8V2 nu este o dioda zenner de tensiune prea mica pentru un amplificator audio, iata pdf-ul sau:

http://www.tme.eu/ro...6f8/BZX55Cx.pdf

 

Din el putem observa pentru 8V2 o plaja intre 7,7 si 8,7V, eu am spus deja ca in schema simulata, chiar si la clipping, pe dioda se aplica sub 7V, ( in fapt 6,5V ), deci insist cu faptul ca pana si 7V e mult prea putin pentru a deschide o dioda de 8V2, se poate testa asta extrem de usor, dar nu ar trebui sa fie cazul, pdf-ul ar trebui sa satisfaca pe oricine.

 

Imi pare rau ca nu observati exact ce doresc eu sa arat aici, dar nu am ce sa fac in aceasta privinta, domeniul audio este extrem de grav afectat de subiectivism si mituri audiofile, atunci cand te lupti cu unele preconceptii adanc intiparite, este foarte greu sa le combati, iar eu prin acest articol tocmai asta incerc sa fac, sa combat niste idei preconcepute. Garantez 100% ca intr-un amplificator ca cel din schema simulata, zenerul de 8V2 nu afecteaza in nici un fel performantele amplificatorului in regim normal, dar limiteaza curentul de varf instantaneu, la o valoare maxima care sa nu depaseasca toleranta mosfetului. Principiul poate fi adaptat oricarei puteri, orice etaj final complementar in drena comuna este eligibil pentru acest sistem, valorile exacte ale diodelor depind de ce finali se folosesc, tensiuni de alimentare, sarcina de interes, numarul finalilor in paralel, etc... pare complicat dar este simplu de fapt, si facut cu cap, totul e simplu.

Sunt de parere ca la auditia unui etaj final protejat cu diode zenner asa cum este prezentat, efectul este cel mult de inmuiere-rotunjire a clipping-ului, datorita unei posibile intrari usoare in conductie a zennerelor inainte de tensiunea de prag; audiofilii carora le plac tuburile ar fi mai mult decat multumiti de asta :)

Diodele Zenner prin capacitatea de barieră ce o posedă, se comportă exact ca niște varicap-uri ce-și modifică capacitatea si performanțele dinamice ale amplificatorului se vor modula in funcție de nivelul semnalului aplicat. Intr-un etaj final, MOSfet-ul trebuie sa poata fi adus la cea mai mică rezistență in conducție de care este capabil, astfel incât toată tensiunea sursei de alimentare să ajungă pe sarcină. Deci excursia de tensiune grilă-sursă la semnal maxim trebuie să se apropie cât mai mult de tensiunea maximă permisă (20 V). Limitând acea tensiune, puterea utilă se împarte intre sarcină și tranzistor. Mosfet-ul se va incalzi ca nebunul fără sa poată pompa toată tensiunea de alimentare in sarcină. Asta se intâmplă în schemele prost proiectate în care finalii nu pot fi aduși in conducție maximă si puterea utilă incălzește fără rost finalii in loc să ajungă in difuzor. Mosfet-urile spre deosebire de bipolari nu prezintă fenomenul de străpungere secundară și sunt foarte robuști la suprasarcini, așa ca o protecție prin limitarea curentului nu se justifică, fiind arhisuficienta protecția cu siguranțe. La amplificatoare cu finali Mosfet la care s-a făcut scurt pe ieșire, am gasit siguranțele arse dar niciodată vreun tranzistor distrus.
    • remus68 ii(le) place mesajul asta

Addy articolul nu s-a dorit a discuta efectul interventiei diodelor asupra sunetului, in mod normal diodele se dimensioneaza astfel incat in regim normal de functionare semnalul este suficient de jos fata de pragul lor.

 

Scormonel iarta-ma dar spui prostii in aproape tot comentariul tau, si se vede in mod evident influenta nefasta a lui Leco asupra ta, fa-ti un bine, nu mai pune la suflet toate miturile sustinute de altii, ci incearca tu insuti sa-ti explici cum functioneaza un etaj final mosfet in clasa AB, ca momentan nu stii mai nimic, comentariul tau dovedeste asta, incearca sa te documentezi prin lucrari de specialitate ale unor oameni care chiar au un cuvant de spus si acorda mai putina atentie miturilor audiofile lansate de persoane care au o foarte putina pregatire teoretica reala.

 

Numai bine.

Marian78 te asigur ca nu stiu cine este Leco si nu am citit nimic scris de el care sa ma inspire. Daca ce scrie el coincide cu ce spun eu, am toate respectele pentru el. Se pricepe !.

    • remus68 ii(le) place mesajul asta
Uite domnule Marian in figura 1 cum in schema ta "desteapta", pe transistor se pierd 17 volti din ce debiteaza sursa in loc sa se regaseasca pe rezistenta de sarcina.http://s14.postimg.o...anvlt/image.png
Asta dovedeste ca esti pe langa subiect si nu ai habar de electronica. Nu te mai da rotund pe aci si mai bine te-ai pune cu burta pe carte sa intelegi fenomenele fizice. Este foarte grav sa te crezi Mafalda. Aici nu stii niciodata cu cine te contrezi. Mai multa modestie si bun simt nu ti-ar strica. Cand proiectam si construiam eu amplificatoare cu mos-uri, tu te jucai cu puta in nisip. Din tot articolul tau se vede ca esti pe dinafara si nu intelegi electronica.
    • zal și remus68 like this

Dupa ce ca esti arogant si pe langa subiect, mai folosesti si un limbaj nepotrivit...

 

Te invit sa te inarmezi cu un osciloscop si sa masori cu el orice amplificator cu etaj final mosfet, complementar, repetor pe sursa, pune osciloscopul intre sursa si poarta, vezi ce varfuri de tensiune gasesti acolo, n-ai sa gasesti in veci mai mult de 6-7, poate 8V desi nu cred, si asta la volum ridicat evident, masoara si te vei convinge de unul singur, pana atunci rogu-te nu-mi mai polua articolul daca nu stii despre ce vorbesti, urmareste ce s-a postat dincolo pe acest subiect.

Privește salvările de mai jos și minunează-te de gândirea ta profundă.
image.jpg
image.jpg
    • zal și remus68 like this
Om bun simularea este complet inutila atunci cand nu stii si ce ai simulat. Problema ta este ca tu confunzi regimul mosfetilor la comutatie ( fie ca sunt surse fie amplificatoare clasa D ), si regimul de la amplificatoarele in clasa AB, sunt 2 configuratii diametral opuse si trebuiesc separate foarte clar in perceptia ta, aici faci pe dracu in 4 sa nu ajungi in veci la un regim normal de functionare ca mosfetul sa fie complet deschis, pe langa clippingul agresiv si deci sunetul puternic distorsionat, exista riscuri reale ca boxa sa cedeze daca nu este protejata. Nu esti singurul care face aceasta confuzie ( una foarte grava ) dar esti printre foarte putinii ce o sustin atat de agresiv. I-ati osciloscop si fa ce ti-am zis.
Conform normelor internaționale (DIN45500), puterea maximă "nedistorsionată" se măsoară la 10% distorsiuni. În acest regim, vârfurile sinusoidei trebuie sa aduca tranzistoarele finale in conducție maximă. Daca nu se poate atinge acest regim datorită unei scheme proaste, puterea in sarcina este mica iar finalii se incing cumplit. Am osciloscop Tektronix acasa, analizor audio, distorsiometru, generatoare, etc dar nu asta este adevărata problemă ci faptul ca tu nu stăpânești noțiuni elementare de electrotehnică și nu ai cum să ințelegi fenomenele fizice fundamentale ce se petrec acolo. Daca iau la bani mărunți articolul tău, totul este abureală. Dar mă opresc aici cu o ultimă intrebare pentru tine. Ce notă ai obținut la examenul de bazele electrotehnicii ?.
    • remus68 ii(le) place mesajul asta

Nu stii ce spui, si poluezi un articol de altfel bine pus la punct si documentat, esti total pe langa realitate si-ti bati si joc de munca mea, cand o sa ma conving ca ai citit acest ultim comentariu al meu o sa dezactivez posibilitatea de adaugare comentarii noi, este inadmisibil ca cineva care nu poate deosebi 2 regimuri diametral opuse de functionare ale tranzistorului mosfet, sa se comporte atat de agresiv sustinandu-si realitatea sa inchipuita, si nu-ti permit sa-ti bati joc de munca mea atata vreme cat refuzi sa intelegi orice detaliu care contrazice convingerile tale. Pana atunci inainte sa te mai faci singur de ras pune mana si fa testul ce ti l-am propus eu, si da volumul la orice nivel vrei tu, orice regim normal de functionare ( deci exceptand clippingul ), masurand direct intre poarta si sursa mosfetului final nu vei gasi in veci mai mult de 6-7V, sau hai sa zicem poate 8, desi ma indoiesc, la volum 10% abea vei gasi 4-5V, in nici un caz mai mult pentru ca la regimul de functionare pentru clasa asta AB parametrul Rds-On este practic irelevant si nu ne intereseaza.

 

Fa testul si convinge-te si nu-mi mai polua articolul ca nu-ti mai permit aberatiile, vrei sa dezbati chestia asta n-ai decat sa deschizi topic pe forum si ti se va explica acolo ce si cum, asta in conditiile in care chiar vrei sa asculti.

cred ca scormonel asculta muzica in impulsuri dreptunghiulare.

 

Nu ma pricep eu la amplificatoare foarte mult dar daca alimentezi cu 12 grila unui fet vei obtine un shunt. Poate este bun sa ma masori curentul prin el dar cu siguranta nu e amplificator. 

 

La sursele in comutatie te intereseaza sa deschizi cat mai repede fetul si sa il inchizi la fel, dar in cazul amplifului in clasa AB te intereseaza de fapt ca fet-ul sa se comporte ca o rezistenta de putere variabila cu amplitudinea semnalului introdus in el. 

 

 

Eu personal nu ma declar fan-ul unui amplificator cu final mosfet. Pur si simplu draciile astea nu au fost concepute pentru amplificare. Ca prin anumite artificii le facem sa se comporte ca un tranzistor e una, scopul mosfetului e cu totul alta. 

 

Cred ca motivul pt care mosfetii sunt populari in audio este faptul ca sunt mai ieftini decat tranzistorii finali de tensiune mare.

    • Marian78 ii(le) place mesajul asta

Multumesc pentru lectura articolului si pentru comentariu.

 

Exact asta tot incerc si eu atat aici cat si dincolo pe celalalt forum, sa explic lui Leco si celor pe care el i-a atras de partea sa cu acel mit, alimentand poarta unui mosfet cu 12V, obtii o sarma ce n-are nici o legatura cu amplificatorul audio in clasa AB.

 

In alta ordine de idei, se poate obtine si etaj final audio performant cu mosfeti, trebuie doar putina atentie la structura comenzii, vezi proiectul meu de dincolo.

In funcie de abordarea etajului final este si performanta sa , daca abordarea este proasta  or care ar fi semiconductorul, rezultatul va fi la fel de prost.

Latest News

Last FAQ

  • ian 11 2013 08:57
    Izolatia externa reprezinta izolația părților exterioare ale unui echipament, constând din distanțe de separare în aer si din suprafețele în contact cu aerul ale izolației solide ale unui echipament, care sunt supuse la solicitări d...
  • mar 03 2013 04:16
    Este o retea electrică al cărei punct neutru nu are nici o legătură voită cu pământul, cu excepia celei realizate prin aparate de măsurare, de protecie sau de semnalizare, având o impedană foarte mare.
  • iul 01 2014 08:27
    Acest nivel de izolatie se defineste astfel:a) pentru echipamentele cu tensiunea cea mai ridicată < 245 kV:- tensiunea nominală de tinere la impuls de trăsnet si- tensiunea nominală de tinere de scurtă durată la frecvenă indu...
  • ian 11 2013 08:34
    Supratensiunile electrice tranzitorii sunt de trei tipuri:- supratensiune cu front lent: Supratensiune tranzitorie, în general unidirecțională, având durata până la vârf 20 μs < Tp < 5000 μs si durata spatelui T2 < 20 ms...
  • aug 07 2012 08:30
    Sitemele de achizitie de date se clasifica avand in vedere doua criterii:dupa conditiile de mediu in care lucreaza:▪ sisteme destinate unor medii favorabile(laborator);▪ sisteme destinate utilizarii in condii grele de lucru( echipam...

Board Statistics

Total Posts:
68035
Total Topics:
5949
Total Members:
28123
Newest Member:
bcristian0123
Online At Once:
240 --- 17-ianuarie 15

24 utilizator(i) activ(i)(în ultimele 15 minute)

24 vizitatori, 0 utilizatori anonimi
Yahoo, Bing, Google, Alexa

emil.matei.ro Cel mai cuprinzator director romanesc